《炬丰科技-半导体工艺》多晶硅片表面过渡金属污染的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：多晶硅片表面过渡金属污染的影响

编号：JFKJ-21-482

作者：炬丰科技

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摘要

介绍了一种在切割和等纹理多晶硅晶片表面上进行过渡金属采样的方法，该方法可以在没有洁净室环境的情况下快速轻松地采样。通过ICP-MS分析获得的样品。对样品中从文献中确定的可能最有害的物种进行了测试：Ag、Al、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni 和 Ti。该方法被应用于等织工艺。对蚀刻后的清洁级联进行了研究，发现初始切割后的晶片表面污染显着减少。切割后的晶片被确定为等纹理蚀刻浴的主要污染源。在测量浓度的帮助下，模拟了蚀刻浴中过渡金属的富集。由于排放/进料处理，蚀刻槽的金属摄入量在 6.000 – 10.000 个晶片后达到平衡。此外，还研究了标准清洁程序的清洁效率。研究了表面污染对 SiO2/SiNx 钝化叠层氧化步骤的影响，结果表明，表面污染会大大降低高温工艺过程中晶片的寿命。

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