ZYNQ没有DDR3也能让程序在OCM里面跑。

最新推荐文章于 2025-11-04 13:14:59 发布
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明(523174158) 上午 9:22:37

自己的板子上DDR有两个脚封装画反了，用不了

明(523174158) 上午 9:22:57

炸了炸了

明(523174158) 上午 9:27:25

只能在OCM上跑程序

 

ZEDBOARD板子配套的视频，购买地址是：sysclk.taobao.com  对售后还进行免费技术支持。可加微信随时联系。

 

就是在FSBL里面写你要跑的内容，就是在OCM里面跑。这点在售后视频转门一集有介绍：

47,在无DDR3的ZYNQ系统中实现对PL的配置以及运行简单的PS程序。

ZYNQ OCM与DDR核间数据共享速度测试全解析：从原理到创新优化
QQ_778132974的博客
05-16 348
通过实测分析，OCM在低延迟场景优势显著，而DDR适合大数据存储。混合存储架构与动态调度策略可有效平衡性能与资源消耗。智能预测算法：基于历史数据动态调整存储阈值。硬件辅助同步：利用PL实现零拷贝数据传输。参考资料ZYNQ Cache一致性问题解决方案TI多核通信策略Xilinx DMA与Cache处理通过本文的代码与优化思路，开发者可快速实现高效的核间通信系统，充分发挥ZYNQ多核架构的潜力。
基于ZYNQ的PL与PS交互教程（包含详细设计步骤）
宝沐熙的博客
09-17 1231
基于ZYNQ的PL与PS交互教程，图文较多，主要是blockdesign设计中的框图，基本步骤详细，可按步骤实现功能。最后附上SDK中c代码，方便调试。
Zynq只有OCM，无DDR调试方法
Gentle_qing的博客
01-13 1846
修改FSBL，可以把APP和FSBL编译成一个可执行文件
zynq无DDR使用OCM加载程序运行
nabiaosu8432的博客
12-28 6458
一、使能DDR，但程序不用DDR 赛灵思提供的文档，按照文档进行 链接:https://yun.baidu.com/s/1_tfNnXay524i4u8RS5Rt-Q 密码:nnsa 第八步 改为注释掉FLASH大小选择，均写成128M 就可以成功的OCM加载程序了 二、在硬件中不使能DDR 根据参考 采用的方法是在zynq block design配置时保留ddr，而在程序编...
ZYNQ无DDR运行PS与FPGA
最新发布
egg99的博客
11-04 578
本文探讨了在ZYNQ7014和ZYNQ7020中无需DDR即可运行PS最小系统并配置PL的技术方案，利用OCM和QSPI Flash实现快速启动与高可靠性，适用于工业控制、边缘智能等对成本与稳定性要求高的场景。
不带DDR的ZYNQ使用OCM加载程序运行的方法
hpf247的博客
12-02 5193
软件版本：Vivado Vitis2019.2 第一步： 在Vivado的ZYNQ Block Design时候不配置DDR 第二步： 在Vitis中： 1、 在Vitis中新建Platform，选择xsa文件： 2、 在xparameters.h中添加DDR的地址空间定义，如下： 3、 修改链接文件，修改每个段都到ram_0，因为ram_1空间全部给到应用程序 4、 修改fsbl工程的main.c，增加XPAR_PS7_DDR_0条件编译 5、 修改fsbl.h，重定义DDR_EN
ZYNQ 无DDR 启动
weixin_44845857的博客
08-18 4253
ZYNQ 无DDR 启动1 fsbl_bsp 相关修改Translation_table.sxil_exception.cfsbl 相关修改main.cfsbl.hfsbl_handoff.Sfsbl_hooks.cfsbl_hooks.himage_mover.cpcap.cqspi.cqspi.hlscript.ld添加宏定义2 applicationapplication.clscript.ld3 生成BOOT.BIN 1 fsbl_bsp 相关修改 Translation_table.s 该文件
ZYNQ - 无DDR固化程序（代码运行在OCM上）
Vuko_Coding Zone
11-20 6826
ZYNQ固化时，正常情况下都需要DDR参与，但是有时硬件设计时，可能将DDR去掉或设计出错，这将导致ZYNQ无法正常固化，之前有写过一个使用静态链接库进行无DDR固化的文章，当时那个是压缩了FSBL的相关代码只保留FLASH模式下的功能，对于其他模式可能无法正常使用，本文将无DDR固化的情况进一步进行介绍，讲解如何修改FSBL实现ZYNQ的程序固化，给出一个demo进行演示测试。
zynq无DDR设计参考
