【IC】MOM、MIM 和 MOS 电容器之间的区别

从最基本的层面上讲，所有电容器都通过由介电（绝缘）材料隔开的电导体（极板）来存储能量。当一个极板接收正电荷而另一个极板接收负电荷时，电容器就会保持电荷。电容器种类繁多，用途各异 — 从存储数字电路中的计算机内存，到过滤电子信号中的噪声，再到保护电路的一部分免受另一部分的影响，等等。

让我们来看看三种常见的模拟集成电路电容器：金属氧化物金属、金属绝缘体金属和金属氧化物半导体电容器。

什么是金属氧化物金属 (MOM) 电容器？

金属氧化物金属 (MOM) 电容器是芯片中使用的小型多功能设备。它们是由金属层形成的交错式（像两只紧握的手的手指一样交错）多指电容器。标准金属布线（以及可选的通孔 - 接线板上的镀通孔）用于创建电容器的极板，极板之间的横向（层内）电容耦合效应产生所需的电容。

与垂直耦合相比，这种横向电容耦合具有更优的匹配特性，这主要是因为横向尺寸的工艺控制比金属和介电层厚度的工艺控制更严格。为了增加电容密度，可以使用通孔将多个金属层并联，形成垂直金属壁或网格。通常，MOM 电容器采用金属线宽和间距最小的最低金属层（如 M1-M5），以最大化电容密度。

金属氧化物金属电容器结构

金属氧化物金属电容器的优点

• 低成本
• 高电容密度
• 优异的射频（RF）特性
• 优异的匹配特性
• 无需额外的遮罩层
• 对称平面结构

金属氧化物金属电容器的缺点

• 中等底板寄生效应
• 低密度
• 更高的串联电感和电阻
• 低击穿电压

金属氧化物金属电容器的应用

• 高速 集成电路