【IC】Hybrid Bonding技术

Mike_Zhg

已于 2024-12-20 16:16:51 修改

阅读量939

点赞数 20

文章标签：个人开发

于 2024-12-20 16:14:34 首次发布

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/u011808788/article/details/144613710

版权

从纳米到埃米，芯片制造商正在竭尽全力缩小电路的尺寸。但面对算力需求的激增，一项涉及更大尺寸（数百或数千纳米）的技术——混合键合（Hybrid Bonding）——将在未来五年内扮演重要角色。近日，IEEE Spectrum的文章“The Copper Connection: Hybrid Bonding is the 3D-Chip Tech That’s Saving Moore’s Law”深入分析了由于摩尔定律逐渐崩溃，晶体管缩小的速度正在变慢，但混合键合为芯片制造商提供了新的解决方案，通过增加晶体管数量来提升处理器和内存的性能。文章的主要观点概括如下：

在这里插入图片描述

混合键合是什么？

混合键合（Hybrid Bonding）技术，作为3D芯片制造的关键技术，正在逐步改变芯片行业的格局。它通过在同一封装内堆叠两个或多个芯片，构建出高性能的3D芯片，从而满足日益增长的算力需求。尽管摩尔定律逐渐崩溃，晶体管缩小的速度放缓，但混合键合为芯片制造商提供了新的解决方案，通过增加晶体管数量来提升处理器和内存的性能。

今年5月的IEEE电子元件和技术会议（ECTC）上，来自全球的研究团队展示了混合键合技术的最新进展。其中，3D堆叠芯片之间的连接密度达到了前所未有的水平，每平方毫米硅片上可建立约700万个连接。英特尔的Yi Shi指出，这种高密度的连接是半导体技术新进展的必然结果，也是实现系统技术协同优化（STCO）的关键。