- 博客(22)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 LED引线键合方以及其特点
LED晶圆键合是指将发光二极管（LED）芯片与支撑基底（通常为硅晶圆）键合在一起的工艺过程。倒装（焊盘）键合（Flip Chip Bonding）和引线键合随着倒装工艺led的发展，倒装键合的发展趋势不容小觑但目前主要键合方式还是以引线键合为主。有时候不一定越先进就能全部取代旧工艺，市场会根据工艺成本以及产品定位选择。2 8法则也适用于此，80%都是入门低价产品无需高成本工艺。
2025-02-20 10:14:54
1142
原创 LED 高反射率白胶
LED 高反白胶，即高反射率白色胶水，专门用于 LED 封装环节。其核心原理是凭借自身的高反射特性，将 LED 芯片发出的光线最大限度地反射和聚集，有效减少光线在封装结构内部的损耗，从而显著提升 LED 的出光效率与光强，让 LED 发光更为明亮且均匀。在 Mini/Micro LED 封装中，由于芯片尺寸微小，对光线的收集与反射要求极高，高反白胶能精准地将齐纳管和金线焊点等部位可能散失的光线反射回出光路径，极大地优化了光效。
2025-02-17 10:15:09
710
原创 热电分离铜基板技术解析
热电分离（Thermal-Electric Separation）是优化电路板散热的核心技术，通过分离电气导通路径与热传导路径，显著提高大功率器件（如LED、IGBT、MOSFET）的散热效率，确保性能和寿命。结合知乎文章《知乎专栏：什么是热电分离铜基板？浅析热电分离铜基板的特点及加工技术流程》、嘉立创文章《如何设计“热电分离”铜基板凸台》补充实际应用与设计细节。wp:heading热电分离铜基板通过“定向导热通道”设计，解决传统基板的散热瓶颈，已成为高功率电子设备的标配。
2025-02-13 09:36:31
953
原创 三种LED封装技术
成品检测衬底剥离键合工艺反射层沉积外延层制备成品检测衬底剥离键合工艺反射层沉积外延层制备PECVD生长DBR反射镜(反射率>98%)Au-Sn共晶键合(精度±1μm)激光剥离(Laser Lift-Off)蓝宝石基板去除率>99.9%，单位为安培每平方米（A/m²）或安培每平方厘米（A/cm²）。：极限性能的颠覆性技术（大功率、高可靠性需求的未来方向）：技术与性能的平衡选择（中高端场景的性价比之选），单位为平方米（m²）或平方厘米（cm²）。最高结温受限在150℃以下。，单位为安培（A）。
2025-02-10 09:08:43
1180
原创 垂直结构LED芯片制造工艺
实现4英寸硅衬底垂直结构LED芯片制备，光输出功率达468.9 mW。揭示衬底转移缓解QCSE的机制，辐射效率提升。复合微结构显著提高光提取效率。p-GaN层厚度优化可同步提升LEE与IQE。
2025-02-06 14:40:54
769
原创 色度学基础
色度学是研究人的颜色视觉规律、颜色测量理论与技术的科学，涉及多个学科领域，在彩色印刷、摄影、电视、照明工程、计算机图形学等领域广泛应用。
2024-12-31 10:01:24
930
原创 LED 基础知识：光色的测量 [详细图解]
第一、LED 产业的发展离不开 LED 的光色测量技术，而为了适应 LED 的照明应用，未来的光色测量技术应该有新的突破。第二、LED 照明与光色测量应该以人为本，一切以适应人类的实际要求为导向。第三、当前任务： （1）加强人体相关的生物学基础理论的研究，促进学科的交叉合作。（2）与国际接轨，加快规范性文件的制定与实施，努力并积极地参与 CIE、IEC 等国际知名组织的活动。（3）加大科研投入，研发具有自主知识产权的光色测量仪器。
2024-12-30 11:29:50
1383
原创 LED 结温的影响及测量方法
在恒定的电流下，随着结温的升高，蓝光部分的峰值波长会发生红移，导致荧光粉的有效激发效率降低，所以当温度不断上升时，荧光粉的光转化效率也在不断的减小，蓝光 LED 芯片的发光强度和荧光粉发光强度都会下降，但是荧光粉发光强度的减弱更加明显，从而使光谱中蓝光比例发生改变。LED 器件的寿命与传统发光半导体器件的寿命定义不同，传统发光半导体器件的寿命器件技术定义为器件的失效期限，而 LED 器件的寿命指的是器件的光衰，通常定义为 LED 光通量从开始衰减到初使值的 70% 的时间段为其寿命。
