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RSS订阅原创 高侧电流检测电路与仿真
本文设计了一款单电源高侧电流采样放大电路，实现50mA~1A电流到0.25V~5V电压的线性转换。通过选取100mΩ采样电阻与50倍差分放大倍数，结合精密匹配的反馈电阻（R2=R4=50.5kΩ，R3=R5=1.01kΩ），确保在36V共模电压下稳定工作。重点分析了电阻不匹配对共模抑制比（CMRR）的影响，指出其会导致共模信号泄露，引入输出误差，强调高精度电阻匹配对提升电路抗干扰能力的关键作用。
2026-11-03 17:18:54
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原创 LTspice 导入第三方 Spice 模型实操
在LTspice中导入TI的OPA313 PSpice模型，需先从TI官网下载并解压.lib文件，确保与原理图同目录。打开.lib文件，定位至.SUBCKT OPA313行，右键生成符号（.asy），推荐复制至lib/sym/OpAmps永久入库。原理图中调用时确认器件值为OPA313，可选添加.lib opa313.lib指令以显式指定模型路径，提升复杂项目兼容性。
2026-11-03 16:40:45
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原创 单电源低侧双向电路检测电路与仿真
本文设计了一款基于单电源运放的低侧双向电流检测电路，将±1A电流转换为±100mV电压，经差分放大后以1.65V为基准，输出0.1V~3.2V，适配3.3V系统。通过计算确定放大倍数G=15.5，选用R1=R3=2kΩ、R2=R4=31kΩ，实现信号线性放大与电平偏移。仿真验证了瞬态、直流及交流特性：输出动态范围合理，频率响应在162.61kHz内稳定，穿越频率约97kHz，相位裕度充足，具备良好稳定性与实用性。
2026-10-28 20:19:17
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原创 无源晶振常见参数
本文系统介绍了晶振关键参数及其意义，涵盖标称频率、负载电容、频率容差、串联电阻、动态/静态电容、激励功率、绝缘电阻、老化率、拐点温度、牵引灵敏度等核心指标，全面评估晶振的精度、稳定性与可靠性。同时说明振荡模式（基频与泛音）对频率范围的影响，并列举常见封装形式，为选型与电路设计提供参考。
2026-10-28 20:17:29
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原创 霍尔传感器详解与无刷电机(BLDC)霍尔位置检测
霍尔传感器基于霍尔效应，将磁场变化转为电信号，可检测静态与动态磁场。主要分为开关型（单极、全极）、锁存型和线性型。锁存型霍尔用于无刷电机换向，三颗120°分布的霍尔可实现六步换相，精准定位转子位置。关键参数包括动作点、释放点、磁滞、灵敏度与温漂。实际应用中需注意气隙距离、装配角度及温度影响，确保系统稳定可靠。
2026-09-20 17:18:00
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原创 MOS 选型要点（九）：慢开快关不对称栅极驱动原理、取舍与工程设计要点
在功率电路中，采用MOS慢开快关的不对称栅极驱动可有效抑制EMI、防止桥臂直通。通过串联电阻实现慢开，降低di/dt，减少电压尖峰与浪涌；并联快恢复二极管实现快关，快速泄放栅电荷，避免米勒效应导致误导通，提升可靠性。需合理选型Rg与二极管，优化PCB布线，并在多管并联时采用独立驱动，确保开关同步与均流，兼顾EMC性能与温升控制。
2026-09-20 17:17:17
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原创 MOS 选型要点（八）：开通/关断过程与负载类型的关系
