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RSS订阅原创 Altium Design规则导出/导入
本文介绍了PCB规则导出操作：通过Design→Rules→Export Rules全选导出规则文件，并附有完整操作截图指引。该系列文章为电子设计工程师提供了Altium Designer软件的高效使用技巧，涵盖从基础操作到高级功能的实用指南。
2025-12-10 13:12:06
348
原创 AD layout更改走线网络颜色
重点讲解了在AD24.9.1版本中更改PCB走线网络颜色的方法：通过PCB面板选择目标网络，右键更改颜色即可。该系列文章为PCB设计人员提供了从基础操作到高级功能的实用指南，帮助提升设计效率。
2025-12-10 13:10:06
184
原创 AD导入结构dwg文件进行layout步骤
本文介绍了在PCB设计软件中导入DWG文件的步骤：首先设置原点坐标，切换单位为毫米（mm）以匹配图纸单位，最后将板框转换为Keep-Out层。通过图文展示了关键操作界面，帮助用户快速完成结构文件的导入与设置。
2025-12-07 10:39:04
274
原创 AEC-Q车规认证
AEC-Q是汽车电子元器件可靠性测试标准，由美国汽车电子委员会制定，被全球车企及供应商广泛采用。主要标准包括AEC-Q100（集成电路）、AEC-Q200（无源元件）等，针对不同元器件类型。标准按工作温度分为4个等级（Grade 0至Grade 3），其中Grade 0（-40°C~+150°C）适用于发动机舱等最严苛环境，而Grade 3（-40°C~+85°C）通常不被视为真正的汽车级。该认证旨在确保元器件能承受汽车极端环境并在整个生命周期保持高可靠性。
2025-12-07 10:33:16
319
原创 低侧单向电流检测电路
本文介绍了低侧单向电流检测电路的设计与仿真。该电路可将0~1A负载电流转换为0~5V电压输出，通过采样电阻（100mΩ）和同相放大电路（放大倍数50）实现。文章详细推导了输出电压公式，并提供了Multisim仿真结果验证电路性能。此外，还列举了相关模电系列文章目录，涵盖三极管、MOSFET、运放等多种电路分析内容。
2025-10-21 21:59:54
767
原创 微分运算电路（波形转换电路）
摘要 本文介绍了微分器电路的基本原理、实用改进方案及Multisim仿真应用。基本微分器电路通过虚短虚断分析得出输出电压与输入电压变化率成正比的关系。针对基本电路存在的阻塞和自激振荡问题，提出了串联限流电阻、并联稳压管和小电容的实用改进方案。通过Multisim 14.0仿真验证了微分器在波形转换中的三种典型应用：三角波变方波、正弦波移相（变余弦波）以及方波变脉冲输出。文章还提供了相关模电系列文章的目录链接。
2025-10-21 21:57:17
1069
原创 积分器电路（波形转换电路）
本文介绍了积分器电路的工作原理及仿真应用。积分器通过反相放大结构实现输入信号的积分运算，输出与输入信号呈反相关系。理论分析推导了积分运算公式，并通过Multisim仿真验证了三种典型波形转换效果：方波转三角波、正弦波转余弦波、三角波转正弦波，其中详细推导了方波转三角波的电压计算公式，仿真结果与理论值（峰值14.706V）相符。文章还提供了相关模电系列文章的扩展阅读目录，涵盖三极管、运放、差分放大等电路专题。
2025-10-12 18:33:30
1095
原创 带偏置的三级运放仪表放大电路与仿真
介绍了使用两个跟随器增大输入电阻，再经过差分运放放大。可在其基础上增加偏置电压。仪表放大电路可以检测微小信号放大，具有高输入电阻和高共模抑制的优点，但相比。仿真软件：multium 14.0。仿真软件：multium 14.0。该电路能有效抑制共模信号，当u。，多了一个运放，成本更高。
