31、氧对硅材料性能影响的深入剖析

氧对硅材料性能影响的深入剖析

氧沉淀模拟方法分析

在对氧沉淀进行模拟研究时，不同的模型有着各自的特点和局限性。

1. 传统模型的局限性
   • 一些模型，如特定生长模型，在获取多个实验退火的总体趋势方面有一定价值，但无法完全描述任意热序列下的氧沉淀情况。这是因为这些模型不能确定氧沉淀尺寸分布函数的瞬态演变，并且无法同时计算沉淀氧的量和沉淀密度。
   • 例如，在多步CMOS型退火实验中，这些模型难以准确解释间隙氧的损失情况。
2. 组合方法的改进
   • 通过将不同方法结合，可以解决同时计算沉淀氧的量和沉淀密度的问题。然而，沉淀尺寸分布函数随处理时间的变化仍未被精确计算，而是假设遵循一系列平衡值。对于退火温度快速变化的情况，这种假设的后果可能需要进一步研究。
3. 蒙特卡罗方法和基于速率方程或福克 - 普朗克方程的模型
   • 蒙特卡罗方法和基于速率方程或福克 - 普朗克方程的模型都能将瞬态沉淀尺寸分布函数作为基本计算结果。这些模型已成功应用于沉淀粗化的基础研究。
   • 但蒙特卡罗模型存在计算时间长和部分结果统计噪声大的问题。
4. 组合模型的优势
   • 结合速率方程和福克 - 普朗克方程的模型对许多实验结果具有预测能力，可用于分析和设计多步退火循环中的氧沉淀。