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为实现具有高击穿电压和优异正向特性的第三代半导体功率器件，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台，优化设计了一种具有p-NiO插入终端的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid SBD）。...

第三代半导体功率器件的飞速发展成功激励新能源电动汽车市场的高速增长，其中双极结型晶体管（BJT）是电机可变速驱动装置或不间断电源装置等电力转换器的核心开关元件。因此，BJT中载流子输运与电流放大模型的精确开发将有力推进BJT器件的设计与研发，这对于新能源电动汽车的产业升级与更新换代具有重大意义。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的仿真设计平台成功开发出了BJT器件的精准计算模型，有效地助力研究人员揭示物理机理并进行器件结构优化。基于该模型计算得到的电流增益曲线 [图1（a）和（b）] 与..

SiC基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；同时，Trench MOSFET可有效抑制源极短路问题，减小PN结电容，避免产生寄生效应。基于此，...