横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发

        GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数据库，并系统地研究了场板结构参数以及温度对器件电学特性的影响。该数理模型包含了GaN材料的表面/界面/体缺陷信息，也为GaN/AlGaN HEMT器件的建模仿真、器件制备和可靠性分析奠定了基础。

       图1为在反向偏置100 V时有无场板结构的横向AlGaN/GaN基SBD的电势分布。通过在横向AlGaN/GaN基SBD结构中引入场板结构，一方面在反向偏置时能够增加横向耗尽区域的面积，提升反向击穿电压；另一方面，场板与凹槽阳极之间可以形成电荷耦合效应，能够有效地减小凹槽阳极边缘的峰值电场，同时减弱镜像力的影响，抑制器件的漏电流。

图1反偏电压为100 V的电势分布图：（a）无场板结构；（b）具有场板结构