42、氧对电子器件性能的影响

氧对电子器件性能的影响

1. 超大规模集成电路面临的挑战

随着超大规模集成电路（ULSI）尺寸缩小至半微米级别，且在小芯片面积上集成了高达 3000 万个元件，明确器件故障模式的根源变得极为困难。而这对于实现高产量的器件来说是必不可少的。尤其是氧对器件性能的影响复杂且重要。

2. 氧对器件性能的影响

2.1 微小氧相关缺陷的影响

在洁净区（Denuded zone）中，少量与氧相关的缺陷会极大地影响器件性能。例如，氧沉淀会与重金属杂质结合，产生塑性变形，导致器件特性下降。

2.2 氧对器件性能影响的具体表现

影响类型	具体表现
电学性能	影响二极管泄漏电流、扩散电流、漂移电流等，降低器件的电学稳定性。
机械性能	引发位错、产生应力，影响器件的机械强度和可靠性。
晶体结构	导致晶体缺陷的产生，如位错、层错等，破坏晶体的完整性。

3. 缺陷控制技术的重要性

为了获得高可靠性和高产量的器件，缺陷控制技术变得越来越重要。其中，内吸杂（Intrinsic gettering，IG）技术与氧密切相关，它有望通过超净技术持续支持 ULSI 硅产业的发展