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传感器内部通常包含热释电元件，当人体进入传感器的监测范围时，由于人体与周围环境的温差，引起红外辐射场的变化，热释电元件随之产生微弱的电信号变化。其工作原理基于热释电效应，能够捕捉环境中红外辐射的变化，尤其是人体这样的温血动物所散发的红外辐射。智慧城市：PIR传感器在智能照明、人流统计、公共安全监控等方面的应用，为城市的高效管理和资源优化提供数据支持，推动智慧城市的发展。健康监护：在医疗和养老领域，PIR传感器也被用于非侵入式的患者活动监测，帮助医护人员及时响应患者的需要，同时保持他们的安全性。

引脚定义如下：1脚AD1、2脚按键GND、3脚按键、4脚AD2、5脚变阻器GND、6脚VCC。摇杆带动两个小电磁铁在线性霍尔传感器上移动来检测。引脚顺序、外观、尺寸都和碳膜摇杆相同。6脚，内部两个滑动变阻器，1个按键。拆开后内部有两个线性霍尔传感器。

音响系统关键组件与匹配要点 音响系统主要由声卡、功率放大器和扬声器组成。扬声器阻抗是重要参数，常见4Ω、8Ω和16Ω，随频率变化且影响功率需求。功率放大器负责信号放大，其性能指标包括输出功率、信噪比、频率响应和失真度等。系统匹配尤为关键：喇叭功率等于功放功率是最佳状态；专业系统中功放功率可比喇叭大2/3，但需谨慎操作以防损坏高音单元。阻抗不匹配会导致音质下降或设备损坏，因此必须确保组件间的兼容性。

电压监测与复位芯片的应用场景示意如下图， 当输入电压出现波动时，可能某些部分电源还是正常的，但是某些电源电压已经下降到该模块的最低工作电压以下，此时可能造成系统误动作等严重问题，而通过电压监测芯片，在输入电压降低到设定的阈值的，就输出复位信号使系统复位重新工作，这样电压波动就不会造成严重后果。

各类别电子元件剖视图-19｜视觉惊艳｜科普

FG： 风扇运转时， 转子的 N,S 极切换会产生高低电平变化， 转速越快， 电平变化也就越快， 从而可以。通过变化的频率来侦测风扇的转速。风扇输出电路为集电极开路模式，需要外部加上拉。PWM用于控制风扇转速，PWM的频率需要参考风扇规格书。4根线分别是GND、VCC、FG、PWM。使用单片机定时器测量T1，从而计算转速N。

LED数码管由发光二极管组成8字形结构，包括7个段和1个小数点。其正向导通电压为1.5V，额定电流10mA。虽然单片机电压(3.3V/5V)满足要求，但IO电流有限，难以直接驱动多位数码管。动态驱动时需增加三极管驱动电路：单片机IO控制三极管开关，导通时提供足够电流，确保数码管正常显示。这种设计将单片机作为控制器而非驱动器，解决了多位数码管并联时电流不足的问题。

运算放大器的输入电压范围决定了其正常工作时的最大输入电压限制，通常比电源电压范围窄1V至几V。优质运放可实现"轨至轨输入"(RRI)，使输入范围接近或等于电源电压范围。轨至轨放大器(RR)虽能扩大动态范围，但实际应用中仍存在数十毫伏的电压差，且输出摆幅受负载影响。特别在单电源供电时，可能导致小信号失真，如OPA2335在5V供电时的最低输出仅20mV。因此，处理接近电源轨的信号时需谨慎选择运放类型，必要时采用双电源供电方案以确保信号完整性。

运放电压跟随器电路中有时会添加两个电阻，主要作用是保护运放并起到限流效果。当输入电压过高时，运放内部的钳位二极管可能导通，这些电阻能限制电流防止损坏。但并非所有运放都需要加装此类电阻，添加不当反而可能引发震荡等问题，需根据实际情况判断是否需要使用。这种设计体现了电路保护与性能平衡的考量。

摘要：功率MOSFET并联可降低RDS(on)损耗，分为负载开关和开关模式两种应用。负载开关应用（如电池隔离）简单并联即可，依靠RDS(on)的正温度系数实现电流自平衡。开关模式应用（高频开关）则需严格匹配器件参数（VTH、gfs、CGS等）并优化PCB布局对称性，采用独立栅极驱动网络防止振荡。设计要点包括：控制参数公差、平衡回路电感、添加栅极磁珠/电阻抑制寄生效应，确保动态电流均衡和热稳定性。（149字）

