前言:
在之前的文章,小编有提到继电器和 MOS 都可以用作 BMS(电池管理系统) 中控制电池充放电的开关。相比继电器,MOS 管在开关应用中具有更快的速度、更小的体积、更低的功耗、更高的可靠性、更少的噪声以及更长的耐用性。MOS 管可以根据导通方式、结构、材料、电流方向和应用进行分类,包括增强型和耗尽型、平面型和垂直型、硅和宽禁带材料、N 沟和 P 沟、以及功率和信号 MOSFET。本文主要围绕 N-MOS & P-MOS 进行介绍,让读者更清楚 MOS 管在做开关时的控制原理及选型要点。
一、N-MOS & P-MOS 的导通截止原理:
G 极(栅极)、 S 极(源极)、 D极(漏极)
NMOS和PMOS晶体管的导通和截止原理主要依赖于它们的栅极电压:
① N-MOS:栅极 G 电压高于源极 S 电压时(如 V(GS)=5V),N-MOS 管导通;而当栅极电压低于源极电压时,N-MOS 管截止。
② P-MOS,栅极电压 G 低于源极 S 电压时(如 V(GS)=-5V),P-MOS 管导通;而当栅极电压高于源极电压时,P-MOS 管截止。