Pelgrom’s Law-- 佩尔格罗姆定律
工艺偏差与有效栅面积的根成反比,栅面积为栅长度L和有效栅宽W:
σ I o n = A i L W \sigma I_{on}=\frac{A_i}{\sqrt{LW}} σIon=LWAi
特别是在先进工艺下,如果晶体管要做的更小,缩小沟道长度和沟道宽度等指标,则工艺偏差会变大。
参考资料:
1.IEDM 2024 Short Course
2.A comprehensive Pelgrom-based on-current variability model for FinFET, NWFET and NSFET