《炬丰科技-半导体工艺》多孔低k湿刻蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：多孔低k湿刻蚀

编号：JFKJ-21-347

作者：炬丰科技

摘要

  在这项研究中，研究了“基于 HF 的”清洁与多孔低 k 集成和“孔隙封闭”方法的兼容性，并特别关注了超低 k 孔隙率的演变。我们还尝试证明，对于 65nm 和 45nm 设计规则，是否可以通过减薄图案沟槽壁（等离子体损坏层）中的改性表面层来实现“k 恢复”。

关键词： 湿法清洁、BEOL、多孔低 k、稀释的氢氟酸、孔隙密封。

简介