33、超薄芯片技术：背照式成像器与薄太阳能电池的前沿进展

超薄芯片技术：背照式成像器与薄太阳能电池的前沿进展

背照式成像器技术

在背照式成像器（BSI）的制造过程中，有多个关键步骤和技术值得关注。

硅片减薄与处理

硅片减薄是一个重要环节。由于研磨可能会造成亚微米级的损伤，所以通常在达到最终厚度前几微米时停止研磨，剩余的硅通过湿法蚀刻去除，同时也能消除研磨损伤。当减薄到30微米以下时，需要使用处理/支撑/载体晶圆。硅和热膨胀系数（CTE）匹配的玻璃载体都可以使用，玻璃的优势在于透明，便于背面处理时进行背面校准；而硅载体则可利用红外校准，因为硅对红外光具有一定的透明度，不过这取决于其厚度、衬底粗糙度和波长。

对于单片式BSI成像器，通常采用与硅衬底永久键合的方式。而混合式BSI成像器需要对减薄后的晶圆两面进行处理，为此开发了专门的工艺，涉及在两个载体之间转移。背面减薄和处理后，将薄的器件晶圆键合到第二个载体上，然后移除第一个载体，再次露出正面，这种“薄晶圆翻转”工艺可让正面处理继续进行，例如形成凸点。

载体类型	优势
玻璃载体	透明，便于背面校准
硅载体	可利用红外校准

graph LR
    A[开始研磨] --> B[接近最终厚度]
    B -->