简介光通讯之Photo Diode & PD的工作原理与应用

光通讯受光二极管(Photo Diode, PD)的工作原理与应用

在光通讯系统中,受光二极管(PD) 是光接收端的核心组件,负责将光讯号转换为电讯号。 其基本运作原理是利用 逆向偏压 (Reverse Bias) 使 PN 接面形成 空乏区 (Depletion Region)。 当光子入射并被吸收后,会产生电子与电洞对 (Electron-Hole Pair),在内部电场的作用下分离并形成光电流,这股电流的大小正比于光强度。

空乏区的厚度对 PD 的效能影响极大:

  • 厚的空乏区 → 可吸收更多光子、量子效率高,但响应速度较慢;
  • 薄的空乏区 → 响应快,但吸收能力较低。
    因此,实际设计时需要在量子效率(Quantum Efficiency)响应速率(Response Speed)之间取得最佳平衡。

⚡ 光电二极管的特性与作参数

在实际作中,PD 会施加适当的逆向偏压,使其内部几乎不导通。 当光子进入内部的 i 层 (Intrinsic Layer)时,便会激发载子形成电流输出。 其主要特性参数包括:

  • 截止频率 (Cutoff Frequency):决定可侦测的最短波长;
  • 暗电流 (Dark Current):在无光时由热效应产生的漏电流,会随温度与老化上升;
  • 光灵敏度 (Photo Sensitivity):光强变化所引起的电流变化量;
  • 反应时间 (Response Time):输出电流响应光变化的速度。

在高灵敏度应用中,系统通常会通过校正或补偿方式消除暗电流对测量的影响。

🔬 PIN 与 APD 的结构与比较

光通讯常用的 PD 结构主要分为两类:
PIN Diode 与 APD(Avalanche Photo Diode)。

1️⃣ PIN 型受光二极管

PIN 结构由 P 层、I 层与 N 层组成,其中 I 层即为空乏区。 透过设计适当厚度的 I 层,可在吸收效率与响应时间之间取得最佳化。
此类 PD 通常表面会加上 抗反射镀膜 (AR coating) 以提升量子效率。
硅 PIN 二极管常用于 0.85 μm 波段,而 InGaAs PIN 则广泛应用于 1.3–1.55 μm 的光纤通讯波段。

2️⃣ APD 崩潰光二極體

APD 在高逆向偏压下运作,内部形成强电场。 当光子产生的载子通过此区时,会因冲击游离 (Impact Ionization) 而产生次级载子,形成类似雪崩效应的放大作用。
此结构可提供高增益与高速响应,适合长距离或弱光讯号应用。 但其缺点是 噪声较大且偏压控制需精准
现今APD的增益带宽乘积已达70 GHz,能对应微波级光调变速率。

🌈 新型光偵測技術:量子井光檢測器 (Quantum Well Photodetector)

随着半导体技术发展,量子井结构光侦测器(QWIP)已成为新兴方案。


此器件利用量子局限效应,让电子在能带间进行子能阶跃迁,从而检测中红外(3.5–12 μm)光波。
这类器件在红外成像、军事与环境监测等领域具有高度应用潜力。


🔗 PD 与接收放大电路的整合趋势

传统光电接收模块通常将PD与放大电路分别制作在不同芯片上,但随着速率提升与封装简化的需求增加,PD与TIA(Transimpedance Amplifier)整合于同一芯片已成为主流。
此整合方式可:

  • 提升频率响应;
  • 改善信号噪声比(SNR);
  • 提高整体可靠度与一致性。

这项集成技术对于100G/400 G/800G光模组尤为关键。

💡 问答

Q1:为什么光通讯系统中需要在 PD 上施加逆向偏压?

A:
逆向偏压能扩大空乏区并形成电场,使光子产生的电子与电洞能迅速分离,转换为外部可侦测的光电流。 没有逆向偏压时,响应速度与灵敏度都会大幅下降。

Q2:PIN 与 APD 的主要差别是什么? 该如何选择?

A:
PIN 结构简单、噪声低、线性佳,适合短距离与中速应用;
APD 具高增益与高速特性,适用于长距离或低光功率环境,但成本与设计难度较高。 选择取决于系统灵敏度与速率需求。

Q3:什么是暗电流? 对光接收系统有何影响?

A:
暗电流是 PD 在无光时由热激发产生的漏电流,会造成基准电流偏移与噪声上升。 若未补偿,可能导致微弱光讯号的误判,因此需透过校正机制或温度控制减轻影响。

Q4:为什么 APD 能达到高灵敏度?

A:
APD 在高电场中会发生「雪崩放大效应」,使光生载子在通过时触发更多电子-电洞对,形成增益。 这种内部放大机制使其能侦测极低光功率讯号。

Q5:PD 与 TIA 整合有什么优势?

A:
PD 与放大电路共封装可缩短信号路径、减少寄生电容与电感效应,显著提升频率响应与讯噪比,同时简化模块设计与封装流程,是高速光模组的关键发展方向。

本篇作者-诠鼎集团-卢卡斯

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