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原创 推挽振荡 ZVS 电路
推挽振荡 ZVS(Zero Voltage Switching)电路是一种,广泛用于。它的核心在于利用使 MOSFET 在(或接近零电压)时开关,减少开关损耗,提高效率。推挽电路采用两个 MOSFET 交替工作,每个 MOSFET 关断时,负载电流会流入对方 MOSFET 的体二极管,并逐渐衰减,使得 MOSFET 在导通前漏极电压自然降到零。这与的工作方式类似,通过谐振元件的储能与释放,实现 ZVS。
2025-03-30 21:04:34
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原创 数字隔离器选型与设计
例如,对于 ISO7721DWR 来说,最佳做法是将不用的信号输入引脚通过上拉电阻连接到它的 VCC(首选 4.7-kΩ 电阻)。如果数字隔离器的输入通道无电压或者说引脚保留为浮置,它相应的输出引脚为预定义状态(称为默认状态或故障保护状态),可能为低,也可能为高,这取决于所选的设备。的电源电压为 5 V,它对接微控制器(MCU),那么很重要的一点就是 MCU 信号也工作在 5V 逻辑电平。数字隔离器未用通道的输入引脚可出于测试目的保留为浮置,但在应用中,浮置未用引脚会导致产品的抗噪度下降。
2025-03-30 19:16:30
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原创 IGBT的擎住效应
动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快(di/dt 大),dv/dt 很大,引起的较大位移电流,流过 Rs,产生足以使 NPN 晶体管导通的正向偏置电压,造成寄生晶闸管的自锁。IGBT 结构中包含 MOSFET 和 PNP 双极晶体管,由于内部的寄生晶体管结构(NPN 和 PNP 形成的寄生闩锁),在特定条件下可能触发一个正反馈回路,使器件处于不可控的导通状态,即“擎住”。在某些条件下,寄生晶闸管可能被触发,进入持续导通状态,即使栅极关断信号已经撤销,器件仍然保持导通状态,形成擎住效应。
2025-03-30 10:02:07
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原创 一些硬件知识【2025/3/29】
还有第三种方式,是叫做:二级关闭,这种方式简单来说,就是检测到了短路,过流信号,PWM此时这个脉冲并没有打算软关闭或直接关闭,而是立即将此时刻对应的VGE驱动脉冲电压降低到8V左右以此来判断是否还是在过流或短路区域,如果还是,继续沿用这个8V的驱动,一直到设定的时间,比如多个个us还是这样就会立即关了,如果是,PWM将会恢复正常。这种方式一般可能见到不多,所以我们不做深入研究。采取软关闭,可以有效防止在关闭的瞬间造成电路的电压升高的情况,关闭特性非常软,很温柔,非常适合于高压大功率的驱动电路。
2025-03-29 13:28:23
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原创 频谱分析仪的最大保持功能
专门应用于例如遥控器之类的,按一下,一瞬间出现的信号的测量。把仪器连接天线,观测空间中的一些信号,比如WIFI的信号,我们可以看到仪器接收到的信号其实是一直变化的,并不是每一次扫描都能扫到我们想要的这个信号,不太方便我们去读取信息。这个时候就需要用到频谱分析仪的最大保持功能。可以让频谱分析仪在多次扫描的过程中,每个频点只取最大值保存和显示。我们点击频谱分析仪的Trace按键,然后选择MAX HOLD最大保持,我们来看屏幕上的频谱曲线,他显示这段时间内的最大值,这样就方便我们去观察突发的信号了。
2025-03-28 21:47:39
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原创 EMC电源端传导干扰预测试
1.EMI接收机和人工电源网络的电源线都插在隔离变压器上面,隔离变压器的电源插在AC220上面。没有限幅器的话,加一个衰减器,增加衰减器之后信号比实际值大40dB,这一点注意。EMI接收机前面需要加上限幅器和电子开关,防止损伤EMI接收机。本实验需要在微波暗室里面进行,隔离外界干扰。人工电源网络的信号输出端连接EMI接收机。
2025-03-28 21:19:04
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原创 频谱分析仪的几大关键参数
点击Frequency 设置中心频率 点击Span 设置频宽(以中心频率为基准向两端延伸的频率宽度)之后点击Amplitude 设置Ref level 设置屏幕中最大的信号频率,如下图设置的是-20dBm第三部点击Maker ,测量所测频率的最大功率,如下图测得的是-25.65dBm2.知道测量信号的大致范围下进行测量还是点击Frequency 只是不是设置Center Freq ,而是设置 STart 和 End 两个频率截止点。
2025-03-28 17:07:32
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原创 一款适合给运放供电的正负双电源输出芯片
TPS65131-Q1 器件作为双输出直流/直流转换器,可产 生高达 15V 的正输出电压和低至 -15V 的负输出电压, 输出电流通常为 200mA,具体值取决于输入电压与输 出电压比。凭借高达 85% 的总体效率,此器件非常适 合于便携式电池供电类设备。输入电压范围为 2.7V 至 5.5V,因此允许诸如 3.3V 和 5V 的电压轨为 TPS65131-Q1 器件供电。TPS65131-Q1 器件采用具 有散热焊盘和可湿性侧面的 QFN-24 封装。
2025-03-22 16:18:32
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原创 免费的数据手册翻译软件
【X电容Y电容#电容#电子元器件 #开关电源 #滤波器】https://www.bilibili.com/video/BV1v6PKeyEpD?