2025-10-12 18:29:42
852
原创 Altium Desiner常用快捷键
本文总结了Altium Designer软件的原理图和PCB设计专用快捷键。原理图部分包括元件放置(P+P)、导线绘制(P+W)、网络标签(P+N)等操作快捷键；PCB部分涵盖布线(P+T)、过孔放置(P+V)、铺铜(P+G)等布局工具，以及测量(Ctrl+M)、对齐(Ctrl+L)和视图控制(L)等功能。还介绍了3D模式下的视图操作快捷键，如3D/2D视图切换(3/2)、板子翻转(V+B)等。这些快捷键能显著提高电子设计效率，建议设计师熟练掌握。
2025-10-08 01:46:40
783
原创 Altium Designer利用IPC快速创建封装
本文介绍使用Altium Designer 21.0.8创建SOP8封装的完整流程：1）通过Tools菜单启动IPC封装向导；2）输入器件尺寸参数；3）可选添加底部焊盘；4）根据PCB密度选择封装等级（默认Level B）；5）系统自动生成封装名称（可修改）；6）指定封装保存路径。配有详细操作截图，指导用户逐步完成标准化封装创建。
2025-10-08 01:46:12
136
原创 Altium Desinger阵列式粘贴使用
本文介绍了PCB设计中阵列式粘贴管脚的操作方法：首先选中"管脚1"并复制，进入编辑菜单选择阵列式粘贴功能，设置参数后点击生成。关键参数包括：对象数量（复制数量）、主增量（管脚编号增量）、次增量（名称增量）以及间距（正值为从下往上排列，负值为从上往下）。通过该功能可快速批量生成间距均匀、编号连续的标准管脚阵列，提高设计效率。附操作示意图直观展示参数设置与生成效果。
2025-10-07 17:43:03
279
原创 Altium Designer元器件NAME从竖向改为横向
本文介绍了电子元器件NAME横向放置的优化方法。通过将元器件名称横向排列，不仅可以提升美观度，还能减小原理图占位空间。具体操作步骤为：双击元器件管脚，进入Font Settings设置界面，选择NAME选项，在Custom Position中将orientation参数调整为90°即可实现名称横向显示。该方法简单易行，能有效优化原理图布局。
2025-10-07 17:33:19
245
1
原创 三级运放仪表放大电路与仿真
本文介绍了两种基于运算放大器的差分放大电路设计。三级运放差分放大电路通过两个跟随器增大输入电阻，再经差分运放放大，输出电压公式为u_o=(R_f/R)(u_I2-u_I1)。仿真验证了其放大功能。三级运放仪表放大电路采用两个同相输入运放和一个差分运放，具有高输入电阻和共模抑制能力，输出电压公式为u_o=(R_f/R)(1+2R1/R2)(u_I2-u_I1)。仿真结果表明其能有效放大微小差分信号并抑制共模干扰。相比单运放差分电路，这两种设计提高了输入阻抗，但增加了运放数量。文章还提供了相关电路仿真结果和参数
2025-09-29 22:26:27
835
原创 带偏置的可调高输入电阻的差分放大电路与仿真
本文介绍了带偏置的高输入电阻差分放大电路及其仿真分析。电路由两个运放组成，A1采用同相运放结构，A2利用叠加定理实现差分放大。当电阻匹配时，输出电压表达式为uₒ=(1+Rf2/R₃)(uI2-uI1)+Vref，输入电阻为无穷大。通过Multisim仿真验证了理论计算结果。此外，文章还提出了可调高输入电阻差分放大电路方案，通过调整Rg电阻可灵活改变放大倍数，Rg越小放大倍数越大。仿真结果显示，当Rg=20kΩ时输出电压为12V，与理论计算一致。该电路结构适用于需要高输入阻抗和可调增益的差分信号处理场景。
2025-09-29 22:24:20
674
原创 可调高输入电阻的差分放大电路与仿真
