微碧VBsemi-优快云博客

原创芯片内部的 VREF 参考源究竟是怎么实现的？

带隙基准（BandGap Reference）是一种温度系数接近于零的参考电路，它能在较宽温度范围内维持高度稳定的输出电压，是芯片电源系统的核心模块之一。当然，真正的 BandGap 电路结构很复杂，各家半导体厂商内部都有成熟优化过的 IP，不是几张图能讲明白的，这里就不展开。虽然完整的带隙电路难以用入门方式介绍，但我们依然可以用一个更直观的方案，来理解“内部参考电压”如何实现稳定输出。虽然它无法与真正 BandGap 的精度与温漂性能相比，但用于理解“内部参考源的稳压方式”是非常直观的。

2025-11-28 16:30:05 251

原创 AI电源设计“第一课”：从原理出发推导MOS管的所有关键参数

为了留出足够的时间给导通时间，开关过程（上升+下降时间）必须非常短，假设不能超过周期的5%，即50ns。因为要获得极低的Rds(on)，通常需要更大的晶元面积，这会导致更大的栅极电容（Ciss）和Qg。从数据手册上选定的那个“最佳”MOS管，不再是凭感觉或简单排序，而是通过上述严密的系统分析和数学计算“推导”出来的。这里的核心目标不再是简单的“供电”，而是在极高的速度下，稳定、高效地管理一股巨大的“能量洪流”。损耗与电流的平方成正比，这意味着大电流下，即使是很小的Rds(on)也会导致显著的发热。

2025-11-22 14:28:05 515

原创 2025机器人元年:小鹏 IRON/宇树H2/擎天柱/1X-Ne o软硬件构造分析

从全固态电池到肌腱驱动，从 82 个自由度到 30kg 轻量化设计，小鹏 IRON、宇树 H2、特斯拉 Optimus 与 1X-Neo 的硬件差异，本质是 “场景需求” 与 “技术基因” 共同作用的结果 —— 小鹏靠汽车产业积累突破拟真与安全瓶颈，宇树以国产化自研平衡性能与性价比，特斯拉用技术复用降低规模化门槛，1X-Neo 则用柔性设计打开家庭场景缺口。共 31 个自由度，双臂各 6 个、双腿各 7 个、躯干 3 个，含 2 个动态重心控制关节，动作流畅性与协调性显著提升，可完成舞蹈、武术等复杂动作。

2025-11-14 15:02:22 1197

原创如何实现一键全电子智能开关机控制？

Q19 导通后，A 点被拉至低电平，D 点也随之保持低电平，导致 PNP 三极管 Q18 截止，此时 E 点被 R31 上拉至高电平，PMOS 管 Q17（作为电源开关）处于截止状态，系统维持关机。关机则需要再次短按 SW1：开机状态下 B 点和 E 点均为低电平，按下按键时，C 点和 D 点被拉低，Q18 失去驱动而截止，E 点恢复高电平；这会让 Q19 重新导通，A 点被拉至低电平，Q18 保持截止，PMOS 管 Q17 随之截止，系统负载完全断电，回到初始关机状态。

2025-11-07 18:05:51 150

原创电源反接怎么办？如何高效实现电源防反接？

在MOS管选型时，应优先选择导通电阻和导通压降小的 MOS 管，以减少功耗，同时需关注栅源电压 Vgs 的允许范围，避免器件因电压超标而损坏。第三种是保险丝与稳压二极管组合，通常前端采用自恢复保险丝，后端搭配稳压二极管，正常供电时稳压管截止，仅起过压钳位作用；但需注意，当电源反接时，稳压二极管会导通并形成短路，若长时间反接，不仅稳压二极管可能被烧毁，甚至还会损坏电源；第二种是整流管防反接，这种方案的优势在于无需区分电源正负极，可直接接入，即便反接也能保证电路正常工作。下面来介绍几个实用方案，一步步拆解。

2025-11-07 17:58:06 268

原创工控伺服驱动器状态机设计与VBP165R47S MOSFET保护机制详解

通过状态机模型系统阐述了工控伺服驱动器的工作机制，重点分析了VBP165R47S MOSFET在系统中的关键作用。VBP165R47S凭借其优异的电气特性，在现代伺服驱动系统中发挥着不可替代的作用，其完善的保护机制为工业自动化设备的可靠运行奠定了坚实基础。每个状态转换都设置了严格的检测条件，确保只有在前一状态完全就绪后才会进入下一状态。未来，随着智能制造技术的不断发展，伺服驱动器的状态管理将更加智能化，功率器件的性能也将持续提升，为工业自动化领域带来新的技术突破。：极低的导通损耗，显著提升系统效率。