MOSFET开关过程受负载类型影响显著：阻性负载下电压与电流同步变化，开关损耗低；感性负载则因电流不可突变，导致开通时电流先于电压上升、关断时电压先于电流下降，形成显著的VDS与ID交叠，大幅增加开关损耗并引发电压尖峰，易引发电压过冲与击穿。需通过续流二极管、同步驱动或优化栅极驱动策略（如慢开快关）来抑制风险，保障电路稳定可靠。
2026-09-14 14:17:51
201
原创 MOS 选型要点（七）：体二极管反向恢复危害、尖峰成因与优化措施
本文详解MOSFET体二极管的反向恢复特性及其在桥式电路中的危害。重点分析体二极管正向电流、脉冲电流及反向恢复时间（trr）参数，揭示其在开关切换时因少数载流子电荷释放导致的反向恢复电流与电压尖峰问题。结合电机控制场景，说明高di/dt与杂散电感加剧风险。提出优化措施：增大栅极电阻抑制di/dt，优化PCB布局降低杂散电感，增设RC Snubber吸收电路以抑制振铃和尖峰，提升系统可靠性。
2026-09-14 14:15:00
201
原创 MOS 选型要点（六）：热阻定义与散热路径分析
本文系统阐述了功率器件热阻参数：Rth(j-a)（结到环境）、Rth(j-c)（结到外壳）及Rth(j-mb)（结到安装基板）的定义、测量方法与应用。指出Rth(j-a)}受封装与环境影响大，仅适用于同条件比较；Rth(j-c)反映传导热阻，常用于散热片评估；而Rth(j-mb)是功率MOSFET关键参数，强调底部散热路径优于顶部。因塑料顶部热阻高，普通封装顶部加散热器效果有限，底部裸焊盘与PCB布局优化才是高效散热的关键。
2026-09-13 17:14:07
222
原创 MOS 选型要点（五）：栅源电压VGS额定值、驱动条件、温度特性与 ESD 防护
VGS(Gate-Source Voltage)即栅源电压，是指施加在 MOSFET 栅极（Gate）与源极（Source）之间的电位差，它是控制 MOSFET 导通与关断的核心电参量。MOSFET 属于电压控制型器件，栅极通过一层极薄的氧化层（SiO₂）与沟道隔离，几乎没有直流电流流入栅极。栅极-源极之间可等效为一个电容（Ciss），因此VGS的本质是对栅极电容进行充放电，通过改变栅极电荷量来建立电场，进而控制沟道的形成与导电程度。
2026-09-13 17:12:06
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原创 MOS 选型要点（四）：阈值电压 VGS (th)、结电容与栅极电荷
阈值电压VGS(th)是MOS管导通的临界电压，决定沟道形成，实际应用中需VGS达2~4倍VGS(th)以充分导通。其具负温度系数，高温易误导通，低温需更高驱动电压。结电容（Ciss、Coss、Crss）非线性强，建议用栅极电荷QGS、QGD评估开关性能。QG影响驱动损耗，而QGD主导开关损耗，应优先关注。实测开关时间与规格书差异源于测试条件不同，宜结合实际参数设计驱动电路。
2026-09-12 21:44:09
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原创 MOS 选型要点（三）：脉冲漏极电流 IDM及限制因素
IDM是MOSFET在窄脉冲下允许的最大漏极峰值电流，受限于结温、键合线与塑封料热降解及输出特性。其值由瞬态热阻、脉冲宽度和散热条件决定，通常为连续电流ID的4倍左右，但封装限制时可能更高。实际应用中需综合考虑各限制因素，确保工作点不进入饱和区，避免瞬时功耗超标。最终取各限制条件的最小值，并结合结温估算以保障安全。
2026-09-12 21:41:51
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原创 MOS 选型要点（二）：导通电阻、漏源截止漏电流和栅极与源极之间的漏电流参数剖析
本文系统分析了MOSFET关键参数：导通电阻RDSon受结温与栅极电压影响，随温度升高而增大，VGS增至10V后趋于饱和；漏源截止漏电流IDSS为关断状态下的微弱漏流，受温度影响显著，呈指数增长；栅源漏电流IGSS反映栅极氧化层绝缘性能，理想值趋近于零，通常为nA至pA级。三者共同决定器件可靠性与能效表现。
2026-09-11 15:20:09