空气开关与漏电断路器原理及作用 空气开关是一种断路器，通过双金属片和电磁线圈两种方式实现过载和短路保护。其核心部件包括触头装置、灭弧装置等，利用空气介质分割和冷却电弧。漏电断路器则通过检测火线与零线电流差来防止触电，当电流差值超过30毫安时自动切断电源。两种设备分别针对电路过载/短路和漏电问题提供保护，通过不同机制确保用电安全。灭弧技术作为关键环节，采用绝缘材料分割和冷却电弧，有效保护电路触点并缩短断电时间。

功率MOSFET失效模式及分析 功率MOSFET的失效可分为封装失效和晶圆失效两大类。封装失效表现为材料分层、焊线断裂等机械性损坏；晶圆失效则主要由过电应力(EOS)引起，包括栅极击穿、雪崩失效、过流失效和过压失效四种典型模式。栅极击穿通常表现为栅源短路，由静电或浪涌导致氧化层损坏；雪崩失效呈现漏源短路，伴有明显击穿点；过流失效则因局部过热导致大面积熔融；过压失效常见于高频开关场景，表现为小面积击穿。实验表明，纯过压损坏多发生在芯片中心区域，而过流损坏则集中在源极附近。实际应用中常见混合失效模式，需结合失效

摘要：PTC（正温度系数）效应指材料电阻随温度升高而增加的现象，分为线性（金属材料）和非线性（如高分子PTC热敏电阻）两种类型。PTC热敏电阻主要包括高分子（PPTC）和陶瓷（CPTC）两类，其中PPTC具有更小尺寸、更快反应和更低阻值。PPTC的工作原理基于聚合物受热膨胀切断导电通路，冷却后恢复。关键参数包括最大工作电压、动作电流和开关温度等。选型需考虑环境温度、工作电流和动作时间等因素。PTC的典型失效模式为室温电阻过大，可能导致维持电流降低，严重时可能引发燃烧。

《水泥电阻技术手册摘要》介绍了水泥电阻的关键技术参数：1.结构为陶瓷外壳填充水泥的功率型电阻；2.额定功率以70℃环境为基准值（如5W），高温需按曲线降额（155℃时降为2.5W）；3.额定电压通过欧姆定律计算（如5W/20Ω对应10V）；4.主要参数包括阻值范围0.1Ω-100kΩ、精度±5%、工作温度-55℃~155℃等。该手册提供了电阻的物理结构、功率特性曲线及完整规格参数，适用于功率电路设计参考。（149字）

TVS管和ESD管在电路保护中各有专长，主要区别在于设计目标和应用场景。TVS管主要用于抑制高能量的瞬态过压，如浪涌和雷击，适用于电源线和通信端口，具有高功率吸收能力和长期稳定性。而ESD管则专注于防护静电放电和低能量快速瞬态脉冲，适用于高速数据接口和敏感IC引脚，特点是超快响应和低电容。在选型时，需根据脉冲类型、信号频率和能量等级综合考虑，必要时可结合使用以实现多级防护。

稳压二极管（齐纳二极管）利用PN结反向击穿时电压基本不变的特性，实现稳压功能。其关键参数包括稳定电压（Vz）、稳定电流（IzT）、动态电阻（rzJ）、额定功耗（Pz）、电压温度系数（Ctv）、反向漏电流（IR）和结电容。Vz是稳压管在额定电流下的稳定电压值，IzT是产生稳定电压所需的最小电流，rzJ反映电压与电流变化的关系，Pz由允许温升决定，Ctv表示电压随温度变化的系数，IR是反向电压下的漏电流，结电容则影响高频性能。这些参数共同决定了稳压二极管在电路中的应用效果。

地磁传感器，如PNI的RM3100，用于测量地球磁场，其强度通常在0.5至0.6高斯之间。当铁磁性物体如汽车进入磁场时，会引起磁场扰动，地磁传感器通过检测这种变化来判断车辆的存在。RM3100传感器套件包括两个SEN-XY-F和一个SEN-Z-F地磁传感器，以及MAGI2C控制芯片，能够进行三维空间的磁场测量。该传感器通过IIC或SPI接口与单片机通信，实现数据的采集和处理。这种技术广泛应用于车辆检测和交通管理系统中。

虽然数据与CAS同时发送，但是由于电容的充电需要有一段时间，所以数据真正写入需要有一定的周期，为了保证数据真正被可靠的写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，Write Recovery Time），这个操作也被称为写回。由于SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效的行关闭，重新发送行地址和列地址。SDRAM内部是一个存储阵列，如同一张表格，访问某一个内存地址的时候，先指定行地址、再指定列地址，就能轻松的做到随机访问。

利用MEMS技术加工的硅压阻式压力敏感芯片。该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成，四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构，当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。

