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依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。图 1 （a）电流-电压关系图， (b) 电势分布图，..

《涨知识啦33》-SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制 (下)根据《涨知识啦》第32期可知，随着反向偏压的增大，肖特基二极管漏电流的增幅远远超过了耗尽区内空间电荷产生电流的水平，随后，研究人员发现在肖特基势垒二极管处于反偏工作下时，是存在镜像力的，因此肖特基势垒高度会随之降低。为了解释上述肖特基势垒降低效应这个现象，我们可以去分析图1所示的金属-半导体能带图。图1镜像力造成肖特基势垒降低的能带示意图当半导体体内的一个电子在距离界面x处靠近金属，同样大小的镜像正电荷会出现在距离界面 - x 处的金属中

肖特基势垒二极管 (Schottky barrier diodes, 简称 SBD) 是与PN结二极管有着同样整流接触的功率二极管结构，它是通过金属和半导体漂移区之间形成电气非线性接触，即整流接触。由于肖特基势垒二极管拥有相对较低的通态压降和较快的开关速度，使其成为功率器件中备受关注的单极性器件。当肖特基势垒二极管上施加反向偏置时，其反向漏电流可有以下三个部分组成：耗尽区内空间电荷产生电流；中性区内载流子产生的扩散电流；金属-半导体接触热电子发射电流。肖特基势垒二极管漏电流可由下式得到通常

大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为：热激发电流 （半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）隧穿电流 （电子隧穿通过势垒）复合电流 （耗尽区中的电子空穴发生复合）电子扩散流 （耗尽区中的电子扩散）空穴扩散流 （耗尽区中的空穴扩散）图1正向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。图2展示了SBD外加反向偏置时，器件内部的能带及载流子输

近年来，Ga2O3材料凭借着优越的电学与光学特性，愈发引起了研究人员的强烈关注，同时被广泛地应用于各类高功率半导体器件与光电子器件。因此，借助于计算软件对其内部物理机制的研究便显得尤为重要，可帮助研究人员省时、省力、省财地制备高性能的半导体器件。近日，基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台，我司技术团队不断突破技术瓶颈，完善材料性质及物理模型，创新性地开发出了Ga2O3-SBD计算模型。如上图所示，基于该模型计算输出的结果与实验结果高度吻合，对于SBD器件内部物理机制的研究极具重要的意义。