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原创 MOS 选型要点（一）：V (BR) DSS击穿耐压和漏极电流上限与工程计算
本文系统分析了MOSFET的关键电气参数：V(BR)DSS与漏极电流ID。V(BR)DSS具正温度系数，低温下耐压能力下降，需注意降额使用。ID受晶圆与封装双重限制：晶圆限流由结温、导通电阻及热阻决定，计算得理论值约131.76A（与规格书130A接近）；而封装限流（如键合线熔断、塑封料降解）通常为固定值，且常成为实际限制因素。以IPB017N10N5为例，其标称ID=180A受限于封装而非芯片，凸显封装对大电流承载的瓶颈作用。
2026-09-11 15:13:30
511
原创 PTC自恢复保险丝
PTC自恢复保险丝是一种智能过流保护元件，能在故障时自动切断电路（电阻急剧增大），故障消除后自动恢复（电阻回退）。其核心参数包括：保持电流(Ihold)、动作电流(Itrip)、耐压值(Vmax)、最大故障电流(Imax)、典型功耗(Pd)、初始电阻(Rmin)和动作后最大电阻(R1max)。动作电流通常为保持电流的2倍，具体工作温度需参考规格书。该元件具有自恢复特性，无需更换，广泛应用于电路保护领域。（149字）
2026-06-01 21:21:39
399
原创 PCB layout的过孔分类
本文介绍了PCB layout中过孔的分类与过流能力计算方法。过孔分为通孔、埋孔和盲孔三类，通孔最常用且成本低。过流能力计算基于IPC-2221标准，通过经验公式考虑横截面积和温升，其中过孔横截面积与钻孔直径和铜厚相关。举例计算0.3mm孔径、17.5um铜厚的过孔在10℃温升下安全载流量约为1.41A。该内容为PCB设计提供了过孔选型和电流承载能力评估的技术参考。
2026-06-01 21:21:11
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原创 影响电阻器ESD耐性的因素有哪些？
摘要： 电阻器的ESD耐性受阻值、尺寸和类型影响显著。低阻值电阻ESD耐性较强，阻值随电压上升；高阻值电阻耐性弱，阻值易下降。大尺寸电阻比小尺寸更耐ESD，抗浪涌型产品性能优于通用型。测试标准分系统级（如IEC 61000-4-2）和芯片级（如HBM、CDM），需根据应用场景选择。设计时应综合考虑阻值、尺寸及抗浪涌特性，确保电路稳定性。
2026-01-22 17:18:27
847
原创 表面贴装电阻器为何以端子部位温度作为功率降额基准
本文对比分析了引脚型和表面贴装电阻器的散热特性差异。引脚型电阻主要通过空气对流散热，适合以环境温度为降额基准；而表面贴装电阻90%以上热量通过端子传导至PCB板，端子温度能同时反映电阻自身发热和PCB热传导影响，是更精准的降额基准。端子部位尺寸大、易测量，且与内部热点的温差恒定，使基于端子温度的降额曲线具有通用性。因此，表面贴装电阻应采用端子温度作为降额基准，以准确评估其工作状态。
2026-01-22 17:17:41
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原创 ESD静电防护及TVS管选型
本文介绍了ESD（静电放电）的基本概念及测试设备，重点解析了TVS管的工作原理和关键参数。ESD测试采用IEC61000-4-2标准，通过ESD模拟器（静电枪）模拟人体放电模型。TVS管作为瞬态电压抑制器，能在异常过压时快速导通泄放电流，保护电路安全。文章详细说明了TVS管的主要参数：最大反向工作电压（VRWM）、漏电流（IR）、击穿电压（VBR）、钳位电压（VC）、峰值脉冲电流（IPP）和结电容（Cd），并强调了参数选型对电路保护的重要性。最后指出高速信号场景需特别关注TVS管的结电容影响。
2026-01-20 16:03:38
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原创 电容替代TVS管用于ESD静电防护
