本文详细研究了ICP刻蚀氮化镓基LED结构，探讨了刻蚀气体流量、电感耦合等离子体功率、射频功率和室压对刻蚀性能的影响，包括速率、选择性、表面形貌和侧壁质量。通过实验发现，关键工艺参数的变化显著影响蚀刻效果。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究
编号：JFKJ-21-826
作者：炬丰科技
摘要
氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。以往的大部分报道都强调单个氮化镓薄膜的电感耦合等离子体刻蚀特性。本研究采用电感耦合等离子体刻蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀性能的影响，包括刻蚀速率、选择性、刻蚀表面形貌和侧壁。使用深度轮廓仪测量蚀刻深度，并用于计算蚀刻速率。用扫描电子显微镜观察蚀刻剖面。
介绍
氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件 。在光电子器件的制造过程中，蚀刻是图案化所需
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