2025-03-22 15:22:56
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原创 用逻辑分析仪分析SPI波形
接线方面一共需要三根线(MOSI,SCL,GND逻辑分析仪的最大深度要高于SPI 时钟(APB2分频) 5-10倍才可比较好的还原信号。此时SPI频率为(APB2)72/8=9,所以我们逻辑分析仪的深度至少是要9×5=45(MHZ)。:1位(高电平)。:8位(例如,0x03表示读取操作)。:8位(例如,传感器数据0xA5:1位(奇偶校验)。:1位(低电平)。
2025-03-22 13:30:05
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原创 用逻辑分析仪分析Usart波形
4.数据位,起始位之后,跟着要传输的数据,数据可以是5、6、7、8、9等位,构成一个字符,一般是8位;2.串口配置:19200bps,8数据位,奇校验,1个停止位,从低位开始传输(LSB),数据为0xAA、0xBA 图中的“Right”表示校验正确。②奇校验(odd parity),如果数据位中“1”的数目是偶数,则校验位为“1”,如果“1”的数目是奇数,校验位为“0”;③偶校验(even parity),如果数据为中“1”的数目是偶数,则校验位为“0”,如果为奇数,校验位为“1”;
2025-03-21 21:40:20
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原创 一些硬件知识【2025/3/1】
里面的电源驱动芯片是VPS8702,价格大概在1块钱左右。可以看到其特点也正符合B0505S这种小型的隔离电源模块。其内部是一个全桥的拓扑,可以驱动外置变压器从而达到将外部输入电源隔离输出的目的。并且他集成了过流检测保护和过温保护的功能,可以大大避免输出短路造成模块损坏的概率。
2025-03-21 21:18:52
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原创 用逻辑分析仪读取AHT20的IIC信息
1.设置IIC的解码器2.配置一下IIC的两个通道地址:3.设置采样速率:4.成功抓取到了数据:写入:0x38地址+一个SDA方向位 ——之后写入测量命令0xAC 0x33 0x00三个命令:(DW代表写入信息)获取到芯片发来的测量数据:0x38是芯片地址+其他位是测量信息(DR是读取信息)后面上图接收到的7个数据,对应于下图中的六个信息(蓝色的六个信息):、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、其他知识:EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT
2025-03-19 19:39:51
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原创 一款支持电流防倒灌和多电源切换芯片
LM5050-2 可连接 +6V 至 +75V 的电源,并可承受高达 +100V 的瞬态电压。LM5050-2 还提供 FET 测试诊断模式,允许系统控制器测试短路的 MOSFET。宽工作输入电压范围:+6V 至 2 +75V • +100V 瞬态能力 • 用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器 • MOSFET 诊断测试模式 • 对电流反转的快速 50ns 响应 • 2APeakGate 关断电流 • 最小 VDS 箝位,可实现更快的关断 • 封装:SOT-6(薄型 SOT23-6)
2025-03-18 21:21:04
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原创 RS485电路设计注意事项
RS485用缆线两端的电压差值来表示传递信号,逻辑“1”以两线间的电压差为+2V~+6V标识,逻辑“0”以两线间的电压差为-2V~-6V标识。由此可见,接口信号电平较低,不易损坏接口电路的芯片。RS485 仅仅规定了发送端和接收端的电气特性,没有规定或推荐任何数据协议,简而言RS485 仅仅只是电气上的协议。MCU可以通过串口,经过RS485变换芯片之后自动生成所需要的RS485的电平标准,RS485本质上没有协议帧。
2025-03-18 19:15:17
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原创 用BQ7692003PWR来弄清楚IIC
电源管理芯片借助IIC和外部的MCU进行通信:下图是这个芯片的IIC时序图:1.知道这个芯片的通信速率和IIC地址:2.知道代表不同信息的寄存器的地址,并和其建立联系:100-kHz I2C interface and acts as a slave device. The I2C device address is 7 bits and is factory programmed。说明了这个芯片的IIC频率支持100Khz , 地址位 7 bits下面又给了一张表格,介绍了一下不同版本的芯片I