本文介绍了一种高输入电阻的差分放大电路及其可调版本的设计与仿真。文章首先分析了由两个运放构成的高输入电阻差分放大电路的工作原理，推导出输出电压公式uo=(1+Rf2/R3)(uI2-uI1)。通过Multisim仿真验证了理论计算结果的正确性。随后提出了一种加入可调电阻Rg的改进电路，通过调整Rg可以灵活控制放大倍数，并给出了输出电压计算公式uo=(1+Rf2/R3+2Rf2/Rg)(uI2-uI1)。最后通过仿真展示了不同Rg值对输出电压的影响，验证了该电路具有良好的可调性和高输入阻抗特性。
2025-09-28 12:51:50
1399
原创 差分放大电路与仿真
本文介绍了差分放大电路的原理分析及仿真验证。通过叠加定理，推导出差分放大电路的输出电压公式uo=(Rf/R)(uI2-uI1)。文章指出单个运放存在电阻调整不便和输入电阻小的缺点，并提出采用两个同相运放或跟随器的改进方案。仿真部分展示了差分放大电路的实际波形图。本文属于作者模电系列文章之一，同时推荐了相关技术文章，包括三极管特性、LDO工作原理、镜像电流源等内容。
2025-09-28 12:49:34
954
原创 加减放大电路与仿真
本文介绍了运算放大器的三种基本运算电路：反相求和、同相求和及加减放大电路。通过虚短和虚断原理推导出各电路的输出电压公式，并利用Multisim软件进行仿真验证。反相求和电路输出与输入极性相反；同相求和电路输出与输入同相；加减电路则可实现多信号的综合运算。文章提供了详细的电路分析、计算公式和仿真结果，为模拟电路设计提供了实用参考。
2025-09-27 14:33:00
1007
原创 同相放大器电路与仿真
本文介绍了同相放大电路的工作原理及其仿真实验。同相放大电路具有高输入电阻和低输出电阻的特点，输出电压公式为u_o=(1+R_f/R)u_I。文章使用Multisim 14.0进行了电路仿真验证，并附上了相关仿真结果图。作为系列文章的一部分，本文还提供了前导和后续文章的链接，包括反相放大电路、加减运放电路等内容，以及线性稳压电源、LDO工作原理等其他相关主题文章。
2025-09-27 14:30:35
1053
原创 反相放大器电路和T形网络反相放大电路与仿真
本文介绍了两种反相放大电路的分析与仿真。基本反相放大电路通过虚短虚断原理推导出输出电压公式，并分析其输入电阻特性；T形网络反相放大电路则通过节点电流方程推导输出电压表达式，相比基本电路能用较小电阻实现较大放大倍数。文中给出了两种电路的仿真示例，并比较了它们在相同放大倍数要求下的元件参数选择差异。文章还链接了电压跟随器、三极管放大电路等相关内容，构成完整的模电系列教程。
2025-09-10 20:47:27
1474
原创 电压跟随器（缓冲器）与仿真
本文介绍了运放电路中的虚短和虚断概念，重点分析了电压跟随器的原理与应用。电压跟随器利用虚短和虚断特性实现输出电压等于输入电压，具有高输入阻抗和低输出阻抗，能有效缓冲信号。文章通过仿真验证了电压跟随器的跟随特性，并指出其在驱动低阻抗负载、ADC和基准电压缓冲等场景中的实用价值。作为系列文章的一部分，本文还提供了相关模电知识的扩展阅读链接，涵盖三极管特性、电流源电路等内容。
2025-09-10 20:44:02
789
原创 运放保护电路
本文介绍了集成运放电路的三种常见保护措施：输入保护、输出保护和电源端保护。输入保护包括差模电压过大保护和共模电压过大保护；输出保护采用限流电阻和稳压管组成的限幅电路；电源端保护通过串联二极管实现。文章还提供了相关电路图，并链接了更多系列文章，涵盖了运放电路、三极管特性、电流源等模电基础知识。这些保护措施可有效防止运放因输入过压、输出短路或电源反接而损坏。
2025-09-09 17:26:22
623
原创 互补输出电路（推挽电路）与仿真