本文主要介绍了ESD静电放电抗扰的相关知识。首先阐述了ESD抗扰的定义及常见标准（IEC 61000-4-2和ISO 10605），详细列出了不通电和通电状态下的测试标准等级表。其次讲解了电容ESD防护原理，通过电荷守恒和能量转移来降低电压。接着给出了电容选型计算公式，并以15kV测试条件为例进行了计算。最后对比了单向和双向TVS管的工作原理及特性，并使用LTspice进行仿真。全文系统性地介绍了ESD防护的关键技术和方法。
2026-01-20 15:54:16
1104
原创 Altium Design规则导出/导入
本文介绍了PCB规则导出操作：通过Design→Rules→Export Rules全选导出规则文件，并附有完整操作截图指引。该系列文章为电子设计工程师提供了Altium Designer软件的高效使用技巧，涵盖从基础操作到高级功能的实用指南。
2025-12-10 13:12:06
648
原创 AD layout更改走线网络颜色
重点讲解了在AD24.9.1版本中更改PCB走线网络颜色的方法：通过PCB面板选择目标网络，右键更改颜色即可。该系列文章为PCB设计人员提供了从基础操作到高级功能的实用指南，帮助提升设计效率。
2025-12-10 13:10:06
784
原创 AD导入结构dwg文件进行layout步骤
本文介绍了在PCB设计软件中导入DWG文件的步骤：首先设置原点坐标，切换单位为毫米（mm）以匹配图纸单位，最后将板框转换为Keep-Out层。通过图文展示了关键操作界面，帮助用户快速完成结构文件的导入与设置。
2025-12-07 10:39:04
661
原创 AEC-Q车规认证
AEC-Q是汽车电子元器件可靠性测试标准，由美国汽车电子委员会制定，被全球车企及供应商广泛采用。主要标准包括AEC-Q100（集成电路）、AEC-Q200（无源元件）等，针对不同元器件类型。标准按工作温度分为4个等级（Grade 0至Grade 3），其中Grade 0（-40°C~+150°C）适用于发动机舱等最严苛环境，而Grade 3（-40°C~+85°C）通常不被视为真正的汽车级。该认证旨在确保元器件能承受汽车极端环境并在整个生命周期保持高可靠性。
2025-12-07 10:33:16
605
原创 低侧单向电流检测电路与仿真
本文介绍了低侧单向电流检测电路的设计与仿真。该电路可将0~1A负载电流转换为0~5V电压输出，通过采样电阻（100mΩ）和同相放大电路（放大倍数50）实现。文章详细推导了输出电压公式，并提供了Multisim仿真结果验证电路性能。此外，还列举了相关模电系列文章目录，涵盖三极管、MOSFET、运放等多种电路分析内容。
2025-10-21 21:59:54
1093
原创 微分运算电路（波形转换电路）
摘要 本文介绍了微分器电路的基本原理、实用改进方案及Multisim仿真应用。基本微分器电路通过虚短虚断分析得出输出电压与输入电压变化率成正比的关系。针对基本电路存在的阻塞和自激振荡问题，提出了串联限流电阻、并联稳压管和小电容的实用改进方案。通过Multisim 14.0仿真验证了微分器在波形转换中的三种典型应用：三角波变方波、正弦波移相（变余弦波）以及方波变脉冲输出。文章还提供了相关模电系列文章的目录链接。
2025-10-21 21:57:17
1431
原创 积分器电路（波形转换电路）
本文介绍了积分器电路的工作原理及仿真应用。积分器通过反相放大结构实现输入信号的积分运算，输出与输入信号呈反相关系。理论分析推导了积分运算公式，并通过Multisim仿真验证了三种典型波形转换效果：方波转三角波、正弦波转余弦波、三角波转正弦波，其中详细推导了方波转三角波的电压计算公式，仿真结果与理论值（峰值14.706V）相符。文章还提供了相关模电系列文章的扩展阅读目录，涵盖三极管、运放、差分放大等电路专题。
2025-10-12 18:33:30
2400
原创 带偏置的三级运放仪表放大电路与仿真
介绍了使用两个跟随器增大输入电阻，再经过差分运放放大。可在其基础上增加偏置电压。仪表放大电路可以检测微小信号放大，具有高输入电阻和高共模抑制的优点，但相比。仿真软件：multium 14.0。仿真软件：multium 14.0。该电路能有效抑制共模信号，当u。，多了一个运放，成本更高。
2025-10-12 18:29:42
1116
