《炬丰科技-半导体工艺》臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法

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本文介绍了一种使用臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法，旨在提高清洗效率并避免氧化物的产生。该方法涉及先用碱或酸溶液预清洗，再用含有1ppm至20ppm臭氧的去离子水漂洗，特别指出3ppm至10ppm为最佳浓度。在臭氧/DI水漂洗后，可能使用稀释的HF溶液去除硅表面的氧化物，确保晶片清洁。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法

编号：JFKJ-21-234

作者：炬丰科技

摘要  

  一种通过湿工作台法清洗硅片的方法，该方法可提高清洗效率，且不会产生氧化物。在该方法中，晶圆可以首先在包括碱或酸的第一清洗液中清洗，然后在包括去离子水和臭氧的第二溶液中清洗。去离子水中的臭氧浓度可在约1ppm至约20ppm之间，最好在约3ppm至约10ppm之间。在臭氧/DI水漂洗步骤之后，在最后的漂洗步骤和干燥步骤之前，可以使用稀释的HF清洗步骤来去除硅表面上可能形成的任何氧化物

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