《炬丰科技-半导体工艺》臭氧的新型光刻胶剥离技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：臭氧的新型光刻胶剥离技术

编号：JFKJ-21-487

作者：炬丰科技

摘要

  作者开发了一种新工艺，可替代过氧化硫混合物 (SPM) 清洗硅晶片。这个过程，即蒸汽臭氧剥离 (VOS)，使用臭氧和汽化水，显着减少对环境、健康和安全的任何影响。该工艺比臭氧水浸泡更有效，因为可以同时使用高浓度臭氧气体和高温水。此外，该过程使用高反应性 OH* 自由基物质。与使用臭氧的其他技术相比，VOS 工艺能够以更高的速率剥离光刻胶。可以剥离离子注入光刻胶和蚀刻光刻胶。VOS 在电气可靠性测试中已证明其性能与 SPM 相当。

关键词—臭氧、光刻胶去除、晶圆清洗。

简介

  作为 RCA 清洁的更环保的替代品，功能水最近得到了研究。特别是，使用臭氧和水去除有机污染物引起了人们的兴趣。然而，在室温和大气压下，典型的臭氧水发生器只能在水中产生约 10-30 ppm 的臭氧。在这种条件下，光刻胶去除速率仅限于 100 nm/min，不足以替代