43、半导体相关研究领域的综合概述

半导体相关研究领域的综合概述

1. Ⅲ - V 族化合物物理研究

Ⅲ - V 族化合物半导体在现代半导体技术中占据着重要地位，相关研究涵盖多个方面。在基础物理特性方面，有对其关键特征的研究，如 C. Hilsum 探讨了Ⅲ - V 族化合物的一些关键特性；Franco Bunani 提出了适用于Ⅲ - V 族化合物的能带计算方法；E. 0. Kane 介绍了 k - p 方法。这些基础研究为后续深入了解Ⅲ - V 族化合物的物理性质奠定了理论基础。

在半导体能带结构方面，V. L. Bonch - Bruevich 研究了重掺杂对半导体能带结构的影响；Donald Long 关注了Ⅲ - V 族化合物混合晶体的能带结构。这些研究有助于理解材料在不同掺杂和混合情况下的电学性质。

此外，还有关于磁量子效应、热磁效应等方面的研究。Laura M. Rorh 和 Perros N. Argyre 研究了磁量子效应；S. M. Puri 和 7. H. Geballe 探讨了量子区域的热磁效应。这些研究丰富了对Ⅲ - V 族化合物物理性质的认识，为其在不同领域的应用提供了理论支持。

研究方向	研究者	研究内容
关键特性	C. Hilsum	Ⅲ - V 族化合物的一些关键特性
能带计算方法	Franco Bunani