《炬丰科技-半导体工艺》液化气体清洗半导体晶片的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：液化气体清洗半导体晶片的方法

编号：JFKJ-21-240

作者：炬丰科技

发明的技术领域  

  一般涉及半导体加工领域，更具体地涉及一种使用液化气体清洗半导体基片的改进的10系统和方法。

发明背景  

  在集成电路制造过程中，清洁半导体衬底的表面是一个关键步骤。表面清洁消除颗粒和微量表面污染，如有机和金属杂质。传统上，这些清洁技术几乎完全基于化学试剂，可以选择性地去除表面污染物和颗粒，而不会侵蚀或化学改变晶圆表面。随着设备集成密度的增加，允许的污染物浓度逐渐降低，这些传统的“wef”清洗正逐渐被“干”清洗取代，后者使用气相介质进行清洗。湿式清洗技术也受到液体清洗材料不能穿透现代集成电路中遇到的与小几何形状相关的复杂拓扑结构的限制。Dry cleaning还享有30项优势，因为它们与集成单晶圆加工的概念相一致，这一概念强调在制造过程中需要将晶圆与不受控环境隔离。相反，湿式清洗是在大气环境的环境压力- 35下进行的。

发明摘要  

  因此，出现了一种半导体加工- 65处理系统和操作方法的需求，该系统和操作方法实质上消除或减少与先前系统相关的缺点。根据本发明的一个实施例，提供了一种用于清洁半导体衬底表面的方法，包括在液相中将清洗剂引入到半导体衬底表面的步骤。将与待清洗表面接触的液相清洗剂搅拌。

图纸的简要说明       略

详细描述发明         略