2025-03-17 19:52:54
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原创 磁环的选型
磁环的等效模型:阻抗特性曲线:但是实际购买的过程中,商家并不能提供他们所卖磁环的阻抗特性曲线:不同的信号经过磁环时,表现的阻抗不同,选型时,通过示波器测量干扰频率,再选择此干扰频率下,阻抗较高的磁环。扣式磁环与铁氧体的最大区别在于它具有很大的损耗,用这种扣式磁环制作的电感,其特性更接近电阻。它是一个电阻值随着频率增加而增加的电阻,当高频信号通过铁氧体磁环时,电磁能量以热的形式耗散掉。镍锌铁氧体磁导率在100-1000之间,被称为低导磁环。
2025-03-17 18:35:28
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原创 Type_ C和锂电池自切换电路
在拔掉USB电源的瞬间,有没有可能MOS管Q4来不及打开,导致VBAT的电压没有及时切过来?MOS管Q4没有快速打开,VBAT供电不能及时续上来,会导致VOUT电压下降过多,VOUT的负载电路就可能工作异常。如果电路的负载较重,拉取的电流较大,尤其容易出现在供电电源切换时VOUT电压下降过多的问题。在这个电压下,TVS保持高阻抗,不导通。因此,V_R应略高于电路正常工作电压,确保TVS在正常时不导通,仅在过压时动作。锂电池插入,Type_ C不接的时候,PMOS导通,锂电池供电;
2025-03-16 18:20:14
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原创 时钟频率和GPIO的设定【DSP】
EALLOW;// 配置为GPIO模式// GPB4-7为输出,GPB0-3为输入// 禁用输入滤波// 点亮 LEDEDIS;InitPll(3);// 设置PLL参数,实现120MHzEALLOW;// 设置PLL分频器EDIS;
2025-03-13 20:59:03
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原创 利用译码器进行地址扩展【微机原理】
Y0输出 001的话, ABC输入是确定的,都是001,区分高位地址和低位地址的是P2.4号引脚,也就是首个四位二进制中的最后一位不确定的位,有两种取值,属于无关项。这个芯片若想工作,则输入给其CE(取反)的信号必须是低电平,也就是Y0(取反)引脚必须输出低电平,那么另外三个一定是高电平,这样输出确定,输入A B C 也确定了。要想芯片2工作,则Y1(取反)必须输出低电平,则译码器的另外两个输出必须是两个高电平。74LS138的工作条件,G1必须是高,G2G3(取反了)必须是低,芯片才开始工作。
2025-03-13 20:49:45
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原创 IGBT的驱动设计知识
有一个问题,DESAT接的消隐电容220pF作用:当 IGBT 或 MOSFET 关断时,电压瞬态可能会导致误触发。IGBT在正常工作的情况下,Vce电压是0.3V左右,当发生退饱和时候,Vce电压升高到5V 或8V或 9V。DESAT是电阻和二极管是检测IGBT导通压降的。其原理是里面的比较器进行比较输出的。网上没有系统的讲解,都是东一下西一下,知识点比较零散,见谅。电阻越大,EMI效果越好。芯片里面集成了信号变压器,将驱动端和功率端进行隔离。CLAMP是在IGBT关断时低电压锁定。
2025-03-11 15:26:48
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原创 干簧管的使用
干簧管的玻璃管内,密封着惰性气体(也有真空的),因此簧片受潮湿、氧化影响小,更可靠;体积小成本低,对结构设计的要求小;由于干簧管的簧片很小,它的接通和断开速度较快,一般比继电器快5~10倍。通过磁场控制开关,可以应用到一些非接触的电路控制上,如水位开关、洗衣机、电磁炉的门上安装干簧管,可以检测门开启关闭状态。干簧管的缺点是开关容量小,只能过较弱的电流;外部磁场较弱时触点容易抖动或接触不良;玻璃管怕震动、易碎;焊接时不能用太高的温度,否则容易使簧片变形。
2025-03-11 12:47:15
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原创 WS2812和WS2811【单IO控制1024个LED】
普通的三色LED需要三根线,分别控制:而下图中的LED集成了WS2812芯片,只需要一个引脚就可以控制三色LED:WS2812是一种数字RGB LED灯珠,它是一颗RGB三色LED和驱动芯片集成在一个封装中。WS2812的工作电压是5V,每个LED的电流为20mA,每一个LED都是可编程的。WS2812在控制方面具有很大的优势,内置了256级克度控制和颜色控制电路通过串口方式可以非常方便地控制各个LED灯珠的亮度和颜色,在应用领域非常广泛。