原创 Altium Desiner常用快捷键
本文总结了Altium Designer软件的原理图和PCB设计专用快捷键。原理图部分包括元件放置(P+P)、导线绘制(P+W)、网络标签(P+N)等操作快捷键；PCB部分涵盖布线(P+T)、过孔放置(P+V)、铺铜(P+G)等布局工具，以及测量(Ctrl+M)、对齐(Ctrl+L)和视图控制(L)等功能。还介绍了3D模式下的视图操作快捷键，如3D/2D视图切换(3/2)、板子翻转(V+B)等。这些快捷键能显著提高电子设计效率，建议设计师熟练掌握。
2025-10-08 01:46:40
1108
原创 Altium Designer利用IPC快速创建封装
本文介绍使用Altium Designer 21.0.8创建SOP8封装的完整流程：1）通过Tools菜单启动IPC封装向导；2）输入器件尺寸参数；3）可选添加底部焊盘；4）根据PCB密度选择封装等级（默认Level B）；5）系统自动生成封装名称（可修改）；6）指定封装保存路径。配有详细操作截图，指导用户逐步完成标准化封装创建。
2025-10-08 01:46:12
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原创 Altium Desinger阵列式粘贴使用
本文介绍了PCB设计中阵列式粘贴管脚的操作方法：首先选中"管脚1"并复制，进入编辑菜单选择阵列式粘贴功能，设置参数后点击生成。关键参数包括：对象数量（复制数量）、主增量（管脚编号增量）、次增量（名称增量）以及间距（正值为从下往上排列，负值为从上往下）。通过该功能可快速批量生成间距均匀、编号连续的标准管脚阵列，提高设计效率。附操作示意图直观展示参数设置与生成效果。
2025-10-07 17:43:03
467
原创 Altium Designer元器件NAME从竖向改为横向
本文介绍了电子元器件NAME横向放置的优化方法。通过将元器件名称横向排列，不仅可以提升美观度，还能减小原理图占位空间。具体操作步骤为：双击元器件管脚，进入Font Settings设置界面，选择NAME选项，在Custom Position中将orientation参数调整为90°即可实现名称横向显示。该方法简单易行，能有效优化原理图布局。
2025-10-07 17:33:19
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1
原创 三级运放仪表放大电路与仿真
本文介绍了两种基于运算放大器的差分放大电路设计。三级运放差分放大电路通过两个跟随器增大输入电阻，再经差分运放放大，输出电压公式为u_o=(R_f/R)(u_I2-u_I1)。仿真验证了其放大功能。三级运放仪表放大电路采用两个同相输入运放和一个差分运放，具有高输入电阻和共模抑制能力，输出电压公式为u_o=(R_f/R)(1+2R1/R2)(u_I2-u_I1)。仿真结果表明其能有效放大微小差分信号并抑制共模干扰。相比单运放差分电路，这两种设计提高了输入阻抗，但增加了运放数量。文章还提供了相关电路仿真结果和参数
2025-09-29 22:26:27
1204
原创 带偏置的可调高输入电阻的差分放大电路与仿真
本文介绍了带偏置的高输入电阻差分放大电路及其仿真分析。电路由两个运放组成，A1采用同相运放结构，A2利用叠加定理实现差分放大。当电阻匹配时，输出电压表达式为uₒ=(1+Rf2/R₃)(uI2-uI1)+Vref，输入电阻为无穷大。通过Multisim仿真验证了理论计算结果。此外，文章还提出了可调高输入电阻差分放大电路方案，通过调整Rg电阻可灵活改变放大倍数，Rg越小放大倍数越大。仿真结果显示，当Rg=20kΩ时输出电压为12V，与理论计算一致。该电路结构适用于需要高输入阻抗和可调增益的差分信号处理场景。
2025-09-29 22:24:20
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原创 可调高输入电阻的差分放大电路与仿真
