《炬丰科技-半导体工艺》硅和sio2的湿式化学蚀刻

hlkn2020

于 2021-08-31 14:28:22 发布

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本文摘自《炬丰科技-半导体工艺》，详细介绍了硅和二氧化硅的湿化学蚀刻过程，探讨了腐蚀率、各向异性、蚀刻均匀性等因素，以及不同条件下如KOH和TMAH溶液中的蚀刻速率，并讨论了选择性蚀刻的问题。

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅和sio2的湿式化学蚀刻

编号：JFKJ-21-280

作者：炬丰科技

硅和二氧化硅的湿化学蚀刻

硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。

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