虽然USB Type-C线缆前后共有2个接口，一般情况下只需在其中1个接口内嵌入E-Marker芯片即可，但也有极少数线缆会在两头接口上配备2颗E-Marker芯片，双芯片的好处是能让充电器读取芯片的成功率更高，保证稳定的大功率传输，当线缆长度达到2米或者更长时性能更好。这些功能除了需要主设备端、从设备端支持，还需要数据线的支持。拿充电来说，如果数据线只支持2A电流，就算主、从设备支持5A，那么电流也不能超过2A。所以就需要在数据线中加入芯片，来告诉主、从设备，数据线支持的功能。

1Bar=0.1MPa=1000mba=1000hpa=100*7.5mmhg=75mmhg=1个大气压。1Kpa=10百帕=7.5毫米汞柱=7.5mmhg。1百帕=1毫巴=3/4毫米水银柱。mb=mbar 毫巴(=百帕)mbar 毫巴(=百帕)

电容失效的直接原因为电容内部发生了腐蚀反应，导致电容内部发热，内部压力增大及电解液干枯。根本原因为电容内部存在腐蚀性元素。

在仪器仪表、医疗成像、高速通信、精密传感这些对信号质量要求“吹毛求疵”的领域，电源噪声哪怕一丝一毫的“杂音”，都可能导致测量失准、图像模糊、通信中断。此时，一个纯净、稳定的供电电压就如同定海神针，而低压差线性稳压器（LDO）——尤其是其中的“低噪声尖子生”，就扮演着这最后一道电源“净化器”的关键角色。

如上图，MOS管的工作状态有4种情况，分别是开通过程，导通过程，关断过程和截止过程。导致发热的损耗主要有两种：开关损耗、导通损耗。

GDT(Gas Discharge Tubes)气体放电管也叫防雷管，主要用来防雷击浪涌。有插装型也有贴片。有两极型也有三极型功能跟压敏电阻类似，都是当电压超过GDT动作电压，GDT就起作用导通，把电压钳位。这样当高压经过GDT后电压值就被限制了。

看门狗定时器输出引脚。为了优化电池数目少于 12 时测量同步，未用的 C 引脚应在第二个多路复用器的顶端 (C12) 和第一个多路复用器的顶端 (C6) 之间均匀分布。对于那些电池通道，未用的输入将产生一个 0V 的读数。另外，采用常规序列进行连接 (将所有的未用电池输入置于顶端) 也是可以接受的。如果使用的电池数目为奇数，则顶端多路复用器应连接较少的电池。LTC6811可以多片组合使用，每片管理12节电池，8片就可以管理96节串联的电池，组成400V电压输出了。：将一个 NPN 的基极连接至该引脚。

SPI通信一般不远，通信距离更长时，通常需要用到中继器，这是因为随着线缆增长，其线缆阻抗相应增加，由此导致信号衰减。当需要长距离传输SPI或需要SPI隔离时，可以考虑LTC6820。应用电路和传输距离关系如下：也可以一主多从：上图显示了所有从服务器如何受一个主服务器控制。主服务器和从服务器可以是微控制器或ADC，通常通过自身的SPI接口与传感器或微控制器连接。因此，LTC6820能够在两个完全电气隔离的器件之间实现SPI通信所需的双向数据传输。

收拾旧物时发现一个旧台灯，正好又有一节锂电池，于是想改成：用锂电池给台灯供电（台灯是5V的），并且可以通过USB给锂电池充电。SM5401 可以把锂电池电压升压成5V输出，电流可达0.8A。也可以USB供电给锂电池充电。外围电路简单，只需要2个电容和1个电感。于是找到了SM5401这个芯片。

压敏电阻是一种用于浪涌保护的电子元件，其核心功能是在电压超过一定阈值时迅速降低电阻，从而吸收过电压，保护电路。压敏电阻的关键参数包括最大允许使用电压、压敏电压、最大限制电压、通流容量、能量耐量、静态功率和静态电容量。这些参数决定了压敏电阻在不同电路中的应用范围和效果。与TVS管相比，压敏电阻具有较高的浪涌电流承受能力和较低的成本，但响应速度较慢，寄生电容较大，且存在性能蜕化问题。压敏电阻广泛应用于AC和DC电源线的瞬态保护，如AC200V和DC12V/24V电源防雷电路。正确选择和使用压敏电阻可以有效防止浪

因为市电是正弦波的，只有当正弦波幅值大于母线电压时才会有电流，因此电流是脉冲状的，需要根据整机最大功率时电流波形状态来选型整流桥。比如整流桥GBJ2510代表电压1000V，持续电流25A。至于整流桥的瞬间过电流能力要看下面的表。60Hz周期中只有1个脉冲，那么此脉冲最高可以350A。表的意思是用脉宽8.3ms单一正弦半波来流过整流桥。如果有2个脉冲，那么此脉冲最高可以250A。

