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依托Crosslight先进的仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队成功开发出CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型。 由于半峰宽较窄、发光波长可调、制备工艺成本相对较低，CdSe/ZnS QD LED在下一代显示和照明领域具有极大的应用空间。然而，QD LED的器件尺寸一般较大，并且空穴迁移率较低，因此电流拥挤比较严重。上海大学杨绪勇教授团队提出在QD LED空穴注入层中嵌入MoO3层[如图一所示]，该插入层可以有效调节空穴的输运行为，改善电流扩展效应，提高空穴注入效率[如图二所示]