太赫兹超材料吸收器与自适应频率估计算法研究
1. 太赫兹超材料吸收器研究
1.1 超材料概述
超材料在将电磁能转化为热能的过程中,其衰减量取决于材料的频率、磁导率和介电常数。超材料具有紧凑、易于制造、重量轻、在宽频带内与极化无关以及能在宽频率范围内实现完美吸收等优点。它通常由顶层和接地金属平面组成,中间由介电基板隔开,介电基板用于吸收最大能量,接地平面采用理想导体以阻止传输。顶层由周期性单元或阵列构成,其周期性远小于工作波长,厚度、尺寸和工作带宽是重要参数。目前,紧凑单元和多频带超材料的设计是研究人员面临的主要挑战。近年来,超材料吸收器(MA)在太赫兹波段备受关注,在传感、检测、测辐射热计、成像等领域有重要应用。
1.2 已有太赫兹吸收器设计
- 三宽带极化敏感MA :由GaAs隔开的金属层组成,厚度超薄(0.028λ),吸收峰分别在1.71 THz、3.16 THz和4.89 THz,吸收率分别为99.4%、99.6%和90.5%。
- 六频带太赫兹吸收器 :基于三个同心对称圆形分裂环和一个对称方形分裂环设计,所有吸收峰接近99%,吸收峰分别在0.3 THz、0.6 THz、0.816 THz、1.56 THz、2.259 THz和2.52 THz。
- 宽双频带可切换石墨烯基太赫兹MA :在0.473 - 1.407 THz和2.273 - 3.112 THz频率范围内吸收率为80%。
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