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深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时 (i.e., Metal/Insulator/Semiconductor:MIS)，可有效屏蔽界面处的肖特基势垒，因此可显著抑制AlGaN材料表面耗尽效应，使得电子以隧穿的方式高效地注入到器件内部(如图1所示)，技术团队把该结构应用在了深紫外发光二极管（DUV

《涨知识啦14》—影响发光二极管电压的因素在前几期我们讲到了电子-空穴对的辐射复合（radiativerecombination）可以引起二极管的发光效应。但只有当发光器件的驱动电压（drive voltage）和正向工作电压（forward voltage）都等于或大于器件禁带宽度Eg与单位电子e的比值（V≥Eg/e）时，才能引起电能向光能的能量转化。那么哪些因素会影响发光器件的电压呢？首先，额外的串联电阻将会引起发光二极管额外的压降。引起额外电阻的因素主要包括：（1）接触电阻；（2）突变异质结引起

DUV LED最新研究成果----电极互连模型和多峰模型成果1：电极互连模型基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，我司技术团队提出了具有基于远程金属反射镜的空腔提取器的DUV LED器件（i.e., Device 3）。下图表明：相较于传统器件（i.e., Device R）和含有金属反射镜的侧壁倾斜结构（i.e., Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提升，这主要得益于金属反射镜对光的吸收减弱，倾斜侧壁的全内反射效应增强，光逃逸路径增加，提高了器件光提取效率。此外，技

《涨知识啦12-LED》—多量子阱LED工作机制发光二极管又称LED(light-emittingdiode)可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管和负阻发光二极管等多种类型，并且具有应用广泛、耗电量小、使用寿命长、无污染等特点。上期小赛向大家普及了LED的一些基本概念以及有源区微观复合机制，本期将继续给大家带来LED的工作机制。众所周知，LED器件的核心结构组成就是大家耳熟能详的PN结（具体可参考往期推送），因此LED具有