本文介绍了互补输出电路的基本原理和应用。互补输出电路利用NPN和PNP三极管的对称结构，通过交替导通实现双向信号跟随，提高驱动能力并减少功耗。文章分析了基本电路存在的交越失真问题，并提出了二极管偏置和Ube倍压电路两种消除失真的方法。同时介绍了CMOS互补输出电路的结构，并通过Multisim仿真验证了基本互补电路和改进后消除交越失真电路的实际效果。该电路在功率放大和信号完整性改善方面具有重要应用价值。
2025-09-09 17:24:55
2019
原创 电流源电路
本文系统介绍了模拟电路中常见的电流源电路及其工作原理。主要包括镜像电流源、比例电流源、微电流源、加射极输出器的电流源、威尔逊电流源和多路电流源等典型结构。文章详细分析了各电路的电流关系、温度补偿特性及设计方法，并指出求解输出电流的关键步骤：确定基准电流、建立电流关系、化简求解。这些电流源电路在集成运放中具有提供静态电流和作为有源负载的重要作用。
2025-09-08 23:10:46
1230
原创 米勒平台开通和关断过程分析
摘要：文章介绍了MOSFET中的米勒平台现象，即在开关过程中栅极电压暂时保持不变的平台区域。详细分析了米勒平台在开通和关断过程中的四个工作阶段，指出米勒效应会增加导通损耗。最后提出三种优化措施：选用Cgd较小的器件、提高驱动电流、增加缓冲电路。作为补充，文章还推荐了相关MOSFET特性的系列文章。全文通过图文结合的方式，系统阐述了米勒平台的产生机理及优化方法。
2025-09-08 23:08:47
1295
原创 差分放大电路的四种接法
本文系统分析了差分放大电路的四种接法及其特性。差分电路可分为双端/单端输入与双端/单端输出的组合形式，核心结构均为对称三极管。重点对比了四种接法的性能指标差异：双端输出时差模增益较大（Ad=-β(Rc//RL/2)/(Rb+rbe)），单端输出时增益减半；双端输出电阻为2Rc，单端输出为Rc；理想对称时共模抑制比KCMR无限大。单端输入时需考虑共模信号的影响，Re增大可提高共模抑制能力。文章通过等效电路和公式推导，阐明了不同接法在静态工作点、动态参数和抗干扰性能方面的特点。
2025-08-09 18:14:38
3282
原创 差分放大电路分析与仿真
本文主要探讨了差分放大电路及其在抑制温漂方面的应用。首先解释了零点漂移现象及其成因，温度变化是导致温漂的主要原因。随后介绍了三种抑制温漂的方法：选用低温漂元器件、温度补偿和差分放大电路。重点分析了差分放大电路的结构与工作原理，通过电路参数对称特性实现对共模信号的抑制，同时利用差模信号实现有效放大。文中详细推导了静态工作点计算、共模抑制原理和差模放大倍数的数学表达式，并指出实际应用中需注意电路参数不可能完全理想对称的局限性。
2025-08-09 18:05:42
1847
原创 集成运放电路组成及其各部分的作用
集成运放是一种用于模拟信号运算的集成电路，由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成。输入级采用差分放大电路抑制共模噪声，中间级提供高增益放大，输出级驱动负载，偏置电路确保各级稳定工作。集成运放具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益和差分输入特性，广泛应用于信号放大、滤波等电路。其工作区域分为线性区（放大）和非线性区（饱和），开环增益可达10^5以上。辅助电路包括失调调零和保护功能，使运放性能更稳定可靠。
2025-08-07 14:02:49
1523
原创 multium IV分析测量二极管的伏安特性曲线
本文介绍了利用IV分析仪测量二极管和三极管特性的方法。首先通过二极管伏安特性曲线说明正向电压达到开启电压UON时电流呈指数增长。随后详细演示了在Multisim中使用IV分析仪测量1N4148二极管特性的步骤，包括器件选择、参数设置等。最后指出该仪器同样适用于三极管输出特性测量，并配有相应接线示意图。全文以图文结合的方式，完整呈现了半导体器件特性测试的实用操作流程。
