18、DRAM技术全解析：从基础操作到性能优化

DRAM技术全解析：从基础操作到性能优化

1. DRAM基本操作与时序

DRAM（动态随机存取存储器）的基本操作主要包括输出使能（OE）、地址选择和数据输入输出。
- 输出使能（OE） ：OE信号为低电平时有效。在读取操作中，当OE为低时，数据一旦可用就会出现在数据输出端；而在写入操作时，OE应置为高电平。
- 地址 ：地址用于选择芯片上的存储位置。存储设备的地址引脚采用复用技术，用于行和列的选择。
- 数据输入输出 ：DRAM的数据引脚既用于输入也用于输出。写入操作时，数据引脚的数据会被存储到选定的存储单元；读取操作完成且OE为低电平时，选定存储单元的数据会出现在数据引脚上。

1.1 读取数据

从DRAM存储单元读取数据时，需按以下时序步骤操作：
1. 在行地址选通信号（RAS）变为低电平之前，将行地址施加到存储设备的地址输入引脚。
2. RAS从高电平变为低电平，并保持低电平一段时间（tRAS）。此时，由行地址指定的存储行被打开，选定行中存储单元的电荷开始流向位线。
3. 在列地址选通信号（CAS）变为低电平之前，将列地址施加到存储设备的地址输入引脚。
4. 在CAS转换之前，写使能信号（WE）必须设置为高电平以进行读取操作，并在CAS转换后保持高电平。
5. 经过规定的时间（tRCD）后，CAS从高电平变为低电平，并保持低电平一段时间（tCAS）。RAS到CAS的延迟时间（tRCD）确保选定存储单元的电荷到达位线，并被灵敏放大器正确感应。
6. 数据出现在存储设备的数据