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成果展示：SiC基IGBT模型（ver.1.0） 作为十四五规划和2035年远景目标中科技前沿领域重点攻关方向，碳化硅（SiC）基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）肩负众望。尽管目前碳化硅功率MOSFET的阻断电压已经可以做到10 kV，但作为一种缺乏电导调制的单极性器件，进一步提高阻断电压将会面临通态电阻升高的问题。理论计算表明，20 kV的碳化硅功率MOSFET需要制备厚度超过172 μm的漂移区，则其通态特征电阻将会显著增大，可超过245 mΩ·cm2。因此实现高压大电流功率器件（>7kV，>