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原创 【CMOS输出缓冲器驱动强度】
输入从低变为高,输入和输出之间的MOSFET关闭,输出刚开始是ONESHOT电路和10k等效电阻共同作用,把输出拉高。ONESHOT时间后,ONESHOT电路不再工作,仅有10k等效电阻在工作。上升或下降时间用于评估瞬态驱动强度。高低电平变化过程中,对输出电容快速充放电,输出管脚瞬间拉电流和灌电流。3、MOSFET尺寸大,布线宽,静态驱动电流强。但会引发寄生效应和输出振铃,导致瞬态驱动强度减弱。输出恒定高电平或低电平的能力,通过输出的电流IOH,IOL恒定。
2025-04-03 17:33:34
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原创 【电平转换原理】
TXS双向自动方向检测电压转换电路,可以看成是在双向电平转换基础之上叠加了2个oneshot电路模块。TXS内部有上拉电阻,外接上下拉电阻会对输出高低电平有影响。具体影响可通过公式计算。1.6 TXB双向自动方向检测电压转换器。1.4 TXS双向自动方向检测电压转换。1.5 TXS上下拉电阻。1.2 单向电平转换。1.3 双向电平转换。
2025-04-03 16:27:12
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原创 【单稳多谐振荡器进行设计学习】
2、外部输入高电平,MOSFET导通,Cext电容通过MOSFET到地进行放电。外部RC决定高电平脉宽。使用 SN74LVC1G123 单稳多谐振荡器进行设计,输出特定脉宽。1、稳定时,输出低电平。不稳定时,输出高电平。2.1 触发边沿设置。
2025-04-03 14:25:19
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原创 【快速获取TI网站的中文资料】
学习一些技术资料,只有英文的PDF版本。英文毕竟不是母语,理解或许有困难存在。怎样能够快速获取对应的中文版本呢?常用的方法:1、边看英文,边借助翻译软件2、硬着头皮看英文,看的很吃力除此之外,是否有更好的方式呢?
2025-04-03 14:16:36
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原创 【MCU_MOSI_MISO别再交叉了】
STM32常见接口SPI,经常会有人把MOSI和MISO接反了。自己之前画板子,也交叉过,是时候做个总结了。
2024-10-31 19:45:08
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原创 【大伙儿,拆器件都是用烙铁,吸枪吗?】
作为天选的电子打工人,免不了要使用电烙铁焊接元器件,拆卸元器件。差不多10年了,现在依然清晰地记得在工厂做线路板维修的时候,拆大型的元器件,电容一端拆下来了,另一端死活拆不下来,搞得满头大汗,最后还把铜皮给拉起来了。顶着巨大的压力去给主管汇报,把板子给拆废了。还有,器件多个引脚的时候,喊同事加把烙铁,帮忙烫引脚,拆个器件,有种如临大敌的感觉。
2024-02-04 19:50:09
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原创 National_Instrumentals_NX_PXIe_1082
National_Instrumentals,NX_PXIe_1082,EXCEL描点法产生COS波形
2023-07-25 19:44:35
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空空如也
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