62、多晶硅薄膜晶体管（Poly - Si TFTs）的制造与性能分析

多晶硅薄膜晶体管（Poly - Si TFTs）的制造与性能分析

1. 制造工艺

多晶硅薄膜晶体管（Poly - Si TFTs）在显示技术等领域有着重要应用，其制造工艺有多种类型，下面详细介绍简单的非自对准（NSA）n 沟道 TFT 和自对准（SA）n 沟道 TFT 的制造工艺。

• NSA n 沟道 TFT 制造工艺 ：这是一个四掩膜工艺，具体步骤如下：

  1. 定义多晶硅岛。
  2. 确定源极和漏极的掺杂位置。
  3. 通过栅极氧化物打开接触窗口。
  4. 定义金属接触区域。

• SA n 沟道 TFT 制造工艺 ：同样是四掩膜工艺，其步骤为：

  1. 岛定义。
  2. 栅极金属定义。
  3. 接触窗口打开。
  4. 源极和漏极金属定义。

与非晶硅（a - Si:H）TFT 的制造相比，这两种工艺的掩膜数量相当。但在完整的有源矩阵液晶显示器（AMLCD）工艺中，掩膜数量可能会增加到九个，因为需要包含互补电路 TFT 以及 n 沟道 TFT 的场缓解结构。额外的步骤包括分别对 n 沟道和 p 沟道 TFT 的源极和漏极区域进行光刻定义，以及 n 沟道 TFT 的轻掺杂漏极（LDD）区域定义，此外还需添加铟锡氧化物（ITO）像素电极的接触窗口和 ITO 图案化。

除了上述基本的掩膜工艺