10-07
zynq无DDR设计参考，已经在项目上实施，需要更改FSBL才可以。资料里包括微博的内容以及官方原版英文的资料。
精选资源
ZYNQ7014和ZYNQ7020无DDR运行FPGA和简单PS
12-19
但在某些特定应用中，可能由于成本、功耗或设计需求，可以尝试在没有外部DDR内存的情况下运行。 首先，我们来看看Zynq7014和Zynq7020的区别。Zynq7014是Zynq-7000系列的一个型号，它包含了可编程逻辑部分和一个双核...
ZYNQ - 无DDR固化程序（压缩FSBL以能固化更大的应用程序在OCM上）
Vuko_Coding Zone
04-29 3167
应用背景 由于ZYNQ去掉DDR之后，arm空间仅剩余256kbit（192+64），而FSBL占用资源过多，所以对FSBL的配置相关操作进行压缩裁剪，整合到静态链接库，可以用于无FSBL的固化启动。 在FPGA端不ENABLE DDR，在SDK端正常建立工程，补充内容如下： 移动部分文件 将导入SDK的平台文件夹下的ps7_init.c和ps7_init.h移动到src 添加静态链接库 新建一个文件夹（可直接添加在src中）添加libno_ddr_boot.a，将no_ddr_boot.h添加到src中
Xilinx-ZYNQ7000系列-学习笔记（6）：ZYNQ无DDR启动
qq_42826337的博客
05-15 2980
Xilinx-ZYNQ7000系列-学习笔记（6）：ZYNQ无DDR使用OCM加载程序 之前由于某项目需求，需要去掉DDR，但是去掉DDR以后会导致程序无法正常启动，因为默认的启动方式会经过DDR这一步。 在查阅了大量的资料和仔细研究了FSBL的主函数启动顺序后，现总结如下，希望能帮助到大家。 1、导入SDK并创建FSBL文件（这一步就不细说了，具体步骤我在上一篇博客中有写，大家可以参考一下）。 ...
ZYNQ仅有PL端逻辑的程序固化_ZYNQ程序固化至flash中_
10-03
当ZYNQ中只有PL端的程序时，怎么固化到flash中。
ZYNQ设置不从ddr启动，选用从bram启动的方法
星旭的博客
11-28 3626
最近在调试一个项目，ZYNQ能烧写bit文件，但是SDK中烧到99%的时候会出现报错，报错的问题大概是说memory错误。判断有肯能是zynq上的ddr存在有问题。型号选择确定是没有问题。 请教了大佬，说是可以从让arm运行在bram中，因为存储有限，只能跑小程序。 操作方法就是打开SDK软件src下的lscript.ld文件，可以看到有四个存储可以供我们使用，ddr、qspi、ram_0、...
ZYNQ上无DDR加载应用
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无知的我
09-18 1万+
1、背景介绍 为了节约成本和降低功耗，现在板载BMC全部选择了ZYNQ7010，无外挂DDR，存储空间使用QSPI，借助板载OCM执行应用程序。 xilinx网站上提供了一种解决方案，链接如下： https://xilinx-wiki.atlassian.net/wiki/spaces/A/pages/18842377/Zynq-7000+AP+SoC+Boot+-+Booting+and+...
基于ZYNQ 的UART中断实验之串口写数据到DDR3中
qq_41752197的博客
08-22 3407
1、参考 UG585 网络笔记 2、理论知识 参见上一次实验：基于ZYNQ 的UART中断实验 3、实验目的 联系使用UART的中断实验，并将数据写入到DDR3中。 4、实验过程 建立工程，设置并初始化串口中断，在运行程序之后，如果串口接收到N（1-63）个字节数据，则产生串口中断，Zynq响应中断，将数据从RXFIFO读出之后写入到DDR3预定的地址中。 5、实验平台 Microphase ZU...
Zynq处理器的DDR控制器详解
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07-01 2438
在软件代码中，我们需要调用DDR控制器的API函数，如Xil_DCacheFlush()、Xil_DCacheInvalidate()、Xil_DCacheDisable()等。其中，可编程逻辑部分是由Xilinx FPGA实现的，而DDR控制器则是Zynq处理器中重要的组成部分之一。此时，时序控制十分关键。首先，Zynq的DDR控制器支持多种接口类型，包括DDR、DDR2、DDR3和LPDDR等。总之，Zynq DDR控制器是Zynq处理器中重要的组成部分之一，其性能直接影响到系统整体的性能表现。
玩转Zynq连载1——Zynq的linux启动过程
weixin_44355157的博客
04-16 6902
