《炬丰科技-半导体工艺》Si或SiO2 的反应离子蚀刻选择性

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：Si或SiO2 的反应离子蚀刻选择性

编号：JFKJ-21-438

作者：炬丰科技

摘要

  研究了两种反应离子蚀刻 (RIE) 工艺，以使用两种方法显示 SiO2 和 Si 之间的相对蚀刻选择性 佛罗里达州碳氟化合物气体、CF4 和 CHF3。结果表明，与 CF4 (1.2:1) 相比，CHF3 具有更好的选择性 (16:1)。另一方面，CF4 的 SiO2 蚀刻速率约为 52.8 nm/min，比 CHF3快。

关键词  反应离子蚀刻，RIE，Si，SiO2，CHF3，CF4，选择性 

介绍

  在纳米制造中，在 Si 层上蚀刻 SiO2 层（反之亦然）是一种常见的工艺。为确保完全去除目标材料，工艺设计中通常包括 10% 的过蚀刻。然而，对于大多数设备，尽可能少的过度蚀刻是首选。在反应离子蚀刻 (RIE) 工艺中，蚀刻主要通过化学反应进行。反应中的等离子体是由固定在顶部和底部的两个电极之间施加的高频电场形成的。电场还定义了等离子体运动的方向，这使 RIE 工艺具有高各向异性的优点。图 1 显示了本