【硬缸·EP2.0】MOSFET的特性与选择

笔者语：

这是硬缸系列的第二集，今年(划去)春节前我一定会把它补完的（FLAG)

这是硬缸系列的第二集第一部分，MOSFET的特性与选择。

长期连载，这个系列的其他集点击这里

写这篇文章的时候，我参考了大量的文章，这些文章通常来自值得信赖的电子元件公司或权威的EE杂志。在一些地方，我引用了他们的 图片（假如您是图片的作者，觉得不合适，可以及时的E-MAIL我），感谢这些工程师的工作。有一些文章，没有做出引用但是同样很有帮助，我也一并放在下面（小服务器放不下，大家可以自行搜索，后续有时间可能会做一些翻译工作，到时候再放出）。

参考资料：

TI:

《History of FET technology and the move to NexFET™》

《看懂MOSFET数据表》

ON-SEMI:

AN-6099：《采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流 应用的系统效率和功率密度》

AN-9010：《MOSFET Basics》

AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南

ST:

SILICA-STDay-MotorControl-2015/LV_F7_EMI.pdf

 

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），是近年来大量使用的分立半导体器件。

随着技术的不断提高，民用市场的爆发等多重因素的影响下，我们可以看到650V以及100V以下的MOS产品越来越丰富（主要用于移动电源和适配器）。封装技术也在不断升级，我们可以看到现在不少IC可以内置功率MOS，这在以前是不可想象的（因为二者的工艺完全不一样）。

！！！！下列涉及的MOS技术参数，都是需要注明在一定的条件下测得才有意义！！！！

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注：模电课介绍MOSFET时常常将他用于放大器，但是实际生产实践中，一般用作开关的会更多一些。此文也只着重介绍其作为开关时的一些特性。

一、结构

MOSFET的结构决定了他的具体性能的上限。多年以来，人类的科技树主要发展了低压MOS，高压MOS以及宽禁带半导体。

一般认为，05年之前，主要是发展了半导体器件技术，05年之后，主要是发展了封装/散热技术，以及系统集成技术。

人类点科技树，无非就是这么几点：

-更低的RDSo