《泛半导体湿法工艺（八）》技术资料

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《泛半导体湿法工艺（八）》技术资料

hlkn2020
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《炬丰科技-半导体工艺》微细加工中的湿法化学处理原理
jfkj2021的博客
12-01 1563
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：微细加工中的湿法化学处理原理 编号：JFKJ-21-754 作者：炬丰科技 摘要 集成器件制造的精细图案化工艺要求具有湿式化学加工中的表面清洁度、表面平滑度、完全均匀性和完全蚀刻线性等优点。在我们的工作中，基于对BHF和SO的化学反应机理的基础研究，确定了缓冲氟化氢(BHF：NH4F+HF+H2O)的改进化学组成。描述了基于化学反应机理和液体化学品性质研究的先进湿式化学加工，结合SiO2 BHF的图案化工艺。硅技术的湿化学工艺原理基于以下四个要素：主要反应的测定（蚀刻
《炬丰科技-半导体工艺》单晶片湿法清洁工艺的氧气控制
hlkn2020的博客
09-09 405
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶片湿法清洁工艺的氧气控制 编号：JFKJ-21-425 作者：炬丰科技 关键词：低氧工艺、溶氧计、BEOL 清洗 摘要 低氧含量的湿法加工可能会提供一些优势，但是，完全控制在晶圆加工过程中避免吸氧仍然是单个晶圆工具上的短流程工业化的挑战。在线氧浓度监测用于工艺优化。然后，根据记录的氧浓度和处理室中气氛控制的硬件可用选项，评估稀释 HF 溶液中的钴蚀刻。 介绍 FEOL 应用和 BEOL 已经证明了在液体（冲洗水、稀释的酸，如 HF、HCl..
泛半导体湿法工艺资料分享
hlkn123的博客
04-25 237
《炬丰科技-半导体工艺》湿法蚀刻分离工艺制备的太阳能电池的光电特性
jfkj2021的博客
12-02 1035
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：湿法蚀刻分离工艺制备的太阳能电池的光电特性 编号：JFKJ-21-864 作者：炬丰科技 引言 对基于III-V半导体纳米异质结构的多结太阳能电池(MJSC)的关注是由于它们太阳能到电能的高效转化。MJSC参数的进一步改善通常与通过增加更多的光活性p-n连接和通过稀释底物来减少单个SCs的重量来提高效率有关。反过来，MJSC中光活性p-n连接数量的增加导致光流总值的自然下降，从而导致光活性p-n结的空间电荷区(SCR)电流的“重组”和“隧道陷阱”（过量）机制对SC效率的
半导体行业湿法刻蚀原理
01-29
半导体行业湿法刻蚀原理
半导体制造工艺基本认识 大纲
weixin_39354845的博客
10-17 1037
半导体制造工艺
半导体制造全流程：从晶圆加工到封装测试
qq_58988157的博客
09-25 1428
半导体制造全流程：晶圆加工 - 氧化 - 光刻 -刻蚀 -离子注入 - 薄膜沉积 - 互连 - 测试 - 封装。
刻蚀机：半导体弯道超车突破口，产业格局梳理.docx
04-26
刻蚀技术主要包括湿法和干法。湿法刻蚀主要依靠化学反应，适用于较大尺寸的工艺，但存在侧壁刻蚀偏差的问题。相比之下，干法刻蚀，特别是等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和反应离子刻蚀（RIE），能提供更好的各向...
中国半导体设备行业需求状况与投资前景展望分析报告2022版
HSXH1的博客
11-23 1267
中国半导体设备行业需求状况与投资前景展望分析报告2022版 HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS-- 【修订日期】：2021年11月 【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容！】 第一章　半导体设备行业基本概述 1.1　半导体的定义和分类 1.1.1　半导体的定义 1.1.2　半导体的分类 1.1.3　半导体的应用 1.2　半导体设备行业概述 1.2.1　行业概念界定 1.2.2　行业主要分类 第二章　2019-2021年中国半导体设备行...
在当前集成电路产能紧缺的背景下，半导体刻蚀机的应用和市场前景如何？
11-05
目前，先进的刻蚀技术包括反应离子刻蚀（RIE）、深反应离子刻蚀（DRIE）、等离子体刻蚀和湿法刻蚀等，它们在不同的半导体制造工艺中发挥着各自的优势。 市场方面，由于晶圆厂扩产的需求强烈，刻蚀机的市场需求持续...
半导体工艺表面流程图
05-03
双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的对应关系(草案)
国产刻蚀设备崛起，工艺进步驱动市场需求
刻蚀工艺分为湿法刻蚀和干法刻蚀，其中干法刻蚀由于其各向异性刻蚀特性，即只在垂直方向刻蚀，能够更好地控制侧壁形状，因此成为主流。刻蚀材料包括硅、介质和金属等，这些材料的选择取决于待刻蚀的薄膜类型。 市场...