2024-12-30 09:51:12
1353
原创 大功率LED基础学习笔记
大家从小听说爱迪生发明（改良）电灯，其白炽灯工作原理为：灯丝通电加热到白炽状态，利用热辐射发出可见光的电光源。由于发光时释放大量的热，因此白炽灯为热辐射光源，多数热量无法得到利用，因此能量利用低，不符合绿色生态观念。
2024-12-24 11:15:39
585
原创 先进芯片封装初级4
封装材料在半导体器件中起着至关重要的作用，包括保护芯片、实现电气绝缘、散热、提供机械支撑以及防潮和防氧化等功能。主要的封装材料有陶瓷材料、固态封模材料（EMC）和液态封止材料（LE）。
2024-12-16 17:18:53
1230
原创 先进芯片封装初级3
依据 IC 芯片数目、封装材料、与电路板接合方式、引脚分布型态、封装形貌与内部结构等因素对 IC 元件进行分类命名。引脚插入型（PTH）：引脚插入电路板的孔中，通过焊锡固定，如传统的 DIP 封装。表面黏着型（SMT）：先将接脚黏贴于电路板上后再以焊接固定，包括海鸥翅型、钩型、J 型、直柄型等引脚类型。舍弃第一层级封装而直接将 IC 芯片黏结到基板上的裸晶型（Bare Chip）封装（也称为 DCA 封装）也属于 SMT 接合的一种。
2024-12-16 13:45:29
1248
原创 先进芯片封装初级2
技术类型及功能IC 芯片需与封装基板或导线架完成电路联接才能实现电子讯号传递，主要连线技术有打线接合（Wire Bonding）、卷带自动接合（Automated Bonding，TAB）、覆晶接合（Flip Chip，FC）。不同技术在面积比例、重量比、厚度比、I/O 数、矩阵及环列接点间距等方面存在差异。
2024-12-16 13:24:52
926
原创 先进芯片封装初级1
英文为 Chip，别称 IC（集成电路：Integrated Circuit 的缩写）。是在半导体晶体片上制造的电子元器件的总称，集成了晶体管、电阻、电容等多种基础器件，形成一个功能完整的电路，可实现复杂计算和控制功能。英文 Integrated Circuit，IC。一种微型电子器件或部件，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等组件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体芯片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。3。
2024-12-14 16:24:46
895
原创 先进芯片封装技术学习笔记
先进之处：集成度高、尺寸小且轻量化、性能优异（连线技术先进、热管理良好）、多功能集成、制造灵活性高、多种材料应用广泛。封装架构：包括倒装芯片技术（Flip Chip）、系统级芯片（System on Chip）、芯粒（Chiplet）、多芯片模组（Multi Chip Module）、叠层技术（Package On Package & Package In Package）、系统级封装（System in Package）、晶圆级封装（Wafer Level Package）等。
2024-12-13 17:51:10
2504
原创 先进芯片封装工艺流程、设计与材料
C4NP 技术是 IBM 开发的全新焊锡凸点制作技术，弥补现有晶圆凸点制作技术局限性，已成功应用于 300mm 无铅焊锡凸点晶圆制造，节距 200µm 和 150µm 产品获质量认证并量产，有望扩展到 50µm 细节距微凸点，目标应用于 3D 芯片集成，促使存储器晶圆由引线键合向 C4 凸点转变。
2024-12-12 14:12:04
2226
1
原创 markdown笔记语法简单入门
喜羊羊](https://gss0.baidu.com/7Po3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/pic/item/77094b36acaf2edd7c74ea918f1001e9380193c5.jpg)我们可以找到一张网络图片!> 一级标题表示为# xxx （在一级标题的文字前方加一个#和一个空格）**注意此图片地址可选择导入本地图片地址也可以选择网络图片的地址。> **注意一定要英文的感叹号、中括号、以及小括号**效果：***hello world！