低温下可引起继电器功能失效。(密封元器件内部典型结构) （密封元器件AL线受到腐蚀） 5000ppm水汽含量的直观定义是这样的：假设密封封装内的水汽含量为5000ppm，则其25℃贮存条件下内部相对湿度为16%，而在使用条件下（产生热量，假设温度升高为55℃）的内部相对湿度为3.2%。塑封非气密封装器件散热较差，根据应用领域不同一般分为商业级和工业级，商业级额定工作环境温度为0℃~70℃，工业级额定工作环境温度为-40℃~85℃，也有一些工业级塑封元器件工作上限温度可达到+125℃，达到军温水平。

在摄氏105度高温下，固态电容和液态电容的寿命同样为2000小时，但温度越低固态电容寿命将会比液态电容有更长的寿命，摄氏95度、85度、75度、65度下其寿命将会是1.5倍、2.5倍、4倍和6.25倍。不同之处在于固态铝聚合物电解电容的阴极材料用固态的有机半导体浸膏替代电解液，在提高各项电气性能的同时有效解决了电解液蒸发、泄漏、易燃等难题。它与普通电容（即液态铝质电解电容）最大差别在于采用了不同的介电材料，液态铝电容介电材料为电解液，而固态电容的介电材料则为导电性高分子材料。

晶振电路很简单，如上，一般晶振两个脚上各有一个电容，然后直接连接到单片机上。所以晶振不起振、不工作，排查起来也很简单。晶振内部核心部件为石英晶片，为易碎材质。晶振的频率越高，晶片则越薄，因此越易碎。在石英晶片的两个对应面背银作为电极，由电极焊接引线至管脚，气密性封装外壳（真空并充氮气），这样就制造出石英晶体谐振器，简称石英晶振或晶振。

电容厂家一般会告知合适的降额使用标准，如下是KEMET的T493系列钽电容提供的建议降额使用指导，注意电容的额定电压在高温区是要下降的。绝缘电阻是在20℃（或25℃），施加DC电压，不超过额定定压，测量2分钟平均漏电流，然后用电压除以电流，得到绝缘阻抗。例如额定电压是4V，降额到70%使用，最高施加在电容两端的电压不得超过2.8V。实际的电容流过电流时会有损耗，会发热，可以看成电阻和理想电容的并联，tanδ=电阻电流/电容的电流，此值越小越好。注意，漏电流与温度也有非常紧密的关系，温度越高，漏电流越大。

手册没有给出来电流0.01A时的动作次数，可以估计下次数应该在400万次和500万次之间。在0A的电路中能够动作500万次。继电器寿命定义：指在导通电阻大于1Ω之前能够使用的最少周期数（打开和关闭继电器）。继电器电气寿命：能够保证设备正常开闭以及不超出设备电气规范能使用的最少周期数。继电器机械寿命：指在保证机械结构完整的前提下继电器能够完成的操作次数。继电器用在频繁开关的应用时，需要预估下其最大动作次数。机械寿命是只给线圈通电，触点都断开的情况下测试得到的。寿命用两类来表述：机械和电气。

1、DNL是只管自己这一格的变化与理想值的差值，比如自己这一格变化1.2mm，理想值是1mm，那么DNL就是+0.2mm。2、INL是看前后的累积值，如果连着几个正偏，那么自己这格的值会与理想值差很多，因此能够反映实际值与理想值最大能差多少，因此用这个指标来表示精度。比如某个ADC的INL=+0.6LSB，那么就表示整个采集范围的实际值最多比理想值大0.6LSB。3、举个例子：12位ADC：TLC2543，INL值为1LSB。

在光耦的输入端，也有寄生电容的存在，这个电容可能会影响光耦信号的正常传递。因为电容内存储有电荷，如果此时并联一个电阻，就会将电荷迅速泄放，就达不到二极管两端的开启电压，从而可以正常通断。我们计算的时候，按照最低的50%使用。所以这颗电阻有些产品有，有些产品没有，因为没有也能正常工作，只是有了的话，产品会更可靠一点。令VCC1=3.3V，VCC2=12V，R1=330R，R2=4.7K，求电阻R2的最小值？为了方便计算电阻R2的取值，我们以PC817为例，并给电路的输入、输出电压及电阻赋值。

热插拔容易产生浪涌，瞬间高压造成芯片超过耐压值而损坏。例如TWS蓝牙耳机，由于需要经常从充电仓拿出来和放进去，这样的动作就是我们经常熟悉的拔插动作。所以很多高端的TWS耳机和智能手表在充电输入都会串个过压保护IC或者过压过流保护芯片。

存储器

AWG(American Wire Gauge)是美国电线标准的简称，AWG值是导线直径（以英寸计）的单位。