MOS管安全工作区SOA

本文介绍了MOS管安全工作区(SOA)的概念,它是由(电压,电流)坐标点形成的二维区域,器件工作在此区域内才安全。还阐述了与SOA有关的参数,如漏源电压标称值、漏源最大单脉冲电流等,介绍了SOA的图形表示及测量方法。

注:内容转自 广州致远电子有限公司《如何确保MOS管工作在安全区》

 

一、引出

        开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 

        安全工作区:SOA(Safe operating area)是由一系列(电压,电流)坐标点形成的一个二维区域,开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲,只要器件工作在SOA区域内就是安全的,超过这个区域就存在危险。

二、与SOA有关的参数 

1、VDS(Drain-source voltage):漏源电压标称值,反应的是漏源极能承受的最大的电压值;

2、IDM(Drain current(pulsed)):漏源最大单脉冲电流(非重复脉冲),反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强度。

3、Rds(on):MOS管源极与漏极之间的导通电阻。

 

三、SOA介绍

        如上图所示就是该MOS的安全工作区。

        最上面的红色横线代表了MOS管的最大电流限制IDM,如该MOS管的值为88A。

        最右边的绿色竖线代表了MOS管的最高耐压值Vds,如该MOS管的值为600V。

        左边的橙色斜线表示,当Vds还很小时,随着Vds增大,Vds与IDM满足欧姆定律:VDS = ID · RDS(ON)。因为在Vgs与温度一定的情况下,RDS(ON)近乎于常数,因此橙色线看起来像直线。

        右边的蓝色斜线表示了不同的单脉冲宽度下,VDS与IDM的关系。比如当脉冲宽度为10ms时,如果VDS为200V,那么对应到蓝色斜线上,可以得到IDM大约为1.5A的限制。

四、SOA的测量

使用电压探头测量MOS管的VDS电压,电流探头测量IDM,如果示波器支持SOA分析功能,就可以进行测试了。

由于给定引用中未提及应用六步法判断MOSSOA区域的方法,以下是一般情况下推测可能包含的六步法内容: ### 确定基本参数 明确MOS管的关键参数,如最大漏源电压(Vds_max)、最大漏极电流(Id_max)、最大功率耗散(Pd_max)等,这些参数通常可以从MOS管的数据手册中获取。这些参数是界定SOA区域的基础边界条件。 ### 考虑环境温度 环境温度对MOS管的性能影响显著,温度升高会使MOS管的安全工作区域缩小。需要根据实际应用环境的温度范围,对MOS管的参数进行温度修正。例如,根据数据手册中的温度系数,对最大功率耗散等参数进行调整。 ### 分析电路工作模式 判断MOS管在电路中是处于开关模式还是线性模式。不同的工作模式下,MOS管的SOA区域有所不同。在开关模式中,主要关注MOS管在导通和截止瞬间的电压和电流应力;在线性模式中,则需要考虑MOS管在整个导通期间的功率耗散。 ### 计算工作点 根据电路的具体参数,计算MOS管在不同工作阶段的电压和电流值。例如,在开关电路中,计算MOS管导通时的漏极电流和漏源电压,以及截止时的漏源电压。将这些计算得到的工作点绘制在电压 - 电流坐标图上。 ### 对比SOA曲线 将计算得到的工作点与MOS管的数据手册中的SOA曲线进行对比。SOA曲线是由一系列(电压,电流)坐标点形成的二维区域,正常工作时的电压和电流都不应超过该区域。如果工作点落在SOA曲线内,则表示MOS管工作在安全区域;反之,则存在危险 [^2]。 ### 进行降额设计 考虑到实际应用中可能存在的各种不确定性因素,如温度波动、电压尖峰等,需要对SOA区域进行降额使用。例如,将计算得到的工作点与降额后的SOA曲线进行再次对比,确保MOS管完全工作在合理的安全工作区间内 [^1]。 ```python # 以下为简单示例代码,模拟计算工作点并判断是否在SOA区域 # 假设已知SOA区域的边界条件 Vds_max = 100 # 最大漏源电压 Id_max = 20 # 最大漏极电流 # 计算得到的工作点 Vds_operating = 80 Id_operating = 15 # 判断工作点是否在SOA区域内 if Vds_operating <= Vds_max and Id_operating <= Id_max: print("MOS管工作在SOA区域内") else: print("MOS管工作超出SOA区域,存在危险") ```
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