基于忆阻器的神经形态架构设计
1. 引言
纳米级忆阻器设备的出现,为模拟生物系统强大的处理能力迈出了重要一步。忆阻器具备高密度多级存储、超低静态功耗以及与生物突触相似的行为特性,为在硬件中设计人工神经网络(ANN)的神经形态实现提供了途径。神经形态设计范式旨在利用模拟或混合信号电路模仿生物信息处理,通常能带来更高的计算效率、更低的功耗和大规模并行性。
2. CMOS/忆阻器突触电路
生物神经网络一直是比较不同软件和硬件 ANN 设计的基准。许多 ANN 研究人员的目标是模拟人类大脑的卓越性能、鲁棒性、效率和学习能力。然而,仅新皮质就包含约 200 亿个神经元,每个神经元平均与约 7000 个其他神经元形成突触连接,总数约为 1.4×10¹⁴ 个突触。因此,在基于硬件的神经网络(HNN)中模拟大脑的一小部分功能,需要精心设计硬件实现的人工突触。
一般来说,每个硬件突触有三个功能:
- 存储神经元之间的权重;
- 提供神经元之间的物理互连;
- 促进神经元之间权重的调制/编程。
在低功耗、小面积的电路中实现这些功能,对于实现大型 HNN 所需的高连接性至关重要。依赖昂贵权重存储电路(如电容电路)的设计,会因大面积开销而导致可扩展性差。接下来将讨论基于 CMOS 技术与纳米级忆阻设备集成的新一代 HNN(CMHNNs)的硬件突触电路设计。
2.1 忆阻器概述与模型
忆阻器是一种两端无源电路元件,其端电压 $v_m(t)$ 与产生的电流 $i_m(t)$ 之间存在非线性关系。根据状态相关的欧姆定律,其简单定义为:
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