《炬丰科技-半导体工艺》清洗硅片两步法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：清洗硅片两步法

编号：JFKJ-21-238

作者：炬丰科技

摘要  

  清洗硅片的方法是:首先将硅片浸泡在成膜溶液中，成膜溶液与脏的硅片反应，在硅片上形成一层膜，然后将硅片浸泡在膜剥离溶液中，去除膜。对于硅片，成膜溶液和脱膜溶液都可以由分别由49%重量的HF和70%重量的HNO3组成的单独的水溶液形成。

采用阶梯法清洗硅  

    新锯、研磨或研磨的硅片非常脏，如果后续的electronic设备制造过程要成功，就必须清洗。硅片上的污垢成分中有锭子油;硅粒子;硅粉;冷却溶液，包括湿润剂;研磨抛光砂;环氧树脂浇铸化合物;人类手指指纹，可能还有其他材料。

发明摘要  

  通过使用两步清洗过程，本发明克服了现有技术的晶圆清洗解决方案的上述问题。这个过程将清洗所有类型的晶圆片，并且不会显著地从重掺杂的p型晶圆片中滤出掺杂剂。这种清洗过程对任何工作损坏的表面都特别有用，但不限于工作损坏的表面。

  首先，晶圆被处理成膜溶液，它与晶圆和/或污垢反应，在晶圆表面形成一层膜。硅片最好在去离子水中漂洗，然后浸入膜剥离溶液中，去除第一溶液形成的膜，使硅片保持干净。成膜溶液和脱膜溶液均可由分离的水溶液配制而成，该水溶液分别由重量为49%的HF和重量为70%的HNO3组成。