2025-11-04 14:00:27 443

原创全球第一款机器人管家即将走进现实世界-机器人管家不再科幻

想象一下，只需喊一声“Neo，帮我叠衣服”，一个身高1米68、穿着高领衫和运动鞋的机器人便会应声而来，用其灵巧的双臂熟练地折叠好衣物。在设计上它全身覆盖着柔软的聚合物外壳，身高1.68米，体重仅30公斤，旨在消除传统机器人带来的“金属终结者”般的冰冷和恐惧感。Neo的卓越能力，源于其内部高度集成的三大核心电路模块，它们共同构成了机器人的“神经系统”和“肌肉系统”。：它能记住你的偏好，管理日程，甚至其胸部和骨盆内置的三级扬声器，能让它成为一个移动的家庭娱乐中心。然而，在温和的外表下，是顶尖的工程实力。

2025-11-04 11:13:32 634

原创打破世界纪录！世界首款中国 “量子之眼” 让隐身战机无所遁形

作为深耕 MOSFET 领域的厂家，我们从核心电路设计角度，带大家读懂这款 “量子重器” 的底层技术支撑 ——MOSFET 正是其性能落地的关键 “开关核心”。温控系统的 H 桥驱动电路中，MOSFET 负责控制电流方向与通断，直接驱动半导体制冷器（TEC），为 APD 创造 - 120℃的极低温低噪声工作环境。MOSFET 开关特性不佳会引入高频噪声，被敏感的 APD 直接捕获，抬高本底噪声，进而淹没微弱的光子信号，让探测功能失效。这款单光子探测器的系统核心分为。

2025-10-31 17:47:49 397

原创无缝切换！三极管+MOS管驱动的双电源供电电路设计

这款基于三极管控制的智能双电源切换电路，通过巧妙的电平检测和开关控制，实现了主备电源的无缝切换，为重要设备提供持续稳定的电力供应。Q1 栅极随即被 R1 拉至电池电压 VBAT，栅源电压 Vgs=0V，MOS 管 Q1 关断，负载切换为由 DC_IN 供电。此时 Q2 基极通过 R2、R3 获取电流而导通，将MOS管Q1 的栅极拉低，MOS 管 Q1 导通，负载由电池 U1 供电。当 DC_IN 接入供电时，Q3 基极经 R5 获得电流而导通，将 Q2 基极拉低，使 Q2 截止。

2025-10-31 17:21:37 174

原创 PMOS电源开关：低压信号如何控制大电源通断？

今天来分享一个超实用的电路设计 —— 基于 PMOS 的电源开关方案，通过低电压、小电流的 ON/OFF 信号，即可安全控制后级电路（VCC_OUT）的电源通断，广泛适用于嵌入式系统、电池供电设备及各类需电源管理功能的电子产品。由于Q1的栅极(G)和源极(S)电位基本相等（都约为VCC_IN），其V_GS ≈ 0V，Q1截止。电流可以从VCC_IN经Q1的源极(S)流向漏极(D)，VCC_OUT端正常输出电源。VCC_IN与VCC_OUT之间的通路被切断，VCC_OUT端无电压输出。

2025-10-29 17:15:29 408

原创一个适合 DIY 的单键电子开关电路

当电池装入电路（注意不要装反），电池电压会同时送到 PMOS 的源极和栅极，这时候 PMOS 不满足导通条件，处于截止状态，D 点没有输出。按下按键的瞬间，C1 接入 Q1 的基极，因为 C1 需要充电，接入瞬间相当于短暂短路，直接导致Q1的基极驱动电压消失，Q1 随即截止，PMOS 也跟着截止，D 点电压消失，电路就关机了。第一次按 KEY1 的时候，C1 会通过 Q1三极管的 BE 结放电，让Q1 瞬间导通，紧接着 PMOS 的栅极（C 点）电压会被拉到 0V 左右，满足导通条件，D 点就有输出了。

