硬件基础知识补全计划【二】电容

一、电容理论

1.1 电容定义

两个相互靠近的金属板中间夹一层绝缘介质组成的器件,当两端存在电势差时,由于介质阻碍了电荷移动而累积在金属板上,衡量金属板上储存电荷的能力称之为电容,相应的器件称为电容器。

电容的符号为 C,单位为法拉 (F)。 电容越大,储存电荷的能力越强。

1.2 换算关系

 基本单位是 F一般很少用到这么的单位。比较常用的有:

1.3 定义式和决定式

1.2.1 定义式

C - 电容;Q - 电荷量;U - 电势差

在电路学里,在电势差 1V 下,电容器的储存电荷的能力,称为电容。

1.2.2 决定式

其中:ε是相对介电常数;

  • s为电容两极板的正对面积;
  • d为电容两极板之间的距离;
  • k是一个常量,静电力常量;

可以看出:电容的大小和面积 s 成正比,和距离 a 成反比。这个公式非常重要,PCB设计中,减少寄生电容,会用到。

1.4 电压充放电路公式

其中 du/dt 是电压和时间的导数,可见,当电容器充电或放电时,电流 i 流过电容器,导致电容器两端的电压 u 发生变化。根据这个公式,电流 i 与电压变化率成正比,这意味着电压变化越快,流过电容器的电流就越大。

电容两端的电压也是不能跳变的,因为根据这个公式来看,电压跳变后导数会趋近无穷,也就是电流会无穷大。

1.5 容抗公式与滤波

Xc - 容抗(电容的电阻);F - 频率;C - 电容

观察上述公式就可以发现:当电容值恒定时,频率越高容抗越小;而当频率一定时,电容越大容抗越小。而对于频率 F=0 的直流信号,电容的容抗 Xc=无穷 即相当于短路。

此公式非常有用,我们用它推导电容滤波,RC 滤波,或者分析电容在交流电路的表现等。

我们只需要将输入或者输出端加上如 C1、C2 两颗电阻,根据阻抗公式来看,F=0 的直流信号不会流入地,交流纹波则会流入地,从而起到滤波效果。

我们仅从阻抗公式来看,电容越大滤波效果越好,但是为什么滤波通常都有一大一小两颗电容呢,因为除了除了容值,ESR值也是非常重要的参数,这个参数决定了电容的工作频谱范围。在下面会说到。

其中 C1 和 C2 即是滤波电容。

1.5 串联和并联

1.6 电容类型

滤波电容、旁路电容、耦合电容、退耦电容,自举电容等。在应用案例我们详细解释。

二、参数

最重要的参数有五个,分别是精度温度系数耐压温度范围ESR

2.1 精度

电容和电阻不同,电阻精度可以做到高于 0.1%,而电容的话 5% 精度非常高的了。一般为 5%,10%,25% 等。

2.2 温度系数

电容的电容量会随着温度的上升而下降(低于工作温度后也会明显下降),同样电容的温度系数的单位为PPM。
比如一个0.1UF,250ppm的电容,温度每升高1℃,其电容量要降低。

MLCC(一般指贴片陶瓷电容)里面常用的有:NP0,C0G,Y5V,Z5U、X7R,X5R 等。

C0G(即 NP0 电容,两者为同一物体),NP0 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NP0 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器,在温度从 -55℃+125℃ 时容量变化为 0±30ppm/℃。

C0G 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。C0G电容堪称完美,但是有个缺点是:不能做大容量,常见最大容量的 C0G 电容为 0.47uF,且价格较贵。

除此之外,常见的 MLCC 还有 C0G,Y5V,Z5U、X7R,X5R 等。NP0,C0G 温度特性平稳、容值小、价格高;Y5V,Z5U温度特性大、容值大、价格低;X7R、X5R则介于以上两种之间。

C0G电容器具有高温度补偿特性,适合作旁路电容和耦合电容。
X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用。
Z5U电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路。
Y5V电容器温度特性最差,但容量大,可取代低容铝电解电容。

