本发明涉及光刻胶剥离和清洗技术，特别是一种含有羟甲胺化合物的光刻胶剥离组合物，用于在半导体制造中有效去除光阻残留物。胺化合物在积体电路和液晶显示装置的清洁过程中起关键作用，提高光阻去除的效率和效果。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：光刻胶剥离组合物和清洗组合物
编号：JFKJ-21-340
作者：炬丰科技
发明所属之技术领域
光阻已经被使用在广泛范围的影像技术生产中，其装置包括如LC及LSI之积体电路、如LCD及EL装置之显示装置、印刷电路板、微形机械、DNA及微装置及微形工厂。特别地，本发明系关于从负载有光阻之各种目的除去光阻之光阻掠物。
本发明已经有其及亲核性之胺化合物被使用来淸洁积体电路、液晶显示装置及应用在该等装置上的最光阻。于该等目的中之一种、一种胺化合物、其制造方法淸组成物及一种包括该胺化合物之光拦截组件。
先前技术
日本专利应用新案揭开真相是无该等反例并能有效地强伊朗甲基胺安定，但理来，已由各种材料来生产用装置之半导体装置，其需求料之光阻掩蔽物。
发明内容
本发明的目的是在于解决，并提供一种光阻破坏能够轻松地除去引物上的光在紧接于蓝色的去灰后之光于提供一种光阻破坏物的条件下。
发明摘要
本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由下式1表示的羟甲胺化合物
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