一、电容理论
1.1 电容定义
两个相互靠近的金属板中间夹一层绝缘介质组成的器件,当两端存在电势差时,由于介质阻碍了电荷移动而累积在金属板上,衡量金属板上储存电荷的能力称之为电容,相应的器件称为电容器。
电容的符号为 C,单位为法拉 (F)。 电容越大,储存电荷的能力越强。
1.2 换算关系
基本单位是 F一般很少用到这么的单位。比较常用的有:
1.3 定义式和决定式
1.2.1 定义式
C - 电容;Q - 电荷量;U - 电势差
在电路学里,在电势差 1V 下,电容器的储存电荷的能力,称为电容。
1.2.2 决定式

其中:ε是相对介电常数;
- s为电容两极板的正对面积;
- d为电容两极板之间的距离;
- k是一个常量,静电力常量;
可以看出:电容的大小和面积 s 成正比,和距离 a 成反比。这个公式非常重要,PCB设计中,减少寄生电容,会用到。
1.4 电压充放电路公式
其中 du/dt 是电压和时间的导数,可见,当电容器充电或放电时,电流 i 流过电容器,导致电容器两端的电压 u 发生变化。根据这个公式,电流 i 与电压变化率成正比,这意味着电压变化越快,流过电容器的电流就越大。
电容两端的电压也是不能跳变的,因为根据这个公式来看,电压跳变后导数会趋近无穷,也就是电流会无穷大。
1.5 容抗公式与滤波
Xc - 容抗(电容的电阻);F - 频率;C - 电容
观察上述公式就可以发现:当电容值恒定时,频率越高容抗越小;而当频率一定时,电容越大容抗越小。而对于频率 F=0 的直流信号,电容的容抗 Xc=无穷 即相当于短路。
此公式非常有用,我们用它推导电容滤波,RC 滤波,或者分析电容在交流电路的表现等。
我们只需要将输入或者输出端加上如 C1、C2 两颗电阻,根据阻抗公式来看,F=0 的直流信号不会流入地,交流纹波则会流入地,从而起到滤波效果。
我们仅从阻抗公式来看,电容越大滤波效果越好,但是为什么滤波通常都有一大一小两颗电容呢,因为除了除了容值,ESR值也是非常重要的参数,这个参数决定了电容的工作频谱范围。在下面会说到。
其中 C1 和 C2 即是滤波电容。
1.5 串联和并联
1.6 电容类型
滤波电容、旁路电容、耦合电容、退耦电容,自举电容等。在应用案例我们详细解释。
二、参数
最重要的参数有五个,分别是精度、温度系数、耐压、温度范围和ESR。
2.1 精度
电容和电阻不同,电阻精度可以做到高于 0.1%,而电容的话 5% 精度非常高的了。一般为 5%,10%,25% 等。
2.2 温度系数
电容的电容量会随着温度的上升而下降(低于工作温度后也会明显下降),同样电容的温度系数的单位为PPM。
比如一个0.1UF,250ppm的电容,温度每升高1℃,其电容量要降低。
MLCC(一般指贴片陶瓷电容)里面常用的有:NP0,C0G,Y5V,Z5U、X7R,X5R 等。
C0G(即 NP0 电容,两者为同一物体),NP0 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NP0 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器,在温度从 -55℃ 到 +125℃ 时容量变化为 0±30ppm/℃。
C0G 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。C0G电容堪称完美,但是有个缺点是:不能做大容量,常见最大容量的 C0G 电容为 0.47uF,且价格较贵。
除此之外,常见的 MLCC 还有 C0G,Y5V,Z5U、X7R,X5R 等。NP0,C0G 温度特性平稳、容值小、价格高;Y5V,Z5U温度特性大、容值大、价格低;X7R、X5R则介于以上两种之间。
C0G电容器具有高温度补偿特性,适合作旁路电容和耦合电容。
X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用。