2025-10-24 17:52:49 175

原创从“悬浮术”到“三昧真火”：解析空间站材料实验柜的功率控制拓扑

在距地400公里的中国空间站，一台现实版的“炼丹炉”——无容器材料实验柜，正施展着堪比神话的“硬核”本领：以“悬浮术”和“三昧真火”将钨合金加热至3100摄氏度以上，创造世界纪录。“仙丹”的诞生——材料研究路径图（从材料科学的角度，展示了从实验到应用的完整路径，体现了这项工作的终极价值。这些‘硬核’数据，最终将转化为我们火箭发动机的‘心脏’和宇宙飞船的‘铠甲’，让人类的深空探索走得更远。’的角色，位于主功率链路的起点，负责将空间站的电源进行高效转换，为后续的激光和悬浮提供‘弹药’。

2025-10-20 17:03:00 368

原创 BOOST的VIN与VOUT接近会怎么样？

②当 0.85×VOUT ≤ VIN < VOUT（VIN 接近 VOUT），进入LDO模式１，先通过 BOOST 将 LDO 输入电压（V_LDO）设为 VOUT+2V（保证 2V 压差），再经 LDO 降压到 VOUT，稳定输出；在这个拓扑中，相较于传统的同步BOOST，它多了一个MOS管和一个电容，其实就是相当于一个LDO，当VIN太接近甚至高于VOUT时，进入LDO模式维持想要的VOUT电压.当 BOOST 芯片的 VIN 与 VOUT 非常接近时，会出现什么情况？

2025-10-17 17:09:15 447

原创为什么全桥电路更适合用超结MOS？

全桥电路是常用电子电路，由 4 个开关管（多为 MOS 管）和负载组成，能将直流电转交流电，广泛用于开关电源、变频器、电动汽车等电力电子领域，核心是通过控制开关管通断改变电源与负载的电压极性，实现负载驱动。超结 MOS 已广泛用于全桥电路，如电动汽车逆变器（提升效率与性能）、通信电源、便携式储能电源（满足高效率、高功率密度、高可靠性需求）。下半周期：Q2、Q3 闭合，Q1、Q4 断开，电流从电源正极经 Q3 到负载，再经 Q2 回电源负极，以此实现直流转交流。二、全桥电路对 MOS 管的需求。

2025-10-15 17:20:09 212

原创为什么MOS管G-S极要并电阻？

驱动电路失效（如芯片未工作、输出高阻态）时，D-S 间电压会通过米勒电容（Cgd）给 G-S 电容（Cgs）充电，若栅极电压（Vgs）超过阈值（Vth），MOS 管会意外导通，可能烧毁器件。常规推荐 5–20kΩ（常见 5kΩ、10kΩ），高静电或高噪声环境可选更小阻值。当驱动信号消失（如前级开路），电阻将栅极电位固定为源极电平（Vgs=0），避免因电荷残留导致关断延迟或半导通状态。在MOS管G极和S极两端并联一个几K的电阻，常称下拉电阻或泄放电阻，那么这个电阻有什么作用呢？2.避免误触发和误导通。

2025-10-11 17:47:54 402

原创全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101

VBGQTA1101采用的TOLT封装，通过将散热路径与电流传输路径分离，彻底解决了传统封装中热管理与电气性能相互制约的痛点：- 热阻大幅降低90%，整体耗散功率提升超90%，轻松应对415A大电流、100V高压的严苛工况；- 结区到散热器热阻降低20%以上，即使在FR4标准PCB板上，也能显著降低电路板温度；- 顶部直连散热器，消除PCB焊料热阻，为工程师提供"更高功率输出"或"更省冷却成本"的灵活选择。

2025-10-10 17:09:00 504

原创防电流反灌？试试这个 “零压降” 二极管电路！

正常工作时（VCC_IN > VCC_OUT），Q16.1 因发射极电压高、基极接地而导通，基极电压被钳位为 VCC_IN-0.7V；PMOS 管 Q15 栅极被拉低，Vgs < 0，完全导通，电流从 VCC_IN 流向 VCC_OUT，压降仅 0.1V 左右。能自动检测电压差切换状态，反向泄漏电流近乎零，还能防电源反接、负载倒灌。其中 Q15（PMOS 管）是主功率开关，Q16.1 和 Q16.2（PNP 对管）负责电压检测与控制，电阻则用于稳定三极管工作点、控制 MOS 管栅极电压。