 其中做代表的含义如下,如 X7R 是最低温度 -55°,最高温度+125°,误差15%

2.3 耐压

电容的电容量会随着其两端的电压增大而减小。
理论上电容的耐压要比所处环境的电压最大值大即可,实际使用时需要留有 80% 的裕量,比如某处的电压最高为 8V,则需要选用耐压为 10V 以上的产品。
特别是钽电容,钽电容一定要小心伺候,钽电容的性格极其暴烈,它是一种有极性电容,接反必爆炸,必起火。再就是钽电容的耐压必须留有 50% 的裕量,比如某处的电压最高为 8V,则需要选用耐压为 16V 以上钽电容,否则产品极不稳定。

2.4 温度范围

电容必须在其规定的温度范围内使用,比如电解电容一般使用于 105℃ 以下,150℃ 的高温应用可以选用钽电容和 NP0 电容。

2.5 ESR

其中 ESR 非常重要,一般的 DCDC 电源输出端需要 ESR 极低的电容,如 MLCC ,钽电容等。

C电容器的标称值表11中列出了标准电容值
ESR等效串联电阻理想值为0陶瓷电容器具有最佳的 ESR (通常为毫欧级)。电解电容器的 ESR 为数百毫欧,而铝电解电容器的 ESR 为欧姆级。
ESL等效串联电感理想值为0
ESL范国在 100pH 至1 0nH 之间
RpRp 为并联泄露电阻(或称为绝缘电阻)理想值为无穷大
其范围可以从某些电解电容器的数十兆欧,至陶瓷电容器的几十千兆欧。

2.6 ESL 与影响

在设计电路的时候,只要用到了芯片,就需要在此芯片的 VCC 引脚放置一个 0.1μF 的陶瓷电容进行滤波。

但是如果供电中的谐波频率高到一定的时候电容中的 ESL 电感的作用就不可忽视了,再高的时候 ESL 电感就起主导作用了。电容就失去滤波的作用了。这时候需要降低电容量。

下图表示电容容量与损耗的关系:

100K~10MHz100nF(0.1uF) 陶瓷电容
10M~100MHz10nF(0.01uF) 陶瓷电容
>100MHz1nF(0.001uF) 陶瓷电容

三、应用案例

3.1 旁路与去耦

我们电容的容抗公式:

 

Xc - 容抗(电容的电阻);F - 频率;C - 电容

观察上述公式就可以发现:当电容值恒定时,频率越高容抗越小;而当频率一定时,电容越大容抗越小。而对于频率 F=0 的直流信号,电容的容抗 Xc=无穷 即相当于短路。

简单来说,利用电容的滤波原理,给输入电源或信号滤波是旁路,给输出电源或信号滤波是去耦。

我们用1117举例:

旁路:其中的C7、C8则是旁路电容,电源输入的波纹则根据容抗公式流入地。

去耦:芯片理想需要输出一个稳定的,没有波纹的电源。但是在电子系统中,不同信号之间由于共享相同的电路或物理环境而相互影响的现象,我们称之为噪声的耦合。为了消除芯片内的噪声耦合,我们加入 C9、C10 电容即根据容抗公式将噪声流入地。

3.1 储能

c1 作为 u2 储能电容,避免后面数码管打开时,瞬间耗能较大影响 3.3V 电源

 小电容为高频信号(内部开关信号)提供瞬间能量,通常为0.1uF,频率越高,电容越小,大电容为低频信号(内部外设耗电)提供能量。

3.2 自举

我们知道电容定义式:

 

C - 电容;Q - 电荷量;U - 电势差

公式可知,电容电荷量不变的情况下,电容两端的电势差是不会变的。

C8 电容是自举电容,为VB端提供超过 VCC_PROWER 的电压,提高驱动 MOS 的能力,因为 NMOS 管的导通基本条件就是 VGS 大于一定的阈值电压 VGS(th)。

自举电路就是升压电路,简单来说在该电路中, 自举电路的作用是使得 IR2110S 高端驱动,即 IR2110S 的第 8 引脚 HO 输出信号 可以满足大于 VGS(th) 

利用电容 C73的充放特性构成自举电路,驱动内部的NMOS管。 

3.4 震荡

电容C39、C52与晶体构成震荡电路,提供时钟信号输出。

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