MOS管安全工作区SOA

本文介绍了MOS管安全工作区(SOA)的概念,它是由(电压,电流)坐标点形成的二维区域,器件工作在此区域内才安全。还阐述了与SOA有关的参数,如漏源电压标称值、漏源最大单脉冲电流等,介绍了SOA的图形表示及测量方法。

注:内容转自 广州致远电子有限公司《如何确保MOS管工作在安全区》

 

一、引出

        开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 

        安全工作区:SOA(Safe operating area)是由一系列(电压,电流)坐标点形成的一个二维区域,开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲,只要器件工作在SOA区域内就是安全的,超过这个区域就存在危险。

二、与SOA有关的参数 

1、VDS(Drain-source voltage):漏源电压标称值,反应的是漏源极能承受的最大的电压值;

2、IDM(Drain current(pulsed)):漏源最大单脉冲电流(非重复脉冲),反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强度。

3、Rds(on):MOS管源极与漏极之间的导通电阻。

 

三、SOA介绍

        如上图所示就是该MOS的安全工作区。

        最上面的红色横线代表了MOS管的最大电流限制IDM,如该MOS管的值为88A。

        最右边的绿色竖线代表了MOS管的最高耐压值Vds,如该MOS管的值为600V。

        左边的橙色斜线表示,当Vds还很小时,随着Vds增大,Vds与IDM满足欧姆定律:VDS = ID · RDS(ON)。因为在Vgs与温度一定的情况下,RDS(ON)近乎于常数,因此橙色线看起来像直线。

        右边的蓝色斜线表示了不同的单脉冲宽度下,VDS与IDM的关系。比如当脉冲宽度为10ms时,如果VDS为200V,那么对应到蓝色斜线上,可以得到IDM大约为1.5A的限制。

四、SOA的测量

使用电压探头测量MOS管的VDS电压,电流探头测量IDM,如果示波器支持SOA分析功能,就可以进行测试了。

<think>(用户正在询问MOS管三个工作区的条件,这属于半导体器件物理的基础知识。根据用户提供的引用内容,虽然引用[1]主要对比了MOS管与三极管的差异,引用[2]则涉及安全工作区概念,但核心问题需要聚焦在MOS管工作区的划分标准上。我需要从器件物理角度解释截止区、线性区和饱和区的条件。) (MOS管的工作区由栅源电压$V_{GS}$和漏源电压$V_{DS}$共同决定。对于增强型NMOS管,当$V_{GS}$低于阈值电压$V_{th}$时,沟道未形成,属于截止区;当$V_{GS} > V_{th}$且$V_{DS} < V_{GS} - V_{th}$时,漏极电压对沟道影响较小,处于线性区;当$V_{DS}$增大到$V_{DS} > V_{GS} - V_{th}$时,沟道出现夹断,进入饱和区。这些条件需要结合具体公式说明。) (我将用清晰的分段结构说明三个工作区的数学条件和物理现象,并补充实际应用中的典型场景。考虑到用户可能接触工程设计,还会简要提及安全工作区SOA的概念关联。最后生成的问题将延伸至参数测量和选型实践等实用方向。)</think>MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的三个工作区由其栅源电压$V_{GS}$和漏源电压$V_{DS}$共同决定,具体条件如下: ### 1. **截止区(Cut-off Region)** - **条件**:$V_{GS} < V_{th}$($V_{th}$为阈值电压) - **特性**: 沟道未形成,漏极电流$I_D \approx 0$,MOS管处于关断状态。 此时器件功耗极低,适用于开关电路的断开状态[^1]。 ### 2. **线性区/可变电阻区(Ohmic/Triode Region)** - **条件**:$V_{GS} > V_{th}$ 且 $V_{DS} < V_{GS} - V_{th}$ - **特性**: 沟道连续导通,$I_D$随$V_{DS}$线性增大: $$I_D = \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} \left[ (V_{GS} - V_{th})V_{DS} - \frac{1}{2}V_{DS}^2 \right]$$ 此时MOS管等效为可控电阻,常用于模拟信号放大[^1]。 ### 3. **饱和区/恒流区(Saturation Region)** - **条件**:$V_{GS} > V_{th}$ 且 $V_{DS} \geq V_{GS} - V_{th}$ - **特性**: 沟道在漏极端夹断,$I_D$基本不受$V_{DS}$影响: $$I_D = \frac{1}{2} \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} (V_{GS} - V_{th})^2$$ 电流由$V_{GS}$控制,用于恒流源和数字逻辑电路[^1]。 --- ### 工作区图示 ```plaintext V_DS = V_GS - V_th ↗ 饱和区 | 线性区 | | -------|--------------> V_DS | 截止区 ↓ (V_GS < V_th) ``` --- ### 关键说明 - **阈值电压$V_{th}$**:由制造工艺决定,典型值0.5~3V。 - **沟道长度调制效应**:饱和区$I_D$会随$V_{DS}$轻微上升,实际公式需添加$(1 + \lambda V_{DS})$项。 - **安全工作区SOA)**:设计电路时需确保$V_{DS}$、$I_D$和功耗$P_D$不超出器件极限[^2]。
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