《炬丰科技-半导体工艺》单晶片湿法清洁工艺的氧气控制

最新推荐文章于 2025-10-24 10:44:57 发布

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#半导体

该研究聚焦于单晶片湿法清洁工艺中，尤其是超稀释HF溶液的氧气控制。通过在线监测氧气浓度，发现在短工艺时间内的氧气控制是个挑战。实验表明，氧气浓度会随着流速增加而降低，并且混合罐的刷新率、阀门操作及预分配时间等参数显著影响使用点的氧气浓度。优化配方可以减少敏感金属如钴的蚀刻速率，提高工艺窗口的稳定性和清洁效率。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶片湿法清洁工艺的氧气控制

编号：JFKJ-21-425

作者：炬丰科技

关键词：低氧工艺、溶氧计、BEOL 清洗

摘要

低氧含量的湿法加工可能会提供一些优势，但是，完全控制在晶圆加工过程中避免吸氧仍然是单个晶圆工具上的短流程工业化的挑战。在线氧浓度监测用于工艺优化。然后，根据记录的氧浓度和处理室中气氛控制的硬件可用选项，评估稀释 HF 溶液中的钴蚀刻。

介绍

FEOL 应用和 BEOL 已经证明了在液体（冲洗水、稀释的酸，如 HF、HCl）和大气中（氮气流、密闭室）中低氧含量的湿法加工的优势应用，以及 2010 年 ITRS 路线图建议在晶圆厂设施提供给润湿设备的超纯水中添加 10ppb。然而，在晶圆加工过程中完全控制避免吸氧仍然是在非常短的工艺时间的单晶圆工具上进行工艺工业化的挑战。

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