2025-09-30 16:45:37 152

原创养生壶爆炸事件背后的MOSFET选型思考

一岁孩童全身40%烫伤，养生壶突然爆炸的事故令人痛心。济南一名网民称，家中使用的养生壶突然爆炸，崩出的碎玻璃砸中一岁孩子，热水造成孩子全身40%大面积烫伤。这起事故不仅是一个家庭悲剧，更为整个小家电行业敲响了警钟。作为MOSFET厂家，我们深知功率半导体器件作为养生壶等小家电的“心脏”，其选型与可靠性直接关系到用户安全。本文将深入分析养生壶的电路结构，并探讨MOSFET选型如何成为产品安全设计的关键环节。

2025-09-28 18:04:37 661

原创同步降压开关电源（Buck Converter）深度解析：从原理到工作细节

它利用半导体开关的高速通断，通过电感与电容的储能和释能，并辅以精密的反馈调节，高效地将较高的输入电压转换为稳定、洁净的较低输出电压。这种“化整为零、再积零为整”的能量传递方式，相比传统的线性稳压电源，大大减少了能量损耗（热量），实现了高效率的电能转换，成为了现代电子设备不可或缺的基石技术。了解了系统架构后，我们进一步“放大”时间轴，观察在一个高频开关周期内，电流与能量的具体变化。在这个阶段，电感将之前在导通阶段储存的磁能重新转化为电能，释放给负载，像一个小型的"发电机"，确保负载电流的连续性。

2025-09-26 17:37:39 642

原创风扇的高低压MOS开关电路设计，怎么选?

以控制制冷片为例，其工作原理如下：当 NMOS 管导通时，PMOS 的 G 极被拉至地，此时 Vgs≈-12V，PMOS 导通，制冷片工作；当 NMOS 管关断时，PMOS 的 G 极被上拉至12V，此时 Vgs≈0V，PMOS关断，制冷片停止工作。不过在高压电路（>36V）中，为提升安全性，通常像家用电器控制火线那样，选择控制负载的正极，这时就需要用到 PMOS 管。当IO口输出高电平时，MOS管的G极电压高于S极将近3.3V，此时D极和S极导通。G 极电压接近 0V，MOS 管关断，风扇停止。

2025-09-26 17:17:42 158

原创保时捷无线充电系统模块分解与MOSFET分析

需通过高精度电流采样电路与自适应检测算法实现金属异物识别（FOD）与活体保护（LFD），建议使用DFN3x3封装的低栅极电荷MOSFET以减小开关噪声对检测电路的干扰。需通过CAN FD或以太网通信协议实现毫秒级数据传输，选用AEC-Q101认证的MOSFET并增加屏蔽罩与RC吸收电路，确保在车辆复杂电磁环境中的通信完整性。元件（如高频电容、磁材）、控制芯片和精密的机械结构（如自动对齐、悬架控制）。通过与车载端通信（如蓝牙/Wi-Fi），调节输出功率，实现恒流/恒压充电。

2025-09-19 17:51:54 830

原创简单实用的电源开关方案？NMOS低侧驱动了解下？

因为 NMOS 的 GS 极间阻值极高（达 M 欧以上）且存在结电容，若没有此电阻，GS 极间电荷难以释放，控制信号移除后 NMOS 可能仍维持导通，导致负载无法及时停机。并联泄放电阻后，结电容可通过电阻快速放电，使 Vgs 在控制信号移除后迅速降至 0，确保 NMOS 及时截止。它不仅结构简单、用起来方便，还因同价位 NMOS 的性能（开通速度、额定电流、导通内阻）比 PMOS 更优，但并非适用于所有电路，可能对部分电路工作产生影响。当CONTROL电平为低时，Vgs=0，MOS管关断，负载停机。

2025-09-17 17:03:18 276

原创从西蓝花联想到MOSFET在智能农业中的应用：突破季节性限制的技术革命

随着物联网和人工智能技术在农业中的进一步应用，作为基础执行器件的MOSFET将面临更高的性能要求：更低的开关损耗、更高的集成度和更强的鲁棒性。其中，环境调控系统的精确性成为全年化生产的核心保障，而该系统的可靠性直接取决于其底层电子控制模块的性能。在内的该系列器件，均通过了JEDEC MSL1湿度敏感等级认证，并成功完成了1000小时高温高湿（85℃/85%RH）可靠性测试，充分验证了其在高湿环境下的长期防腐蚀与稳定运行能力，完美契合现代农业设施对功率器件高可靠性与环境适应性的严苛要求。