Z5U电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路。
Y5V电容器温度特性最差,但容量大,可取代低容铝电解电容。
其中做代表的含义如下,如 X7R 是最低温度 -55°,最高温度+125°,误差15%
2.3 耐压
电容的电容量会随着其两端的电压增大而减小。
理论上电容的耐压要比所处环境的电压最大值大即可,实际使用时需要留有 80% 的裕量,比如某处的电压最高为 8V,则需要选用耐压为 10V 以上的产品。
特别是钽电容,钽电容一定要小心伺候,钽电容的性格极其暴烈,它是一种有极性电容,接反必爆炸,必起火。再就是钽电容的耐压必须留有 50% 的裕量,比如某处的电压最高为 8V,则需要选用耐压为 16V 以上钽电容,否则产品极不稳定。
2.4 温度范围
电容必须在其规定的温度范围内使用,比如电解电容一般使用于 105℃ 以下,150℃ 的高温应用可以选用钽电容和 NP0 电容。
2.5 ESR
其中 ESR 非常重要,一般的 DCDC 电源输出端需要 ESR 极低的电容,如 MLCC ,钽电容等。
C | 电容器的标称值表11中列出了标准电容值 |
ESR | 等效串联电阻理想值为0陶瓷电容器具有最佳的 ESR (通常为毫欧级)。电解电容器的 ESR 为数百毫欧,而铝电解电容器的 ESR 为欧姆级。 |
ESL | 等效串联电感理想值为0 ESL范国在 100pH 至1 0nH 之间 |
Rp | Rp 为并联泄露电阻(或称为绝缘电阻)理想值为无穷大 其范围可以从某些电解电容器的数十兆欧,至陶瓷电容器的几十千兆欧。 |
2.6 ESL 与影响
在设计电路的时候,只要用到了芯片,就需要在此芯片的 VCC 引脚放置一个 0.1μF 的陶瓷电容进行滤波。
但是如果供电中的谐波频率高到一定的时候电容中的 ESL 电感的作用就不可忽视了,再高的时候 ESL 电感就起主导作用了。电容就失去滤波的作用了。这时候需要降低电容量。
下图表示电容容量与损耗的关系:
100K~10MHz | 100nF(0.1uF) 陶瓷电容 |
10M~100MHz | 10nF(0.01uF) 陶瓷电容 |
>100MHz | 1nF(0.001uF) 陶瓷电容 |
三、应用案例
3.1 旁路与去耦
我们电容的容抗公式:
Xc - 容抗(电容的电阻);F - 频率;C - 电容
观察上述公式就可以发现:当电容值恒定时,频率越高容抗越小;而当频率一定时,电容越大容抗越小。而对于频率 F=0 的直流信号,电容的容抗 Xc=无穷 即相当于短路。
简单来说,利用电容的滤波原理,给输入电源或信号滤波是旁路,给输出电源或信号滤波是去耦。
我们用1117举例:
旁路:其中的C7、C8则是旁路电容,电源输入的波纹则根据容抗公式流入地。
去耦:芯片理想需要输出一个稳定的,没有波纹的电源。但是在电子系统中,不同信号之间由于共享相同的电路或物理环境而相互影响的现象,我们称之为噪声的耦合。为了消除芯片内的噪声耦合,我们加入 C9、C10 电容即根据容抗公式将噪声流入地。
3.1 储能
c1 作为 u2 储能电容,避免后面数码管打开时,瞬间耗能较大影响 3.3V 电源
小电容为高频信号(内部开关信号)提供瞬间能量,通常为0.1uF,频率越高,电容越小,大电容为低频信号(内部外设耗电)提供能量。
3.2 自举
我们知道电容定义式:
C - 电容;Q - 电荷量;U - 电势差
公式可知,电容电荷量不变的情况下,电容两端的电势差是不会变的。
C8 电容是自举电容,为VB端提供超过 VCC_PROWER 的电压,提高驱动 MOS 的能力,因为 NMOS 管的导通基本条件就是 VGS 大于一定的阈值电压 VGS(th)。
自举电路就是升压电路,简单来说在该电路中, 自举电路的作用是使得 IR2110S 高端驱动,即 IR2110S 的第 8 引脚 HO 输出信号 可以满足大于 VGS(th)
利用电容 C73的充放特性构成自举电路,驱动内部的NMOS管。
3.4 震荡
电容C39、C52与晶体构成震荡电路,提供时钟信号输出。