本文介绍了一种高输入电阻的差分放大电路及其可调版本的设计与仿真。文章首先分析了由两个运放构成的高输入电阻差分放大电路的工作原理，推导出输出电压公式uo=(1+Rf2/R3)(uI2-uI1)。通过Multisim仿真验证了理论计算结果的正确性。随后提出了一种加入可调电阻Rg的改进电路，通过调整Rg可以灵活控制放大倍数，并给出了输出电压计算公式uo=(1+Rf2/R3+2Rf2/Rg)(uI2-uI1)。最后通过仿真展示了不同Rg值对输出电压的影响，验证了该电路具有良好的可调性和高输入阻抗特性。
2025-09-28 12:51:50
1754
原创 差分放大电路与仿真
本文介绍了差分放大电路的原理分析及仿真验证。通过叠加定理，推导出差分放大电路的输出电压公式uo=(Rf/R)(uI2-uI1)。文章指出单个运放存在电阻调整不便和输入电阻小的缺点，并提出采用两个同相运放或跟随器的改进方案。仿真部分展示了差分放大电路的实际波形图。本文属于作者模电系列文章之一，同时推荐了相关技术文章，包括三极管特性、LDO工作原理、镜像电流源等内容。
2025-09-28 12:49:34
1215
原创 加减放大电路与仿真
本文介绍了运算放大器的三种基本运算电路：反相求和、同相求和及加减放大电路。通过虚短和虚断原理推导出各电路的输出电压公式，并利用Multisim软件进行仿真验证。反相求和电路输出与输入极性相反；同相求和电路输出与输入同相；加减电路则可实现多信号的综合运算。文章提供了详细的电路分析、计算公式和仿真结果，为模拟电路设计提供了实用参考。
2025-09-27 14:33:00
1340
原创 同相放大器电路与仿真
本文介绍了同相放大电路的工作原理及其仿真实验。同相放大电路具有高输入电阻和低输出电阻的特点，输出电压公式为u_o=(1+R_f/R)u_I。文章使用Multisim 14.0进行了电路仿真验证，并附上了相关仿真结果图。作为系列文章的一部分，本文还提供了前导和后续文章的链接，包括反相放大电路、加减运放电路等内容，以及线性稳压电源、LDO工作原理等其他相关主题文章。
2025-09-27 14:30:35
1302
原创 反相放大器电路和T形网络反相放大电路与仿真
本文介绍了两种反相放大电路的分析与仿真。基本反相放大电路通过虚短虚断原理推导出输出电压公式，并分析其输入电阻特性；T形网络反相放大电路则通过节点电流方程推导输出电压表达式，相比基本电路能用较小电阻实现较大放大倍数。文中给出了两种电路的仿真示例，并比较了它们在相同放大倍数要求下的元件参数选择差异。文章还链接了电压跟随器、三极管放大电路等相关内容，构成完整的模电系列教程。
2025-09-10 20:47:27
1837
原创 电压跟随器（缓冲器）与仿真
本文介绍了运放电路中的虚短和虚断概念，重点分析了电压跟随器的原理与应用。电压跟随器利用虚短和虚断特性实现输出电压等于输入电压，具有高输入阻抗和低输出阻抗，能有效缓冲信号。文章通过仿真验证了电压跟随器的跟随特性，并指出其在驱动低阻抗负载、ADC和基准电压缓冲等场景中的实用价值。作为系列文章的一部分，本文还提供了相关模电知识的扩展阅读链接，涵盖三极管特性、电流源电路等内容。
2025-09-10 20:44:02
1303
multium差分放大电路仿真.ms14
2025-08-09
multium仿真具有运放的稳压电源
2025-08-06
线性稳压电源：稳压管+NPN降压电路（12V降至5V）
2024-09-01
wilson镜像电流源
2025-03-23
multisim仿真搭建三极管开关电路，低电平（5V）控制高电平（12V）输出
2024-12-31
三极管搭建限流电路（NPN限流以及PNP限流电路）
2024-12-08
优化三极管搭建电流源（温度补偿及抑制Early效应）.zip
2024-09-12
晶体管恒流电路（multium仿真三极管搭建简易电流源）
2024-09-08
LDO设计仿真（PMOS LDO架构/NMOS LDO架构/NPN LDO架构/PNP LDO架构）
2024-08-27
倍压整流电路仿真（LTspice）
2024-03-27
可校正24小时制数字时钟
2021-01-03
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