2024-12-09 13:37:15
381
原创 半导体常见口语集合
表示小心、注意或关心，如 “你 care 下这个参数设置” 意为 “你要注意这个参数设置”，“我不 care” 表示 “我不关心这些”。：pilot run，小批量生产，如 “pi run 一批 lot 去 etch 看 inline cd”。：可表示运行、执行或跑，如 “你去 run 这个 recipe”“你去把这些 wafer run 一下”。：设备运行的监控，确保设备可以正常工作，如 “注意一下设备的 pm monitor 结果”。：机器、设备，如 “这个 machine Down 掉了”。
2024-12-03 15:37:54
2977
原创 史上最全的半导体常用词汇整理
（一）半导体公司常用部门HR（human resource）：人力资源部GA（general affairs）：总务部Accounting：会计部MFG（manufacturing）：制造部EE（equipment engineer）：工程部PE（process engineer）：制程部门PC（productin control）：生产控制PR（public relation）：公关部PIE/PDE（process integration）：工艺整合QE（qualit
2024-12-03 09:49:00
13457
原创 最详细的掺杂技术
目录掺杂技术一、扩散原理与模型（一）扩散模型（二）扩散工艺二、离子注入（一）离子注入原理（二）离子注入参数（三）离子注入设备（四）离子注入工艺（一定是真空环境）（五）离子注入质量检测在半导体制造领域，掺杂技术是一项极为关键的工艺，其核心目的在于精准地将杂质引入 wafer 内部，进而对器件的电学性能进行有效的调控。通过掺杂，能够实现诸如 PN 结、欧姆接触区以及电阻等多种重要器件的制作。在实际应用中，掺入的杂质通常来自 IIIA 族和 VA 族元素，这些元素的引入能够显著改变半导体的电学特性，为半导体器件的
2024-11-28 13:48:51
2822
原创 薄膜与 CVD 工艺
由硅 - 氧四面体组合而成，有结晶型和无定型两种，氧化工艺生长成的是无定型的二氧化硅。性质：用密度、折射率、电阻率、介电强度、介电常数以及热膨胀系数等物理参量表征，不同氧化方法制备的二氧化硅物理性质有所差异。：是硅最稳定的化合物，不溶于水，只与氢氟酸反应，在生产中用于光刻扩散窗口和引线孔窗口等。用途：在半导体器件制作中，生长氧化膜后刻蚀形成掺杂窗口，离子注入时用作阻挡层。：在 MOS 技术中作绝缘栅介质，因其高电阻率和高介电强度，几乎无漏电流。
2024-11-26 17:19:19
1872
1
原创 半导体光刻与刻蚀工艺深度剖析
在现代半导体制造领域，光刻与刻蚀工艺犹如精密的雕刻大师，将复杂的电路设计精准地转移到硅片上，为芯片的诞生奠定了基石。这两项工艺的不断演进，是推动半导体技术朝着更小尺寸、更高性能和更强大功能发展的关键驱动力。光刻工艺负责在硅片表面构建微小的图形结构，而刻蚀工艺则将这些图形转化为实际的电路元件，二者相辅相成，共同塑造了半导体世界的微观奇迹。光刻工艺流程包含多个精细步骤，每个步骤都对最终的光刻质量起着至关重要的作用。在光刻工艺流程的起始阶段，使用稀释的氢氟酸（DHF）对硅片进行处理是至关重要的一步。硅片在存储和运
2024-11-26 09:40:55
4530
原创 半导体知识概论
设备包括电容耦合等离子体刻蚀机（CCP，提高电容耦合产生等离子体，用于各向异性刻蚀，提高选择性和精确的图形转移）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP，电感耦合产生更高密度等离子体，用于高效各向异性刻蚀，制造高深宽比结构）、反应离子刻蚀（RIE，电极间施加电压产生等离子体，用于各向异性刻蚀，能做出细微结构）、电子回旋共振刻蚀机（ECR，通过电子回旋共振产生等离子体，对压力要求低，适用于高选择比和低损伤刻蚀）、磁增强等离子体刻蚀机（MEP，施加磁场约束等离子体，提高等离子体密度和均匀性，实现更精确控制）。
2024-11-25 16:38:09
1334
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人