2025-09-16 14:04:05 893

原创 2025年高端微型逆变器技术趋势与MOS管应用详解

常用拓扑举例是Buck-Boost电路，MOS管工作特点是高频开关，用于充放电控制。随着材料技术（如GaN、SiC的进一步成熟和成本下降）和封装技术（如双芯片封装、模块化集成）的进步，MOS管乃至整个功率变换系统的性能还将持续提升，成本有望进一步降低。通过采用高频化（GaN、SiC助力）、磁集成技术（如将多个电感集成到一个磁芯中）和紧凑封装，微型逆变器的体积将进一步缩小，重量更轻，便于安装。），降低系统成本（BOM成本优化），提高功率密度（体积更小巧），并增强系统可靠性（元件数量减少，故障点相应减少）。

2025-09-15 17:13:43 1062

原创如何用MOS管设计稳定的LED驱动电路？

假设 U+=2V，三极管导通需基极电压为 2V+0.7V（发射结导通压降）=2.7V，即运放输出电压需≥2.7V。工作流程：当负载的电流变小时，R41分压变小，U-减小，U+-U-增大，Ube变大，be处电阻可以等效看为二极管的内阻曲线，Rbe减小工作电流变大，U-变大，电流变大。若为正反馈，运放则工作在饱和区，仅满足 “虚断”，输出接近电源电压。运算放大器工作曲线图如图，当运放存在负反馈，即U+与U-的差值很小，从运放输出端假设为 “+”，沿回路传递后回到输入端变为 “-”，

2025-09-12 17:07:18 435

原创 H桥自举电路如何突破电压限制？

导通时，U9 导通后，NET4（源极）电压升至 VCC，由于电容电压差不变（仍为 3.3V），电容靠近栅极一端的电压被抬升至 VCC+3.3V，此时 VGS = (VCC+3.3V) - VCC = 3.3V，满足导通条件。但当 U9 导通后，NET4（源极）电压会升至 VCC，若 VCC 为高电压，栅极电压可能无法继续高于源极，导致管子截止。简言之，自举电路通过电容 "电压差不变" 的特性，在高端 MOS 管源极电压升高时，同步抬高栅极电压，确保 VGS 始终满足导通条件。那怎么解决这个问题呢？

2025-09-10 16:26:49 321

原创一种经典的软硬件结合一键开关机电路

MCU 启动后，GPIO-Out 输出 5V，使三极管 Q2 饱和导通，将 Q1 的 G 极拉至 0V，此时 Vgs=5V，维持 Q1 导通。0.3V是二极管D1的导通压降。Q1 的 G 极维持 0V，Vgs=5V，VCC 持续输出 5V，系统保持开机。可以看出，关机状态下，电路没有形成任何回路，没有产生电流，关机功耗为0。，VCC 输出 0V，MCU 断电，电路回归 0 功耗的关机状态。② 按键SW1被按下后，GPIO-In由5V被拉到0.3V，③按键SW1松开后，Q1的g极变为5V，Q1关闭。

2025-09-05 17:29:48 317 1

原创为什么NMOS管的负载在电源端？而PMOS管的负载在接地端？

若负载接在电源端，此时源极（S）接地，栅极（G）的电压只需相对于地达到 5V，就能满足导通条件 —— 负载的压降不会影响 Vgs，无论负载阻抗如何变化（比如蜂鸣器压降从 1V 变为 1.2V），只要 G 极电压≥5V（不超额定值），管子就能稳定导通。若负载阻抗变大（压降 1.2V），则需 6.2V 才能导通，一旦输入电压不足，管子就无法正常工作。若负载接在接地端，源极接电源，此时 G 极电压降低时，S 与 G 的压差更容易达到导通阈值，负载压降不会干扰这一条件。而PMOS管的负载在接地端？

