如何选择 MOS 管（1）- 电机控制

本文简单介绍电机控制应用场景下的 MOSFET 器件选择考虑因素。

目录

一. MOS 管选择通用考虑 

二. 电机控制场景

三. 总结

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一. MOS 管选择通用考虑 

1.封装匹配。具体取决于应用是否需要封装兼容性。如果没有，选择性会更多，但是通常为了节省板上空间，建议使用大小相等或更小封装的器件。

2.击穿电压匹配。MOS 管在电路中的的作用是阻断特定电压，因此和原来的 MOS 管相比，选择具有等于或大于原来击穿电压的器件。击穿电压越高，单位面积阻抗（RSP）越大。

3.阻抗匹配。这是比较模糊的考虑因素。普遍误解是阻抗是所有 MOS 管应用中最关键的参数，但由于最终应用的不确定，阻抗的影响也不一样。阻抗匹配时，可以使用典型值或最大值，因为数据手册提供了两者（通常设计到最大值），一个好的经验法则是，如果两个MOS 管的阻抗误差在 ±20% 以内，可以近似认为匹配。

4.成本考虑。老一代硅产品可能需要更多的硅才能实现类似的性能，具有相同包装，电压和类似阻抗但价格有很大不同的两个器件，那么低价器件很有可能是一个较新的解决方案，而且通常是较好选择。

二. 电机控制场景

首先考虑的是击穿电压选择，因为电机控制与电源应用相比，工作频率较低，具有更小的振铃。设计中为了在输入电源轨和 MOSFET 击穿电压（通常使用缓冲器）获得较低电阻的FET， BVdss 和最大输入电压 Vin 之间有 40% 的电压间隔，预留 10% 电压裕量来防止振铃效应对电路产生作用。

封装由设计的功率密度要求决定，如下图所