玩转Zynq连载1——Zynq的linux启动过程 更多资料共享 链接：https://share.weiyun.com/5s6bA0s 1概述 简单的，以ug585中的一张图来看，从大的方面说，Zynq中liunx的启动可以分为硬件初始化和软件启动。而硬件初始化，分别是上电（POR）、所有寄存器复位和Zynq芯片的启动模式引脚采样、外设初始化禁能以及PLL的使能。而软件启动，分为3个阶段，分别...
【ZYNQ】ZYNQ器件的DDR3存储器使用相关知识介绍
zgmxs的专栏
05-10 3923
PS部分的DDR3存储器使用，不需要，也不能调用MIG IP来控制，只需要在设计中添加ZYNQ7 Processing System 组件，并配置好DDR相关的参数，即可使用。回到ACZ702开发板本身，该开发板PS侧设计了32位的DDR3存储器模组，但PL侧没有再设计独立的DDR3存储器，PL侧不设计独立的DDR3存储器主要是因为PL侧总共也就100或125个管脚，而一片16位的DDR存储器就要使用40多个FPGA管脚，所以在不是特别必要的情况下，就没有在PL侧设计独立DDR3存储器。
zynq ocm
09-23
<think> 嗯，用户想了解ZYNQ的片上存储器OCM相关信息。用户提问明确提到使用方法和特性，还提到应用场景。根据引用材料，OCM是256KB的SRAM，分四个64KB块，有双端口访问特性。地址范围也很清晰。 引用3提到OCM属于PS部分，引用4说明DMA可以直接访问OCM。这些信息拼凑起来能回答核心问题。用户可能在做嵌入式开发，需要优化数据存取性能，所以特意问OCM。 考虑回答时应该突出双端口特性，说明这是同时被CPU和PL访问的关键。地址范围表必须保留，但改成中文表头更友好。应用场景部分要强调"高频访问数据缓冲"这个点，配合DMA的应用案例会更实用。 特别注意不能把架构图用文字描述，这点用户没要求但引用3提到了APU位置。最后生成的问题要覆盖OCM配置和性能对比，这样用户想深入时才有方向。 </think> 以下是关于Zynq片上存储器（OCM）的详细信息，整合自提供的参考资料并结合技术特性： --- ### **OCM核心特性** 1. **物理构成** - 由 **256KB SRAM** 构成，划分为4个独立的 **64KB存储块**（OCM0~OCM3）[^1]。 - 每个存储块的地址范围固定： | 存储块 | 起始地址 | 结束地址 | |--------|--------------|--------------| | OCM0 | 0x0000_0000 | 0x0000_FFFF | | OCM1 | 0x0001_0000 | 0x0001_FFFF | | OCM2 | 0x0002_0000 | 0x0002_FFFF | | OCM3 | 0x0003_0000 | 0x0003_FFFF | 2. **双端口访问** - 支持**处理器（CPU）与可编程逻辑（PL）同时访问**，实现数据高效传输[^4]。 - DMA控制器（DMAC）可直接操作OCM作为数据源或目标，无需CPU干预[^4]。 3. **低延迟优势** - 因位于处理器系统（PS）内部，访问延迟显著低于外部存储器（如DDR），适用于实时性要求高的场景。 --- ### **典型应用场景** 1. **关键数据缓存** - 存储中断向量表、实时任务栈空间或高频访问的算法变量（如滤波系数）。 2. **CPU-PL数据交换** - 作为PS与PL间的共享缓冲区，加速数据流处理（如视频帧局部数据传递）[^4]。 3. **DMA传输中介** - DMA控制器将OCM作为临时中转站，实现外设↔OCM↔DDR的高效数据搬运[^4]。 --- ### **使用注意事项** 1. **地址映射冲突** - OCM0起始地址（0x0000_0000）默认用于BootROM，若需使用需在启动后重映射[^1]。 2. **性能优化** - 通过**分区管理**避免多核访问竞争（如为每个CPU核心分配独立OCM块）。 3. **与外部存储器协同** - OM通常与DDR配合使用：OCM处理实时小数据，DDR处理大容量存储[^2]。 --- ### **配置示例（伪代码）** ```c // 将OCM1作为数据缓冲区 volatile uint32_t *ocm1_ptr = (uint32_t*)0x00010000; // 通过DMA从外设读取数据至OCM1 dma_config(SOURCE_PERIPHERAL, DEST_OCM1, DATA_LEN); // CPU直接从OCM1处理数据 process_data(ocm1_ptr); ``` ---
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