电路设计
电流互感器
依据电磁感应原理将一次侧大电流转换成二次侧小电流。其一次侧绕线匝数较少，很多时候为1，二次侧绕线匝数较多（一次侧：二次侧通常为1：1000，电流为1000：1）。
选择合适的工作频率（一次侧频率），工作电流（一次侧最大负载电流），变比（根据负载电流，二次侧能够承受的电流选择）
二次侧一般接负载电阻得到采样电压，且需要接地形成参考地平面且防止高压泄露
二次侧不允许开路，这会导致一次侧电流过大烧毁
电压互感器
电压互感器工作原理与电流互感器相似，绕比为1：1，在一次侧使用电阻得到小电流送入电压互感器TV16，在二次侧串联小电阻得到输出电压，中间的地形成差分信号
稳压设计：
稳压二极管：
又称齐纳二极管，通常用于电源稳压，当电压高于击穿电压时有稳压效果。
原理：在反向击穿时，在很大电流的变化时只会带来较小的电压变化，如下图红色方框
电源滤波
LC电路
模拟地和数字地
模拟地和数字地间的串接可以采用四种方式：
1、用磁珠连接
2、用电容连接（利用电容隔直通交的原理）
3、用电感连接（一般用几uH到数十uH）
4、用0欧姆电阻连接
最常用：0欧电阻
可保证直流电位相等；单点接地，限制噪声；对所有频率的噪声都有衰减作用（0欧也有阻抗，而且电流路径狭窄，可以限制噪声电流通过）；4、电容（利用电容隔直通交的原理）
磁珠：
专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。它比普通的电感有更好的高频滤波特性，
在高频时呈现阻性，在低频时电阻比电感小得多。磁珠的等效电路相当于带阻陷波器，只对某个频点的噪声有抑制作用，如果不能预知噪点，如何选择型号，况且，噪点频率也不一定固定，故磁珠不是一个好的选择。
电容隔直通交，造成浮地。电容不通直流，会导致压差和静电积累，摸机壳会麻手。如果把电容和磁珠并联，就是画蛇添足，因为磁珠通直，电容将失效。串联的话就显得不伦不类。
电感
电感体积大，杂散参数多，特性不稳定，离散分布参数不好控制，体积大。电感也是陷波，LC谐振(分布电容)，对噪点有特效。
建议，不同种类地之间用0欧电阻相连；电源引入高频器件时用磁珠；高频信号线耦合用小电容；电感用在大功率低频上。
两者都可用于处理EMC、EMI问题
电感有一匝以上的线圈 磁珠少于一匝（导线直通磁环）
电感是储能元件 磁珠是能量转换（消耗）器件
电感多用于电源滤波回路 磁珠多用于信号回路，用于EMC对策
电感在EMC中侧重于抑制传导性干扰 磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰
电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上 磁珠用在模拟地和数字地结合的地方
PCB设计
信号完整性
波形测试、眼图测试、时序测试、误码测试
抖动测试、阻抗测试、频域测试
EMI
传导干扰
是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合（干扰）到另一个电网络。
辐射干扰
是指干扰源通过空间把其信号耦合（干扰）到另一个电网络。
三极管和MOS管
MOS管
N-MOS箭头从外指向栅极，P-MOS箭头从栅极指向源极。寄生二极管与箭头一样。
MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同
N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。当UGS>0时，NMOS管导通
P沟道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。当UGS<0时，PMOS管导通
示例：
使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）
PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）
使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通（若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC）
使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低6V即可导通（同理若使用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计）
三极管
EB之间电流的导通与EC之间电流的导通成正比，EB小电流导通控制着EC大电流的导通
箭头是指EB控制电流的方向
示例：
左图NPN输入高电平导通，右图PNP输入低电平导通。
三极管和MOS管对比
MOS和三极管：三极管是电流驱动（电流控制电流源），而MOS管是电压驱动（电压控制电流源）
基本原理
电气特性对比
功率与效率
应用领域
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