《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆切割技术

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《炬丰科技-半导体工艺》介绍了晶圆切割技术，解决了传统方法中锯切和激光划线导致的微裂纹和碎屑问题。本技术通过在晶片上创建凹陷街道图案，减薄并金属化背面，实现无损切割，产生直且光滑的正交边缘，尤其适合脆性化合物半导体材料，如砷化镓，提高器件可靠性和产量。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体晶圆切割技术

编号：JFKJ-21-335

作者：炬丰科技

摘要

  晶片分离技术包括在将晶片减薄至所需厚度之前在晶片的前部装置处理主表面上产生凹陷的街道图案。将晶片安装在合适的载体上后，将其减薄并选择性地金属化以形成背面触点。从街道的中心区域去除半导体材料。由于材料去除而损坏的暴露材料也被去除以消除微裂纹，同时生产具有直且光滑的正交边缘的管芯。本技术特别适用于在其中嵌入有

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