2025-08-07 14:01:26
737
原创 howland电流源电路与multium仿真
本文详细分析了豪兰德（Howland）电流源电路的工作原理。该电路是一种基于运算放大器的电压-电流转换器，能产生与输入电压成比例且与负载阻抗无关的输出电流。通过建立电路方程推导出当电阻满足R2/R1=R3/R4时，输出电流io=-UIN/R4的特性。文章还通过Multisim仿真验证了在R1-R4均为10kΩ条件下，电路能稳定输出200μA电流，不受负载变化影响。理论分析和仿真结果均表明，Howland电路在满足特定电阻比例关系时，可视为理想电流源。
2025-08-06 13:06:28
1663
原创 具有运放的可调稳压电路（过压保护电路）
本文介绍了一种基于运放的改进型线性稳压电路设计。通过在三极管稳压电路中引入运放深度负反馈，显著提高了输出电压的稳定性。电路采用同相放大结构，由稳压管提供基准电压，通过采样电阻网络实现精确电压调节。文章展示了两种电路方案：固定输出5V稳压电路和可调输出稳压电路，并利用Multisim 14.0进行仿真验证。仿真结果表明，改进后的电路能有效抑制负载变化引起的电压波动，且可调电路能通过电位器灵活设置输出电压。相比传统三极管稳压方案，该设计具有更好的稳定性和调节性能。
2025-08-06 12:48:47
1662
原创 三极管三种基本放大电路：共射、共集、共基放大电路
本文介绍了三极管三种基本放大电路的判别方法和工作原理。共射、共集、共基放大电路分别以发射极、集电极、基极作为输入输出回路的公共端。文章重点分析了共集和共基两种电路的静态和动态参数：共集电路（射极输出器）具有高输入电阻、低输出电阻和电压跟随特性；共基电路则表现出高频特性好、输入电阻低的特点。最后总结了三种电路的主要特性及应用场景：共射电路适合低频电压放大，共集电路常用于输入/输出级和功率放大，共基电路适用于宽频带放大。
2025-08-05 20:50:56
4117
原创 三极管基本放大电路静态及动态参数计算
摘要： 本文详细分析了三极管放大电路的静态工作点及其稳定性问题。静态工作点（Q点）的作用是确保三极管工作在放大区，避免信号失真，并为交流信号提供合适的直流偏置。文章介绍了直流通路与交流通路的分析方法，推导了静态工作点参数（IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ）和动态参数（电压放大倍数Au、输入/输出电阻）的计算公式。针对温度变化导致的Q点漂移问题，提出了分压式偏置电路结合发射极电阻Re的负反馈方法，以稳定Q点。最后，讨论了旁路电容Ce对动态参数的影响，并指出合理设计可减少温度对放大性能的干扰。
2025-08-05 20:44:43
2755
原创 绝缘栅极场效应管MOSFET特性
本文介绍了绝缘栅型场效应管（MOSFET）的结构与特性。MOSFET分为N沟道和P沟道两种类型，主要由栅极、源极、漏极和衬底构成。重点分析了N沟道MOSFET的特性曲线，包括可变电阻区（压控线性电阻特性）、恒流区（电流恒定）和夹断区（截止状态）。P沟道MOSFET特性与之类似但电压极性相反。文章还比较了MOSFET与三极管（BJT）工作区域的术语差异：MOSFET的饱和区对应BJT的放大区，可变电阻区对应BJT的饱和区。
2025-07-02 00:32:23
746
原创 三极管BJT特性及三个工作区域
本文介绍了三极管的输入输出特性曲线及其三个工作区域。输入特性曲线描述基极电流与发射结压降的关系，输出特性曲线展示集电极电流与电压的关系。三极管工作区分为截止区、饱和区和放大区，各有不同的电压电流特性和应用场景（如逻辑开关、音频放大）。温度升高会影响三极管性能，导致集电极电流增加和发射结压降下降。文章还指出三极管与MOSFET在工作区域术语上的差异，提醒读者注意区分。