2025-09-03 16:31:54 338

原创 ELEXCON2025前瞻：在VBsemi展厅触摸“会呼吸的MOSFET“与AI情感觉醒现场

作为国内功率半导体领军企业，VBsemi（微碧半导体）的第三代器件方案，正在为情感机器人构建兼具 99.7% 能效与 0.1mm 级精度的 "硬件情感引擎"，将冰冷的硅基材料转化为机器灵魂的律动载体。当 VBsemi 的 VBGQA1405 让机器人发出带着哽咽的安慰时，当 VBGQA1602 精确控制嘴角上扬的弧度时，功率半导体已不再是冷冰冰的物理元件 —— 它们正在成为机器 "情感 DNA" 的碱基对。选择正确的 MOSFET 是为机器灵魂定调，而这场展会，正是聆听这种 "心跳节奏" 的最佳现场。

2025-08-21 09:30:00 1266

原创 ELEXCON 2025首发：VBsemi AI眼镜MOSFET全栈方案——让14亿台预测照进现实

全球消费电子正经历由端侧AI硬件驱动的结构性升级。预测显示，2025年AI眼镜销量将突破350万台（同比+230%），2035年有望达14亿台级别，体量接近智能手机。端侧大模型（如通义千问、文心一言）+ 轻量化AR/显示，使眼镜具备多模态交互与全天候佩戴的基础条件；阿里、华为、小米、百度、腾讯、360 等集中上新，行业共识快速形成——“显示，是AI眼镜的差异化关键”；从实时翻译/会议纪要到运动健康/工业巡检，AI眼镜正从“单一卖点”转向“通用智能终端”，然而，硬件端仍面临严峻挑战！

2025-08-20 16:47:19 932

原创微碧半导体邀您共赴 elexcon2025 深圳国际电子展之约

聚焦电子科技前沿的行业盛会 — elexcon2025 深圳国际电子展，将于 8 月 26 日 - 28 日在深圳会展中心（福田）盛大启幕。本届展会汇聚全球电子产业创新力量，覆盖半导体、功率器件、智能硬件等核心领域，搭建从技术研发到产业应用的高效对接平台。作为深耕功率器件领域的国家级高新技术企业，微碧半导体（VBsemi）将携全系列核心产品亮相展位，诚邀业界同仁莅临交流，共探行业新机遇！

2025-08-18 18:08:59 439

原创四种MOS管高低端驱动电路怎么选？

采用双 NMOS 半桥方案，成本低且自带自举升压电路，适配高压驱动；直接驱动 NMOS 仅适用于低端驱动（R1 为负载），5V PWM 波能满足其 Vgs 高于 4V 的导通要求，但 3.3V 单片机驱动时可能因 Vgs 不足导致 MOS 导通不充分，引发发热严重、负载电压异常等问题。作为共射极放大电路可放大驱动电流（不放大电压），加速栅极寄生电容充放电以提升开关速度，适用于 NMOS 低端驱动，能解决单片机直接驱动时电流不足、开关慢、MOS 发热的问题，增强驱动能力。

2025-08-15 17:42:20 324

原创 2025功率电子新格局：VBsemi在电机与电池管理MOSFET的系统级布局

无论是高速运转的多电机协作平台，还是承载数百千瓦能量流的动力电池系统，MOSFET的选型与架构都直接决定了产品的性能上限。VBsemi正以低损耗、高可靠性与模块化设计，在电机驱动、消费级BMS、动力BMS三大领域建立完整的技术壁垒与产品矩阵——不仅是做出更好的MOSFET，而是让每一瓦能量都发挥到极致。VBsemi，凭借低RDS(on)、高可靠性与系统级协同设计，在电机驱动、消费级BMS、动力BMS三大关键模块同时发力，试图在功率电子新格局中占据一席之地。高脉冲承受力（>200A），热阻0.8℃/W。

2025-08-14 17:54:55 746

原创泄放电阻如何避免MOS管烧毁？

其工作特点是：电路正常通电时基本不工作，仅在断电后短时间内快速泄放电容 C1 的残留电荷。电路中泄放电阻是并联在储能元器件两端的电阻，为储能元件提供小电流通路，通过释放残留能量保障电路安全。栅极等效电容内部存储的电荷通过R2回路迅速放电，避免了上述现象的出现，达到了防止烧坏MOS管的目的。在这个MOS管栅极泄放电阻电路中，R2为泄放电阻，它接在MOS管VT3栅极与源极之间。栅极等效电容所充电荷没有放电回路，使MOS管栅极电场仍能够保持较长时间，电路中的MOS管工作在开关状态下，接入泄放电阻 R2 后。