现代通信技术思考题
Interesting_ly的博客
03-21 5614
现代通信技术思考题
半导体工艺（六）湿法刻蚀
集成光电子
03-12 2711
首先在湿法刻蚀基本原理是待刻蚀的材料以浸没的形式在特定的溶液中进行腐蚀，使材料和溶液进行一系列的化学反应，从而达到一个腐蚀（刻蚀）的效果。1、酸 ：氢氟酸（HF）、盐酸（HCL）、硫酸（H2SO4）、磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、醋酸（CH3COOH）、缓冲氧化刻蚀BOE(49%HF水溶液：40%NH4F水溶液=1：6（体积比）的成分混合而成)常用的金属：铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）、钛（Ti）、铂（Pt）、金（Au）、银（Ag）等。4、配合使用的设备：磁力搅拌加热器、超声机、摇床等。
半导体湿法技术有什么优势
Insist_1122的博客
03-12 942
在 40% NH4F和49% HF（比率 10:1）的混合物中，热氧化物的蚀刻速率为 50 nm/min。然而，对于小结构，不能使用湿法蚀刻，因为它的各向同性特性会导致掩模膜的横向蚀刻。铝可以在 60 °C 下用硝酸和磷酸的混合物蚀刻，钛可以用氨水 (NH4OH)、过氧化氢(H2O2) 和水（比例为 1:3:5）的混合物蚀刻). 因为这种混合物也会腐蚀硅，所以它的寿命很短。蚀刻速率，换句话说，每次磨损，必须是众所周知的，以确保可重复的过程。精确的回火是必不可少的，因为蚀刻速率会随着温度的升高而增加。
半导体的光刻工艺全过程，技术讲解
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来源：旺财芯片  光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。   光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其...
用DSP28335实现三电平SVPWM整流器的程序-svpwm-SVPWM整流-三电平SVPWM-逆变器-三电平
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洁净制药厂房的供配电设计
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本 PPT 介绍了制药厂房中供配电系统的总体概念与设计要点，内容包括： 洁净厂房的特点及其对供配电系统的特殊要求； 供配电设计的一般原则与依据的国家/行业标准； 从上级电网到工厂变电所、终端配电的总体结构与模块化设计思路； 供配电范围：动力配电、照明、通讯、接地、防雷与消防等； 动力配电中电压等级、接地系统形式（如 TN-S）、负荷等级与可靠性、UPS 配置等； 照明的电源方式、光源选择、安装方式、应急与备用照明要求； 通讯系统、监控系统在生产管理与消防中的作用； 接地与等电位连接、防雷等级与防雷措施； 消防设施及其专用供电（消防泵、排烟风机、消防控制室、应急照明等）； 常见高压柜、动力柜、照明箱等配电设备案例及部分设计图纸示意； 公司已完成的典型项目案例。 1. 工程背景与总体框架 所属领域：制药厂房工程的公用工程系统，其中本 PPT 聚焦于供配电系统。 放在整个公用工程中的位置：与给排水、纯化水/注射用水、气体与热力、暖通空调、自动化控制等系统并列。 2. Part 01 供配电概述 2.1 洁净厂房的特点 空间密闭，结构复杂、走向曲折； 单相设备、仪器种类多，工艺设备昂贵、精密； 装修材料与工艺材料种类多，对尘埃、静电等更敏感。 这些特点决定了：供配电系统要安全可靠、减少积尘、便于清洁和维护。 2.2 供配电总则 供配电设计应满足： 可靠、经济、适用； 保障人身与财产安全； 便于安装与维护； 采用技术先进的设备与方案。 2.3 设计依据与规范 引用了大量俄语标准（ГОСТ、СНиП、SanPiN 等）以及国家、行业和地方规范，作为设计的法规基础文件，包括： 电气设备、接线、接地、电气安全； 建筑物电气装置、照明标准； 卫生与安全相关规范等。 3. Part 02 供配电总览 从电源系统整体结构进行总览： 上级：地方电网； 工厂变电所（10kV 配电装置、变压
三菱FX5U PLC通信客户端（基于MC协议 (SLMP/3E帧) - 原生TCP/IP）
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这是一个基于.NET Framework的Windows桌面应用程序，专门用于与三菱FX5U系列PLC进行TCP/IP通信。项目采用标准的MC协议（3E帧），实现了完整的读写功能，并提供了直观的用户界面，是工业自动化领域与PLC通信的实用工具。 1. 完整的MC协议实现 支持3E帧格式（ASCII通信协议） 实现批量读取和批量写入 自动处理小端字节序数据格式 完善的错误代码解析机制 2. 多功能数据操作 位设备操作：X（输入）、Y（输出）、M（辅助继电器） 字设备操作：D（数据寄存器）、W（字设备）、B（链接寄存器）、R（文件寄存器） 浮点数支持：D寄存器浮点读写（IEEE 754标准） 批量读写：支持连续地址批量操作 3. 智能地址处理 八进制地址转换：X、Y寄存器自动进行八进制和十进制转换 地址对齐：位设备按16位对齐读取，确保数据正确性 范围验证：自动验证地址范围和数据类型 4. 实时监控系统
半导体工艺流程详解：华林科纳RCA湿法腐蚀清洗机
"本文介绍了半导体工艺流程的主要环节，包括单晶硅片制造、IC芯片设计、晶圆制造和封装测试，并特别关注了华林科纳的RCA湿法腐蚀清洗机设备，详细阐述了该设备的功能、应用领域及构造特点。" 半导体工艺流程是制造...
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