2025-07-02 00:31:03
2249
原创 推挽电路工作原理及仿真
增加偏置后的推挽电路的每个三极管仅在半周内导通，其热稳定性不佳，当输出三极管升温时，Vbe下降，静态电流增加，产生的热量会使情况更糟糕，可能导致“热失控”。但在输入信号接近零时，两个晶体管的切换可能不完全同步，输入比输出少一个Vbe压降，存在交越失真（Crossover Distortion）。R8、R9：为临界静态电流提供缓冲保护，其电压越大，对温度灵敏度越小，Vbe的温度变化就不会引起其集电极电流的上升。负半周：当输入信号为负半周期时，PNP导通，NPN截止，电流从负载通过PNP流向地。
2025-05-23 14:06:18
2841
原创 MOSFET雪崩击穿
MOSFET在关断感性负载时，电感电流突变会产生高压尖峰，若超过漏源击穿电压（VDSS），可能引发雪崩击穿。某些MOSFET在特定条件下可安全吸收并耗散感性能量，这种能力称为雪崩能力。雪崩击穿过程中，漏极电压（VDS）可能超过VDSS，导致寄生二极管击穿，若电流过大，可能损坏MOSFET。关键参数包括单脉冲雪崩能量（EAS）、重复雪崩能量（EAR）、雪崩电流（IAS）和击穿电压（VBR）。雪崩能量可通过公式计算，需考虑电感值、漏极电流和电路工作电压。
2025-05-23 14:04:34
2507
原创 镜像电流源
经典双极型镜像电流源是通过匹配三极管（Q1和Q2的参数相同）的Vbe实现电流复制，将Q1的电流Ic1复制到Q2的负载电流上，实现Ic1=Iout。
2025-03-12 20:48:17
884
原创 multisim仿真搭建三极管开关电路，低电平（5V）控制高电平（12V）输出
低电平输入：当输入信号为低电平时（0V），三极管Q1处于截止状态。V1是可通过MCU I/O控制输出高低电平，V1输出低电平时，Q1、Q2关断，输出0V；V1输出高电平时，输出12V。Q2：PNP三极管，Q1导通时，Q2即导通。Q2导通时，处于饱和状态（11mV），输出电平几乎为12V。Q1：NPN三极管，VCE耐压值为45V可满足12V系统，Q1截止时，V。高电平输入：当输入信号为高电平时（5V），三极管Q1、Q2导通，U。通过三极管搭建电路，低电平（5V）控制高电平（12V）输出。
2024-12-31 17:45:00
2915
原创 三极管限流电路及仿真
工作原理：在电路正常工作状态下，Q1导通，Q2截止。电路中的电流能够稳定地供给负载，而不会触发限流保护。当电路中的电流增大到一定程度时，R1的压降会增大。当这个压降超过三极管Q1的基极-发射极导通电压（≈0.65V）时，Q1会开始导通，此时Icmax=正常工作状态下，Q1导通，Q2截止（Vbe=146mV
2024-12-08 15:40:30
2386
multium差分放大电路仿真.ms14
2025-08-09
multium仿真具有运放的稳压电源
2025-08-06
线性稳压电源：稳压管+NPN降压电路（12V降至5V）
2024-09-01
wilson镜像电流源
2025-03-23
multisim仿真搭建三极管开关电路，低电平（5V）控制高电平（12V）输出
2024-12-31
三极管搭建限流电路（NPN限流以及PNP限流电路）
2024-12-08
优化三极管搭建电流源（温度补偿及抑制Early效应）.zip
2024-09-12
晶体管恒流电路（multium仿真三极管搭建简易电流源）
2024-09-08
LDO设计仿真（PMOS LDO架构/NMOS LDO架构/NPN LDO架构/PNP LDO架构）
2024-08-27
倍压整流电路仿真（LTspice）
2024-03-27
可校正24小时制数字时钟
2021-01-03
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