《炬丰科技-半导体工艺》金属辅助化学刻蚀

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该文介绍了一种利用金属辅助化学刻蚀（MacEtch）方法来精确控制III-V族半导体纳米结构的形成。这种方法在半导体衬底上设置导电膜图案，并将其与特定蚀刻溶液接触，从而选择性去除半导体材料，形成高纵横比的纳米柱。这种方法对于III-V族材料如GaAs的应用，如太阳能电池、LED和激光二极管等，具有重要意义，因为它能减少对晶体结构和表面形态的损害。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：金属辅助化学刻蚀

编号：JFKJ-21-354

作者：炬丰科技

摘要

  提供了金属辅助化学蚀刻 III-V 族半导体的方法。该方法可以包括提供设置在包括III-V族半导体的半导体衬底上的导电膜图案。通过将导电膜图案和半导体衬底浸入包含酸和氧化电位小于氧化电位的氧化剂的蚀刻

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