2025-08-13 17:43:30 231

原创高端MOS为什么要自举电路？

XFG1信号发送器低电平时，Q2关闭，Q1的b极没有回路，Q1关闭，这时Q4的b极有R3这个回路，所以Q4导通，MOS的G极放电。，Q2导通，给Q1的b极提供回路，Q1导通，经过D2和R2给MOS进行充电（Q4的b极是高电平，因为R3流过电流形成压降，所以Q4也是关闭的）。自举电路可稳定为 MOS 管提供合格驱动电压，解决高端 MOS 驱动难题。，即使该电压超过电源电压，也能保证 MOS 管低导通电阻工作。，绿色为MOS的G极到S极的波形，红色是MOS的S到地的波形。在不是低压MOS中，一般。

2025-08-08 17:46:31 567

原创 IO 控制与 NMOS 控制PMOS开关电路有什么区别？

当 PWR_CON 为高电平的时候，NMOS 导通，PMOS 的栅极被拉低到低电平，PMOS 导通，VCC_OUT 有电压输出；反之，当 PWR_CON 为低电平时，NMOS 关断，从而使 PMOS 也断开，这样就完成了 VCC_IN 输出电压到 VCC_OUT 的控制。当控制端为低电平时，PMOS 导通，VCC_OUT 有电压输出，且VCC_IN ≈ VCC_OUT。进一步地，上图的电路可以扩展为下图，可通过 NMOS 间接控制 PMOS。当控制端为高电平时，PMOS 断开，VCC_OUT 无电压输出；

2025-08-01 17:41:54 284

原创别让过冲烧了你的MCU！LDO在上电时电压过冲怎么办？

LDO 上电过冲的本质是ESR 过小导致的反馈调节失衡，通过合理调整输出电容的 ESR 或选择适配型号，可有效解决这一问题，保障电路在瞬态和稳态下的稳定性。

2025-07-30 17:36:09 599

原创突破功率密度极限！DFN8(5x6) 200V SGT MOSFET VBGQA1202N

"市场上200V SGT MOSFET几乎都被限制在较大封装中，"微碧半导体功率器件产品总监吴工表示，"这导致许多AI创新设计在功率密度上妥协，或者在散热设计上付出额外代价。"在5x6mm封装内实现200V/50A的性能，这在半年前还被认为是不可能的，"业内知名电源设计专家王教授评价道，"微碧半导体这次突破，将改变AI硬件设计的基本规则。"在最新一代AI加速卡设计中，电源模块面积常常超过计算单元本身，"某头部AI硬件厂商首席工程师透露，"采用。

2025-07-28 17:26:50 497

原创 2025--AI智能眼镜与AI眼镜充电仓MOSFET选型参数分析与推荐

当前全球消费电子产业正经历由端侧AI硬件引领的变革浪潮。据权威数据预测，2025年全球AI眼镜销量将突破350万台（同比增长230%），2035年市场规模有望达14亿台，与智能手机相当。端侧大模型（如通义千问、文心一言）与轻量化AR显示方案的融合，使AI眼镜兼具多模态交互与全天候佩戴特性；阿里、华为、小米、百度、腾讯、360等国内头部厂商密集发布新品，周鸿祎更在互联网大会强调“显示功能是AI眼镜差异化关键”；

2025-07-25 17:23:34 767

原创三极管与射频MOS管的恒流电路如何实现恒流？

这个恒流电路由两个 PNP 三极管、四个电阻（R55、R56、R57、R58）组成，还有三个电容（C96、C97、C98）用于射频去耦，电阻 R59 起限流作用，U3 是增强型射频 MOS 管。再看 Q7、R55、U3、R59、R58 组成的回路，已知 Q7 基极电压 2V，BE 极压降 0.8V，所以 Q7 射极电压 2.8V，流经 R55 的电流是 0.0111A。其值由 R55、Q7、R58、U3 回路的电流分配平衡决定，随 MOS 管不同在 0~2.8V 间变化。Q7集电极电压等于射极电压。

2025-07-23 17:39:37 521

RQJ0458FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0452FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0450FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0457FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0456FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0454FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0453FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0451FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0459FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0455FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0419FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0418FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0417FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0416FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0415FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0414FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0413FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0412FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0411FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23