《炬丰科技-半导体工艺》不同氮化镓刻蚀技术比较

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：不同氮化镓刻蚀技术比较

编号：JFKJ-21-244

作者：炬丰科技

关键词:氮化镓，氮化物，二元蚀刻，轮廓仪，原子显微镜  

摘要

  对几种氮化镓蚀刻技术进行了综述和比较。本实验选用了氮化镓二元蚀刻技术，用Dektak轮廓仪和AFM测量了蚀刻后的氮化镓轮廓。三种类型的氮化镓薄膜，如本征氮化镓、n型氮化镓和p型氮化镓薄膜。

介绍

  氮化镓作为一种宽禁带III-V化合物半导体近年来得到了广泛的研究。高性能GaN het和MOSFET都已经被证明。氮化镓处理技术是实现氮化镓基器件良好性能的关键。大多数氮化镓的蚀刻采用等离子体蚀刻，存在易产生离子诱导损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁等缺点。