《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集22

一：《氮化镓单晶的液相生长》

二：《氮化镓单晶生长研究进展》

三：《GaN三维结构生长与器件应用》

四：《金刚石氮化镓技术的未来展望》

五：《两步生长法制备氮化镓纳米线》

六：《氮化镓外延用硅衬底问题研究》

七：《氮化镓单晶衬底的研究进展》

八：《GaN器件在军事领域中的应用》

九：《半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展》

十：《固态照明中SiC衬底材料产业化关键问题的研究》

十一：《金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展》

十二：《MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响》

十三：《HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片》

十四：《HVPE生长GaN气相反应路径的研究》

十五：《低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用》

十六：《GaN体单晶的氨热生长及应力调控》

十七：《氮化镓晶片的化学机械抛光工艺》

十八：《氮化镓表面损伤处理及氨热生长研究》

十九：《氮化镓GaN的特性及其应用现状与发展》

二十：《氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望》