simucal的博客

现如今，智能手机、平板、电脑等高分辨率显示产品的快速发展，促使整个行业对高性能显示器的需求不断增加。 在过去的几十年里，主流的显示系统都是基于液晶显示（LCD）和有机发光二极管（OLED）这两种技术，这两种显示技术几乎占据了整个智能显示领域。然而，现阶段对于LCD和OLED这两种显示技术仍存在一些不完善的地方，比如，LCD存在颜色转换效率差、色彩饱和度和对比度低等问题；OLED的亮度以及寿命也有待进一步提升。基于Micro-LED的显示技术在亮度、寿命、分辨率和效率等方面具备优异性，因此Micro-LE..

提高深紫外LED光提取效率关键手段之一是降低p-GaN层对深紫外光吸收而产生的光损耗效应，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队最近依托DUV LED光学与电学协同仿真模型技术，提出了两种行之有效的解决方案。具体成果如下：具有横向过刻蚀p-GaN层的DUV LED结构在具有倾斜侧壁阵列的DUV LED结构中， p电极并没有完全覆盖p-GaN层，这就导致了电流主要在有电极覆盖的区域注入，而外围区域电流密度较小，因此倾斜侧壁LED的发光主要是集中于电极的下方（即Device 1）。然而p-GaN层对深紫外光的吸

目前， Micro-LED的显示技术在制造上面临两个主要的技术挑战：一个是全彩显示（Full-color display）,另外一个为巨量转移（Mass transfer）。本周“涨知识啦”给大家介绍的就是其中的巨量转移技术，它是Micro-LED显示技术中不可或缺的一个重要环节。巨量转移又称薄膜转移，就是将Micro-LED器件转移到具有特定的驱动基板上，并组装成二维周期阵列。通常500 PPI（Pixels Per Inch）的手机屏幕需要将近800万个像素颗粒，因此Micro-LED的显示技术中转移

LED（Light-emitting diodes）作为一种电光转换器件，不仅要求其具有较高的外量子效率，优良的电学（I-V）特性也是决定其电光转化效率的关键因素之一。因此对I-V特性的深入研究有助于设计制备高性能的LED器件。在正常工作状态下，LED本质上属于一种正偏PN结，所以理想I-V特性曲线如图 1实线所示，然而，在实际的仿真设计、实验器件制备中，我们经常会遇到实际输出的I-V特性曲线严重地偏离理想工作状态，那么影响LED器件的I-V特性的因素有哪些呢？图 1 串联电阻和并联电阻改变对LED器

本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是深紫外发光二极管中的电流拥挤效应。目前深紫外发光二极管（DUV LED）主要采用倒装结构来降低紫外光自吸收的问题，所以芯片的p-型电极焊盘和n-型电极焊盘只能制备在外延片表面的同一侧，常见器件结构及等效电路如图1所示。由于电流扩展层（CL）的厚度远小于n型AlGaN层的厚度，所以CL层的横向电阻RCL大于n型AlGaN层的横向电阻Rn，也就是说电流J1通过p-型电极焊盘下方的路径时受到的阻力远小于电流Jn受到的阻力，导致器件内部产生电流拥挤效应, 即p型电极焊盘下方的电流密

纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响图形化蓝宝石衬底已经在可见光LED领域得到广泛的应用，其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量，还可以提高LED的光提取效率。基于先进的半导体仿真设计平台，我司技术人员开发出了纳米图形衬底（NPSS）上的深紫外LED（DUV LED）的计算模型。研究发现：NPSS能够提高DUV LED中横向传播的TM极性光的光提取效率，但会抑制偏向垂直传播的TE极性光的光提取效率（如图1所示）。造成这种现象的原因是，当DUV LED中采用NPSS结构时，NPSS会把部分