【CMOS输出缓冲器驱动强度】

一 、学习笔记

原始资料：https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhcae18/zhcae18.pdf?ts=1743589394832

Q1、电平转换芯片的其中一个关键指标是转换速率，转换速率跟什么因素有关系呢？

1、瞬态驱动强度
上升或下降时间用于评估瞬态驱动强度。需要减小寄生电容。高低电平变化过程中，对输出电容快速充放电，输出管脚瞬间拉电流和灌电流。
oneshot时间是指oneshot模块的MOS管导通的时间。
输入从低变为高，输入和输出之间的MOSFET关闭，输出刚开始是ONESHOT电路和10k等效电阻共同作用，把输出拉高。ONESHOT时间后，ONESHOT电路不再工作，仅有10k等效电阻在工作。

2、静态驱动强度
输出恒定高电平或低电平的能力，通过输出的电流IOH，IOL恒定。可以通过输出高低电平测试来比较。

3、MOSFET尺寸大，布线宽，静态驱动电流强。但会引发寄生效应和输出振铃，导致瞬态驱动强度减弱。