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隧穿结是半导体器件中的重要组成部分，根据载流子的输运原理可分为带内隧穿结(intraband tunnel junction)和带间隧穿结(interband tunnel junction)。带内隧穿结在半导体电子器件和光电子器件中较为常见，如在欧姆接触架构中，电子在n型半导体材料与金属之间的输运方式即是通过带内隧穿完成；影响载流子带内隧穿效率的关键因素是隧穿结区的宽度，因此为了减小隧穿结区的宽度，需要采用重掺杂的半导体层。带间隧穿即电子从p型半导体层的价带，途径禁带，最终到达n-型半导体层的导带；于