2025-03-11 12:27:10
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原创 一些优秀的硬件方案及芯片
功率硬件方向主要指的是板级电源,电池、电机驱动等硬件研发;需要掌握的内容一般为板级电源,电池BMS板与桥式电机驱动等相关电路的器件选型及电路设计;高速硬件方向主要指的是高速信号SI设计,如DDR,PCIE,USB等信号的正向设计与仿真,原理图设计与PCB布局走线约束等;影像硬件更多指的是针对相机内硬件的设计,比如相机sensor超低纹波电源设计,镜头马达驱动设计,快门光圈电路设计等;整机可靠性主要指的是我们的热设计,EMC/EMI电磁兼容性与抗扰度,RF射频,无线GNSS底噪等技术方向。
2025-03-11 10:34:20
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原创 BUCK中自举电容串接电阻&二极管倍压电路
这个MOS的主要作用是减缓上管MOS的导通速度:但是加了这个电阻的话,电路的开关损耗会增加:输出电压是输入电压的两倍,但是输出电流较小,驱动能力较弱:输入电压是交流电,输出电压是脉动的直流电:交流电上正下负的时候,C1充电;交流电上负下正的时候,C2充电,C2最大电压是2Vm;这个电路有一个缺点,C2的2倍电压是慢慢上升的,上升到Vm需要一段时间:、如果要输出负电压的2倍压,只需要将两个二极管的方向各自换成反方向就可以了:3倍压:
2025-03-10 20:48:55
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原创 一些硬件知识【2025/3/10】
下图中,如果是-5V输入,输出电压到0V;如果是+5V输入,输出电压到2.5V:推导根据基尔霍夫电流定理,推导出R1 R2 R3的相对大小:学习自:【004.如何在没有负压电源的情况下测量正负电压信号】https://www.bilibili.com/video/BV12gRYY2EDi?
2025-03-10 19:20:21
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原创 以太网口的协议与电路波形
一直有一个疑问,MCU通过SPI协议与一个以太网芯片通信,这个芯片直接将其转化为了以太网所需的电平和协议标准,这其中发生了什么,开发者有需要关注哪些方面呢?
2025-03-08 21:38:10
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原创 查理复用算法(妙用IO的三态)
单片机的 I/O 口可以设置为高电平(1)、低电平(0)或高阻(Z)。通过将某些 I/O 口设为高电平、某些设为低电平、其余设为高阻,可以控制不同的 LED 亮灭。每颗 LED 由两个 I/O 口控制,一个为阳极(高电平),一个为阴极(低电平)。通过动态扫描不同的 I/O 口对,可以点亮特定的 LED。主要为了解决解决一些管脚很少单片机在多路显示的情况下,控制更多的。指不外在增加辅助芯片的情况下完成少量IO控制多与IO口数量的。在MCU的IO资源受限的情况下,控制多个LED有妙用!,而不是传统的 3 颗。
2025-03-08 17:51:37
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原创 一款自振荡式600V半桥栅极驱动芯片(无需外部PWM)
防止过压损坏 MOSFET。这意味着即使 VCC 电压更高,输出的驱动电压也会被限制在 15.6V 以下。,防止同时导通导致短路。1.2μs 说明该芯片在高低侧切换时会自动插入。应用在电磁炉或者其他家电,电源场景中能降低很多成本。,而 40ns 传播延迟则影响信号的同步性。,比如 50kHz - 200kHz,是由。,以避免直通损耗,提高效率和可靠性。80ns 上升时间意味着它可以支持。,用于保护 MOSFET。
2025-03-08 15:45:14
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原创 风寒与风热型感冒
流清水鼻涕,别吃、抗病毒等等这些清热解毒的寒凉药。真的是挺让人气愤的,这几天陆续遇到好几个不满3岁到5岁小朋友,都是流清水鼻涕,去医院开的都是抗感颗粒这一类热感冒吃的药,孩子吃了一周左右还不见好,家长很无奈。刚才有个河南的小朋友,5岁她妈妈说孩子流清水鼻涕,鼻塞10天了,还不见好。我说流清鼻涕、打喷嚏鼻塞,是受寒了。我问她有没有干预处理?她说医生开的抗感颗粒,吃了好几天,就是不见好。我说这是吃错药了,孩子明明是受寒感冒,却吃了清热解毒的药,这是雪上加霜,能好才怪。她很着急的问我,有啥办法可以补救?
2025-03-08 12:37:08
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空空如也
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